稀土氧化物对碳化硅晶须形成的影响

研究了氩气气氛下稀土氧化物对不同碳源形成SiC晶须的影响.结果表明,稀土氧化物能够在一定程度上促进碳化硅晶须的形成.稀土氧化物能够改变碳化硅晶须的形貌,主要表现在提高碳化硅晶须的直晶率和直径.不同种类的稀土氧化物,其催化效果不同.     

SiC纳米材料制备及应用

综述了近年来在高新技术领域发展起来的SiC纳米粉体、SiC纳米晶须、SiC同轴纳米电缆的制备方法及其应用，并对一些新型的制备方法进行重点介绍。指出，目前SiC纳米材料制备方法虽然多样，但都规模小，成本高，还难以实现大规模生产；SiC纳米材料性能优于传统的SiC材料，能够达到高新技术领域的严格要求，具有更为广泛的用途。     

晶须的制备

本文叙述了晶须材料的各种制备方法，包括从气相，水溶液及熔体中生长晶须的多种方法，以及这些方法应用于金属，无机化合物，有机及聚合物晶须的制备，其中特别详细地讨论了气相沉积，ＶＬＳ机理制备晶须的原理和方法。     

SiC电热元件制备工艺的优化

作为一种性能优良的电热元件,SiC具有极佳的力、热、电特性。通过对SiC电热元件制备工艺的研究,找出了最佳素烧温度和最佳烧结温度制度。通过测试最佳工艺条件下制品的密度、强度、电阻率,并利用XRD,SEM测试其晶体结构和微观形貌,分析了影响碳化硅电热元件电阻率和力学性能的工艺因素。结果表明:素烧温度在1000℃,保温30min,烧成温度在1980～2060℃时的试样强度最高,电阻率值也比较合理。     

氧化镁晶须的制备

对文献报道过的有关ＭｇＯ晶须的制备方法进行了分类和综述，指出了各种制备方法的优缺点及所得晶须的特征     

硫酸钙晶须制备方法及应用进展

硫酸钙晶须是一种性能优良、价格低廉的新型非金属环保材料。其制备方法主要有两种——水压热法和常压酸化法。目前制备硫酸钙晶须的原料主要是生石膏,由于我国工业副产石膏比较丰富,可以使用工业副产石膏作为原料制备硫酸钙晶须,另外,还可以使用工业含钙废液为原料制备硫酸钙晶须,这不仅可以降低成本,还可以提高资源的利用率、保护环境。硫酸钙晶须的应用很广泛,可以用于摩擦材料、增强组元、环境工程、造纸,还可以用于提高沥青软化温度等,是一种具有广阔发展前景的新材料。     

碳化硅晶须与颗粒分散性能研究

在碳化硅晶须合成过程中,由于多种原因会有大量的碳化硅颗粒生成,影响碳化硅晶须的纯度。由于碳化硅晶须与颗粒性质的相似性,在提纯前的分散尤为重要,本文以稻壳合成晶须和颗粒为研究对象,系统考察了各种药剂体系和各种操作条件对碳化硅晶须与颗粒体系分散性能的影响规律性。     

无水无氧条件下的单晶制备方法

本文报导了无水无氧条件下的单晶制备方法，主要有液体扩散法、气体扩散法和降温法．实验表明这些方法具有良好的效果，且可使用于对空气不敏感化合物的单晶制备     

酸性稻壳炭作为油脂脱色剂的制备及脱色工艺的实验研究

提出了以稻壳为原料,以 NaOH、H_2SD_4为辅料制备油脂脱色剂—酸性稻壳炭的方法,并确定了制备和脱色的最佳工艺条件.     

钛碳化硅陶瓷制备方法综述

简述了钛碳化硅Ti3SiC2陶瓷的结构与性能,综述了国内外Ti3SiC2陶瓷的制备方法,并对Ti3SiC2陶瓷的应用前景进行了展望。     

碳化硅的制备

碳化硅(SiC)是碳硅元素以共价健结合形成的具有金刚石结构的一种晶体物质,硬度高、耐高温、耐腐蚀、热导率高、宽带隙以及电子迁移率高,广泛应用于磨料、冶金和高温承载件。本文重点介绍碳化硅在陶瓷行业的制备及应用。     

碳化硅晶须增强铝基复合材料强化行为的研究

利用X射线衍射技术,Instron电子拉伸机和透射电子显微镜,本文对退火后SiCw/p-Al SiCw/6061Al复合材料位错密度和屈服强度进行了研究,结果表明,经过退火后的SiCw/p-Al复合材料基体位错密度随加热温度升高而下降,但微屈服强度,屈服强度增加,而SiCw/6061Al复合材料基体位错密度在250度保温时略高,且其屈服强度变化趋势与位错密度变化趋势一致。     

HFCVD法制备SiC薄膜工艺

分析研究了热丝化学汽相沉积（HFCVD）法工艺参数的变化对SiC薄膜质量的影响。结果表明，合理的选取工艺参数，可在较低温度（700－900℃）晶向异质生长出高质量的准晶SiC薄膜。     

石膏制备硫酸钙晶须工艺研究

以石膏为原料,采用水热法制备硫酸钙晶须。研究了料浆浓度、反应温度、反应时间、pH值等工艺条件对产品长径比的影响。通过显微镜观察测定了硫酸钙晶须的长径比,得出制备硫酸钙晶须的最优工艺条件为:反应温度130℃、料浆初始pH值10、料浆质量分数3%、反应时间为9 h。在此条件下,硫酸钙晶须产品长径比为75。     

渗硅碳化硅材料的制备与性能研究

采用不同工艺制备渗硅碳化硅,分析了生坯密度、成型方法、颗粒级配等对制品结构及性能的影响.结果表明:恰当的生坯结构及合理的成型方法、烧成制度,是制备结构致密均匀、气孔率低、密度及强度高的渗硅碳化硅材料的关键.     

四针状氧化锌晶须的制备及应用

叙述了结构独特、性能优异的四针状氧化锌晶须的结构特点、制备方法、生长机理、应用等方面的现状,探讨了该晶须的发展潜力和今后的研究方向.