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通过对CAPP(computer aided process planning)统的功能分析,从工艺设计、管理、集成等几个方面确定CAPP系统的功能需求,进而设计和实现适合汽车线束制造企业的CAPP系统总体方案和各个功能模块.着重探讨线束图形数据库的设计、工艺过程的生成、工艺过程的输出及与Web信息系统的集成等关键技术,并给出系统实现方法. 相似文献
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通用对工程中一个典型的触发脉冲信号的分析、测量和计算。找出了一条可能正确判断 可控硅能否被触发导通的途径,现场调试结果证明这一判断方法正确,它对现代机械控制系统的调试、分析将起到积极的作用。 相似文献
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VDMOSFET特征导通电阻实用物理模型 总被引:3,自引:0,他引:3
季春霖 《辽宁大学学报(自然科学版)》2004,31(4):375-378
较系统地分析了正方形单胞结构VDMOSFET的特征导通电阻与结构参数间的关系.详细地介绍了一种新型实用的VDMOSFET的特征导通电阻的物理解析模型,并对模型给出的理论值与实验结果进行了比较,二者吻合得很好. 相似文献
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针对南京市惠民大道三期工程A标段高架桥通长钢绞线穿束施工实践,阐述了采用先穿法进行长钢铰线穿束施工艺和操作要点。实践表明,采用方法正确,可以类似工作提供借鉴作用。 相似文献
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针对南京市惠民大道三期工程A标段高架桥通长钢绞线穿束施工实践,阐述了采用先穿法进行长钢铰线穿束施工艺和操作要点.实践表明,采用方法正确,可以类似工作提供借鉴作用. 相似文献
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针对南京市惠民大道三期工程A标段高架桥通长钢绞线穿束施工实践,阐述了采用先穿法进行长钢铰线穿束施工艺和操作要点.实践表明,采用方法正确,可以类似工作提供借鉴作用. 相似文献
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条形栅VDMOS特征导通电阻的物理模型 总被引:1,自引:0,他引:1
详细地介绍了一种新型实用的VDMOSET特征导通电阻的物理解析模型.该模型不仅物理概念清晰,有利于定型指导器件的研制和生产,而且简单、实用. 相似文献
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比较系统地分析了正六角形单胞VDMOSFET的特征导通电阻模型. 相似文献
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汽车综合性能检测设备选型准则与模型 总被引:6,自引:3,他引:3
徐双应 《长安大学学报(自然科学版)》2004,24(3):79-83
分析了汽车综合性能检测设备的使用特点、市场供应与设备生产厂家等实际情况,遵循企业设备选择包括费用效率等在内的一般性原则,提出了由检测规范性、适应性及反映费用效率等要素组成的检测设备选型准则体系,进而利用AHP方法,构建了检测设备选型决策模型,并付诸实际运用。结果表明,该模型可以协助技术人员把复杂的决策问题定量化,选择出最佳设备,实现检测资源的最佳配置,提高检测系统的费用效率与服务水平。 相似文献
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介绍了六角形单胞功率VDMOSFET特征导通电阻的数学模型,计算了不同漏源击穿电压下,各种电阻分量在特征导通电阻中所占的比例,分析了阻值随电压变化的原因。 相似文献
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本文对进行NO退火和非NO退火的SiC MOS电容的栅泄漏电流的导通机理进行了分析,研究表明在高场下经过NO退火和未经过NO退火的样品的栅泄露电流都由Fowler-Nordheim (FN)隧穿决定,经过NO退火的势垒高度为2.67 eV,而未经过NO退火的样品势垒高度为2.54 eV,势垒高度的增加说明了氮化的作用.在中度电场区域,通过拟合分析发现此区域的栅泄漏电流主要由Poole-Frenkel发射(PF)决定,并不受陷阱辅助隧穿trap assisted tunneling(TAT)的影响.同时C-V特性也明显看出NO退火对界面质量的影响. 相似文献
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分析了结晶器铜管使用条件、制造工艺,得出结晶器铜管通钢量与冷却水流量、温度、水质及铜管制造质量等因素有关的结论。提出了相应的对策,使结晶器铜管平均通钢量从612t/支提高到1938t/支,效果良好。 相似文献
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使用HFSS仿真软件设计了基于基片集成玻导(substrate integrated waveguide,SIW)的带通滤波器。在SIW腔体中加入金属圆柱扰动,形成带通滤波器,并通过调节扰动金属柱的半径来调整带通滤波器的频带宽度和中心频率,最后在Rogers 5880介质基板制作实物。测试结果表明:中心频率为24 GHz,通带内插入损耗2.4 dB、回波小于-15 dB的带宽为300 MHz。仿真结果和实验测试结果基本相符。此带通滤波器能够应用在汽车雷达系统中。 相似文献
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伴随着计算机技术和电子技术在汽车维修上的大面积使用,促使现代汽车的功能日新月异,电控汽车的万用表检测的维修理念和维修方法以及维修内容都在一定程度上发生了根本性的改变和提升。当然电控汽车的万用表检测和维修难度也是越来越大了,可是现代电控汽车的万用表结构复杂,专用诊断设备只是从单一考虑故障的角度上出发说道,完全不能具体的分析故障部件和产生故障部位。故障形形色色,确诊十分困难。本文选辑主要论述电控汽车的万用表检测技术与设备的研究及发展情况。 相似文献
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双极晶体管导通状态对功率纵向双扩散MOSFET静态电流—电压特性的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
高嵩 《辽宁大学学报(自然科学版)》2001,28(4):336-339,348
通过对DVMOS结构器件测量的I-V特性和模拟结果的分析,发现在此结构中,寄生的双极管对器件性能具有不良影响,可以来用一种新型的具有浅扩散p^ 区的自对准VDMOS结构,以完全消除寄生的BJT导通机制,这对MOS技术的发展十分有益。 相似文献