用阵列电极研究不同阴离子介质中有机涂层/铁电极界面腐蚀行为

应用阵列电极测量不同阴离子介质中有机涂层／铁电极界面电位分布图，研究腐蚀发生、发展过程．实验结果表明：腐蚀优先发生在有机涂层／铁电极界面边缘．涂层一旦破裂，在Ｃｌ－介质中腐蚀很快发生并不断发展，在ＮＯ－３介质中腐蚀也很快发生，一段时间后就逐渐受抑制，而在ＣＯ２－３介质中腐蚀不发生．与常规电极相比，阵列电极能给出更详细的腐蚀界面的电化学参数．     

酸性介质中有机含氮化合物抑制铁腐蚀的结构效应

用电化学极化电阻法研究了某些有机含氮化合物抑制铁腐蚀的结构效应。根据缓蚀剂分子中取代基的类型、数目和空间取向，以及位体Ｎ上电子与铁空ｄ轨道形成位键的强弱，解释了有机含氮化合物的结构对其缓蚀效率的影响。     

有机涂层中离子传输行为研究

借助涂层的阴极剥离,研究了有机涂层中离子传输行为。采用一个双电解池体系,将涂层人为缺陷和完好部分隔开,通过控制两部分溶液中离子种类、浓度和pH值等,研究离子在涂层中的传输。尝试采用电化学阻抗谱技术（EIS）来表征涂层/金属界面阴极剥离程度。结果表明：K^＋能透过环氧清漆涂层到达涂层/金属界面;而Na＋很难穿透环氧清漆,只能通过涂层缺陷到达界面。溶液中水合离子直径对于离子在涂层中的扩散有着重要影响;溶液中水的活性是影响涂层起始剥离时间的主要因素。     

铟锡氧化物电极中In的扩散对有机薄膜电致发光器件发光区暗斑形？…

为了研究有机薄膜电致发光器件发光区暗斑的形成,制备了Ａｌ／８－羟基喹啉铝／铟锡氧化物／玻璃衬底结构的发光器件,观察了器件失效前后的表面形貌,并对器件进行了微区Ａｕｇｅｒ能谱分析。结果表明,铟锡氧化物电极表面Ｉｎ向有机层内的扩散是产生微区高电场,从而形成发光区暗斑的一个不可忽视的重要因素。     

二氧化硅／有机蒙脱土复合超疏水涂层的制备及其性能研究

将全氟辛基三乙氧基硅烷（FAs）改性的二氧化硅颗粒与有机蒙脱土（OMMT）混合制成溶胶,采用浸渍提拉法制备具备超疏水性能的复合涂层,研究了二氧化硅／OMMT不同配比对涂层疏水性能的影响。结果表明,复合涂层的静态接触角随二氧化硅／OMMT质量比的增加而增大,滚动角随二氧化硅／OMMT质量比的增加而减小。通过扫描电子显微镜（SEM）观察涂层表面微观结构,发现超疏水涂层表面具有微纳米复合结构,结合FAS改性二氧化硅的低表面能,赋予了复合涂层优良的超疏水性能。     

大气环境中金属及其保护层霉菌腐蚀研究的进展

微生物及其生命特征严重影响着材料的服役性能与寿命.目前大量的研究集中在细菌腐蚀领域,对于大气环境中真菌造成的腐蚀行为与机理研究较少.事实上,在大气环境中存在着大量的霉菌,其生命活动对金属及涂、镀层的腐蚀也具有重要的影响.本文综述了霉菌的生化特性与腐蚀的关系,讨论了在大气环境中霉菌对金属及涂、镀层材料腐蚀行为的影响,并归纳了霉菌腐蚀的相关机理;同时根据腐蚀特征的对比分析可知,霉菌腐蚀与细菌腐蚀具有一定的差异性,其主要原因在于两类菌的代谢产物不同.目前,对金属及涂、镀层材料的霉菌腐蚀研究大多停留在对材料表面霉菌腐蚀现象的描述和产物的分析等方面,缺乏对霉菌生命活动与腐蚀速度的定量表征,缺乏对霉菌引起的腐蚀过程动力学规律的研究,这将是未来研究工作的重点.     

有机金属化合物中二级化学键的理论研究（Ⅵ）：——二级化学键生 …

应用半径经验分子轨道（ＭＯＰＡＣ７．０软件包中ＡＭ１和ＰＭ３）方法，对一些有机金属汞化合物进行了探讨和研究。通过总能量和生成熟的比较可知，由于分子内的二级化学链的生成，分子ｃｉｓ－ＨｌＨｇＣＨＣＨＣｌ和ｏ－Ｃ６Ｈ４ＨｇＣｌ２的能量较低，更稳定。对于含Ｐｈ－和ＣＮ－基团的一系列有机汞化合物，通过计算机其内旋转能垒中的初始构象和能谷构象可知，由于Ｈｇ与Ｐｈ－和－ＣＮ－之间的二级化学键的生成，其初始构象