混晶GaAs_(1-x)P_x∶N(x=0.88)中NN_1对束缚激子发光的声子伴线

采用选择激发的实验手段，在混晶ＧａＡｓ１－ｘＰｘ∶Ｎ（ｘ＝０．８８）的光致发光谱中观察到ＮＮ１对束缚激子发光的声子伴线．通过荧光谱线窄化效应，在发光谱中得到与ＧａＰ∶Ｎ低温光致发光谱中Ａ线相似的ＮＮ１线的声子伴线精细结构，其中包括ＴＡ，ＬＡ，ＬＯ等声子伴线．这个结果在实验上有力地证实了在混晶ＧａＡｓ１－ｘＰｘ∶Ｎ中的确存在着ＮＮ１发光中心．     

混晶GaAs_（1－x）P_x：N中等电子杂质束缚激子的发光

在７７Ｋ流体静压和低激发功率密度两种不同实验条件下，对组分ｘ＝０．８８混晶材料ＧａＡｓ＿（１－ｘ）Ｐ＿ｘ：Ｎ的光致发光进行了研究。在发光谱中分别明显地出现ＮＮ＿ｉ（ｉ＝１，３）对束缚激子的发光峰。观察到压力下Ｎ＿ｘ带发光猝灭及谱带窄化。低温下，降低激发功率密度，Ｎ＿ｘ谱带移向低能量位置并且半宽变窄。实验结果表明发生Ｎ＿ｘ束缚激子从孤立Ｎ＿ｘ中心到ＮＮ＿ｉ中心的热激活转移。分析结果说明，在加压和低激发密度下，发生这种转移现象的主导机制分别是多重陷入和变程跳跃．     

混晶半导体材料GaAs_（1－x）P_x：N（x＝0．4）光致发光谱研究

采用变激发功率密度下的光致发光，变温下的光致发光等手段，研究了混晶ＧａＡｓ１－ｘＰｘ：Ｎ（ｘ＝０．４）样品中各发光带的发光特性，比较了不同激发条件下Ｎｒ与Ｎｘ发光带的不同行为，求得在不同的温度区间内，Ｎг及Ｎｘ不同的激活能，结果表明Ｎг与Ｎｘ分属不同的杂质发光中心，有着不同的束缚激子的机制．     

混晶GaAs1—xPx：N中等电子杂质束缚激子的发光

在７７Ｋ流体静压和低激发功率密度两种不同实验条件下，对组分ｘ＝０．８８混晶材料ＧａＡｓ１－ｘＰｘ：Ｎ的光致发光进行了研究，在发光谱中分别明显地出现ＮＮｉ（ｉ＝１，３）对束缚激子的发光峰。观察到压力下Ｎｘ带发光猝灭及谱带窄化。低温下，降低激发功率密度，Ｎｘ谱带移向低能量位置并且半宽变窄。实验结果表明发生Ｎｘ束缚激子从孤立Ｎｘ中心到ＮＮｉ中心的热激活转移，分析结果说明，在加压和低激发密度下，发生这种转     

混晶半导体材料GaAs1—xPx：N（x=0.4）光致发光谱研究

采用变激发功率密度下的光致发光，变温下的光致发光等手段，研究了混晶ＧａＡｓ１－ｘＰｘ：Ｎ（ｘ＝０．４）样品中各发光带的发光特性，比较了不同激发条件下Ｎｒ与Ｎｘ发光带的不同行为，求得在出不同的温度区间内，Ｎｒ及Ｎｘ不同的激活能，结果表明Ｎｒ与Ｎｘ分属不同的杂质发光中心有着不同的束缚激子的机制。     

谷氨酸乙酯-NCA与谷氨酸苄酯-NCA共聚反应和竞聚率的测定

以二氧六环为溶剂，三乙胺（ＴＥＡ）为催化剂，谷氨酸乙酯－Ｎ－羧基－２－氨基酸酐（ＥＬＧ－ＮＣＡ）与谷氨酸苄酯－Ｎ－羧基－２－氨基酸酐（ＢＬＧ－ＮＣＡ）基聚反应。用１ＨＮＭＲ谱测定了共聚物中两种单体单元的组成。利用Ｋｅｌｅｎ－Ｔüｄｓ作图法和最小二乘法计算了两种单体竞聚率。结果表明ＥＬＧ－ＮＣＡ的竞聚率ｒ１＝０．９２６，ＢＬＧ－ＮＣＡ竞聚率ｒ２＝１．１５７。     

半导体量子点中LO声子对类氢杂质的影响

采用变分法从Ｆｒｏｅｈｌｉｃｈ哈密顿量出发，研究了ＬＯ声子对球形量子点中类氢杂质基态能的影响，并将结果应用到ＧａＡｓ／Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ材料中。研究表明ＬＯ声子对ＧａＡｓ／Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ为材料的量子点中类氢杂质基态能影响很小。     

GaP1-χNχ混晶（χ-0．24％～3．1％）发光复合机制的研究

利用变温光致发光(PL)谱研究了一系列GaP1-χNχ混晶的发光复合机制．GaP1-χNχ混晶的PL谱从低组分的NN对束缚激子及其声子伴线到高组分杂质带发光的特征，表现出明显的带隙降低的趋势．测量结果显示，在组分χ≥0．24％的样品的发光谱中NN1能量之下已经开始出现几个新的束缚态，在低组分的混晶中，只存在一种激活能，仍然保持有束缚激子的特征；而在高组分样品(χ≥0．81％)中存在两种激活能．高组分样品一方面仍保留有束缚激子的特征．另一方面也表现出新的发光机制．     

γ－谷氨酸甲酯－NCA与γ－谷氨酸苄酯－NCA共聚反应和竞聚率的测定

研究了以二氯乙酸为溶剂，三乙胺为引发剂，γ－谷氨酸甲酯－Ｎ羧基－α－氨基羧酐（ＭＬＧ－ＮＣＡ）与γ－谷氨酸苄酯－Ｎ羧基－α－氨基羧酐（ＢＬＧ－ＮＣＡ）的共聚反应．用１Ｈ－ＮＭＲ谱测定了共聚物中两种单体元的组成．利用Ｋｅｌｅｎ－Ｔｕｄｏｓ作图法和最小二乘法计算出两种单体竞聚率．结果表明ＭＬＧ－ＮＣＡ的竞聚率为，ｒ１＝０．９６０，ＢＬＧ－ＮＣＡ竞聚率为ｒ２＝０．７０４．     

静压下GaAs_(1-x)P_x:N(x≤0.88)中N等电子陷阱的束缚激子发光

通过研究77 K温度下不同组份的GxAs_(1-x)P_x:N(x≤0.88)的静压光致发光,在x=0.88的样品中首次观察到NH_3 的发光,压力使N_x谱带窄化及其LO声子伴线的黄昆因子变小等现象。结果表明,压力使得混晶无序效应减弱,加强了激子从N_x?NN_i的能量转移过程。     

GaP1-xNx混晶(x=O.2 4%～3.1%)发光复合机制的研究

利用变温光致发光(PL)谱研究了一系列GaP1-xNx混晶的发光复合机制.GaP1-xNx混晶的PL谱从低组分的NN对束缚激子及其声子伴线到高组分杂质带发光的特征,表现出明显的带隙降低的趋势.测量结果显示,在组分x≥0.24%的样品的发光谱中NN1能量之下已经开始出现几个新的束缚态,在低组分的混晶中,只存在一种激活能,仍然保持有束缚激子的特征;而在高组分样品(x≥0.81%)中存在两种激活能.高组分样品一方面仍保留有束缚激子的特征,另一方面也表现出新的发光机制.     

GaP_(1-x)N_x混晶(x=0.24%～3.1%)发光复合机制的研究

利用变温光致发光(PL)谱研究了一系列GaP1-xNx混晶的发光复合机制.GaP1-xNx混晶的PL谱从低组分的NN对束缚激子及其声子伴线到高组分杂质带发光的特征,表现出明显的带隙降低的趋势.测量结果显示,在组分x≥0.24%的样品的发光谱中NN1能量之下已经开始出现几个新的束缚态,在低组分的混晶中,只存在一种激活能,仍然保持有束缚激子的特征;而在高组分样品(x≥0.81%)中存在两种激活能.高组分样品一方面仍保留有束缚激子的特征,另一方面也表现出新的发光机制.     

A CLASS OF NONHOMOGENEOUS INVERSE RIEMANN BOUNDARY VALUE PROBLEM

ＡＣＬＡＳＳＯＦＮＯＮＨＯＭＯＧＥＮＥＯＵＳＩＮＶＥＲＳＥＲＩＥＭＡＮＮＢＯＵＮＤＡＲＹＶＡＬＵＥＰＲＯＢＬＥＭ￥ＬｉｕＳｈｉｑｉａｎｇ（刘士强）（ＮｉｎｇｘｉａＵｎｉｖｅｒｓｉｌｙ，Ｙｉｎｃｈｕａｎ７５００２１）０ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎＴｈｅｓｔ...     

MONTE-CARLO CALCULATIONS OF NUCLEON EMISSION AND ENERGY DEPOSITION OF SPALLATION NEUTRON SOURCES INDUCED BY INTERMEDIATE ENERGY PROTONS

ＭＯＮＴＥ┐ＣＡＲＬＯＣＡＬＣＵＬＡＴＩＯＮＳＯＦＮＵＣＬＥＯＮＥＭＩＳＳＩＯＮＡＮＤＥＮＥＲＧＹＤＥＰＯＳＩＴＩＯＮＯＦＳＰＡＬＬＡＴＩＯＮＮＥＵＴＲＯＮＳＯＵＲＣＥＳＩＮＤＵＣＥＤＢＹＩＮＴＥＲＭＥＤＩＡＴＥＥＮＥＲＧＹＰＲＯＴＯＮＳＳｈｅｎＱｉ...     

罐藏生装整桃护色研究(简报)

罐藏生装整桃护色研究（简报）朱向秋魏建梅（河北省农林科学院昌黎果树研究所，昌黎，０６６６００）ＰＲＥＬＩＭＩＮＡＲＹＳＴＵＤＹＯＮＣＯＬＯＲＰＲＥＳＥＲＶＩＮＧＯＦＣＡＮＮＥＤＲＡＷＡＮＤＷＨＯＬＥＰＥＡＣＨＺｈｕＸｉａｎｇｑｉｕＷｅｉＪｉａｎｍｅｉ...     

MOCVD制备GaAs／AlGaAs多量子阱的光致发光特性

对ＭＯＣＶＤ生长的ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ多量子阱结构进行了光致发光特性的测量。结果观察到三个发光峰；位于１．６６４ｅＶ处的峰是自由激子发光；峰值处于１．４８ｌｅＶ的发光是ＧａＡｓ中施主Ｓｉ（Ｇａ）原子上的电子向受主Ｓｉ（Ａｓ）跃迁引起的；而在１．５２９ｅＶ处的弱发光峰是ＧａＡｓ阱层中Ｓｉ（Ｇａ）原子上的电子与价带量子阱中基态重空穴复合形成的。     

绿丰收对小白菜生长及产量的影响(简报)

绿丰收对小白菜生长及产量的影响（简报）朱京涛１黄云祥２（１河北农业技术师范学院园艺系，２黄腐酸研究所，昌黎，０６６６００）ＴＨＥＩＮＦＬＵＥＮＣＥＯＦＬＵＦＥＮＧＳＨＯＵＯＮＴＨＥＧＲＯＷＴＨＡＮＤＹＩＥＬＤＯＦＳＭＡＬＬＣＨＩＮＥＳＥＣＡＢＢＡＧＥ...     

组胺丙球治愈1例泛发性湿疹

组胺丙球治愈１例泛发性湿疹万年（四川师范学院校医院，南充６３７００２）ＣＵＲＩＮＧＴＨＥＧＥＮＥＲＡＬＥＣＺＥＭＡＷＩＴＨＨＩＳＴＡＭＩＮＥＧＡＭＭＡＧＬＯＢＵＬＩＮＳ￥ＷａｎＮｉａｎ（ＣｏｌｌｅｇｅｇＨｏｓｐｉｔａｌ，ＳｉｃｈｕａｎＴｅａｃｈｅｒｓ...     

GaAs1—xPx：TeLED）中深能级及其对发光效率的影响

利用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）方法研究了不同发光效率的掺Ｔｅ的ＧａＡｓ１－ｘＰｘＬＥＤ中的深中心，探讨深能级对ＧａＡｓ１－ｘＰｘ：ＴｅＬＥＤ发光效率的影响，结果表明，发射率激活能力０．４０ｅＶ的Ｂ能级是影响发光效率的主要无幅射中心。     

n—Ga1—xAlxAs的电子喇曼散射,束缚声子和DX中心

观测到ｎ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ的束缚声子和电子喇曼散射．对ｎ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ进行喇曼散射实验，揭示了在低温光照条件和组分超过某临界值的合金半导体存在着有效质量型的浅施主能级，引起束缚声子和电子喇曼散射．在较高温度，此能级电子减少到由ＤＸ中心表征的施主深能级．实验结果证实了Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ的ｎ型杂质具有深－浅双稳特性．根据晶格动力论，浅释了Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ中施主的电荷态．