H3BO3掺杂量对Sr3Al2O6:Eu,Dy红色长余辉发光材料性能的影响

采用高温固相法制备了Sr3Al2O6:Eu2+, Dy3+红色长余辉发光材料,研究了H3BO3掺杂量对其性能的影响.利用X射线衍射仪对材料的物相进行了分析,结果表明,1 200℃下制备的不同H3BO3掺杂量样品的物相为Sr3Al2O6 ;采用荧光分光光度计、照度计测定了样品的发光特性,结果表明Sr3Al2O6:Eu2+,Dy3+的激发峰位于472 nm的宽带谱,发射峰为位于612 nm的宽带谱,对应于Eu2+的4f65d1→4f7的跃迁;H3BO3的加入在促进产物晶化的同时,还可改变进入晶格中的Eu、Dy离子的浓度,从而改善余辉特性.余辉测试表明,Sr2.95Al1.8O6:0.02Eu2+,0.03Dy3+,0.2B3+的余辉时间最长,可达620 s(≥1 mcd/m2).     

H3BO3对SrAl2O4:Eu2+、Dy3+、Nd3+长余辉发光材料性能的影响

为了讨论H1BO3对SrAl2O4：Eu^2＋、Dy^3＋、Nd^3＋长余辉发光材料性能的影响，寻找最佳的H2BO3摩尔分数，采用燃烧法以尿素为还原剂在600℃下制备了掺入Eu^2＋、Dy^3＋、Nd^3＋的SrAl2O4长余辉发光材料．研究了不同摩尔分数的H3BO3对磷光体晶体结构、发光光谱、初始亮度和余辉性能的影响．结果表明：随着H2BO3量的增加激发和发射光谱“蓝移”，硼酸的最佳摩尔分数为0．08．可见H2BO3的含量对SrAl2O3：Eu^2＋、Dy^3＋、Nd^3＋长余辉发光材料的光学性质有很重要的影响．     

掺杂离子对Y_2O_2S:Eu红色长余辉材料发光性能的影响

采用高温固相法制备了Y2O2S:Eu3+,Si4+,Zn2+红色长余辉发光材料。通过发射光谱、XRD、余辉衰减曲线和热释光谱的测量,研究了在Y2O2S:Eu体系中掺杂Si4+,Zn2+离子对荧光体的发光与长余辉特性的影响。结果表明,Si4+,Zn2+离子的掺杂不影响发射光谱和晶体结构,但显著地影响材料的长余辉特性。当Si4+,Zn2+离子摩尔含量为0.06mol,并且Zn2+和Si4+的摩尔比为1:1时,样品的发光亮度最高,而且它的余辉衰减时间也最长。根据实验结果,探讨了Y2O2S:Eu体系荧光体的长余辉发光机理.     

助熔剂H_3BO_3对绿色荧光粉SrAl_2O_4∶Eu~(2+)发光性能影响研究

以H3BO3为助熔剂,在1200℃、H2还原气氛下成功制备出绿色荧光粉SrAl2O4∶Eu2+,并研究了不同H3BO3含量对SrAl2O4∶Eu2+发光性能和余辉特性的影响,结果表明随着H3BO3含量的增加,样品的发射光谱发生了"蓝移"现象,并随B3+的掺入,Sr0.96Al2O4∶0.04Eu2+呈现出了长余辉特性,同时增强了样品的发光强度和余辉时间,最佳的H3BO3含量为15%,其余辉时间可以达到6h.     

红色荧光粉KGd(WO4)2:Sm3+的制备及发光性能

采用高温固相法合成KGd(WO4)2:Sm3+荧光粉,样品在近紫外区404nm光激发下发射出Sm3+的特征光谱.通过X射线粉末衍射、荧光光谱等对其进行了表征,并分析了其发光特性,结果表明:在KGd(WO4)2:Sm3+中Sm3+离子最佳的掺杂量为5%(摩尔分数);烧结温度为1 000℃、助熔剂H3BO3的浓度为2%(摩尔分数)时,样品的发光强度最强.     

助熔剂HaBO3对绿色荧光粉SrAl2O4：Eu^2＋发光性能影响研究

以H3BO3为助熔剂,在1200℃、H2还原气氛下成功制备出绿色荧光粉SrAl2O4：Eu^2＋,并研究了不同H3BO3含量对SrAl2O4：Eu^2＋发光性能和余辉特性的影响,结果表明随着H3BO3含量的增加,样品的发射光谱发生了“蓝移”现象,并随B^3＋的掺入,Sr0．96 A12O4：0.04Eu^2＋呈现出了长余辉特性,同时增强了样品的发光强度和余辉时间,最佳的H3BO3含量为15％,其余辉时间可以达到6h。     

红色长余辉发光材料CaTiO3：Pr^3＋的制备和发光性能研究

采用稀土直接掺杂工艺和高温固相法,制备出发光亮度较高、余辉性能较为优良的红色长余辉发光材料CaTiO3:Pr3+,并对其发光性能进行了研究.经光谱分析的结果发现,所制备的发光粉体其激发和发射光谱均为宽带光谱,CaTiO3:Pr3+属于Pr3+的发光,对应的激发峰λmax为323 nm;发射峰λmax为610 nm.该发光粉体的余辉衰减过程存在快速衰减和慢衰减两个过程,余辉时间为5 min.此外还考察了烧结温度、稀土掺杂量对此发光粉体发光性能的影响.     

共沉淀法合成CaMoO_4:Eu_(0.18)~(3+),B_(0.1)~(3+)红色荧光粉

采用共沉淀法制备了Eu3+、B3+共掺杂的白光LED用CaMoO4红色荧光粉,研究了不同Eu3+和B3+掺杂量对样品发光性能的影响。利用XRD和PL分别对样品的结构和发光性能进行了表征,结果表明:900°C灼烧3 h后得到CaMoO4纯相;荧光发射强度随Eu3+掺杂量的增加先增大后减小,在Eu3+掺杂量为0.18(物质的量分数)时达到最大值;随着B3+掺杂量的增加,CaMoO4:Eu03.+18,Bx3+的荧光发射强度逐渐增强,当B3+的掺杂量超过0.1时,样品的颗粒发生严重团聚。     

基质掺杂离子对(Y,Rn)_2O_2S∶Sm~(3 ),Ti~(4 ),Mg~(2 )(Rn=La,Gd,Lu,Ga,Al)红色长余辉材料余辉性能的影响

采用高温固相法制备了基质掺杂的(Y,Rn)_2O_2S∶Sm~(3 ),Ti~(4 ),Mg~(2 )(Rn=La,Gd,Lu,Ga,Al)红色长余辉材料,主峰均为4G5/2→6H7/2跃迁的红橙色光发射,不受基质掺杂的影响.余辉性能测试表明掺杂离子半径对余辉性能具有重要的影响:单掺时,与Y3 半径相近并略小时样品的余辉时间有正增长;双离子共掺时均为小半径的掺杂对余辉性能有显著的提高,其中之一半径较大时即具有负效应.并对可能存在的机理进行了初步探讨.     

Zn_2SiO_4∶Ga蓝紫色长余辉的发光特性

在高温下合成了Zn2SiO4长余辉发光材料;对掺杂Ga后的Zn2SiO4长余辉发光材料的激发光谱、发射光谱、余辉光谱以及衰减曲线进行分析,指出该材料基质中氧缺陷能级和锌缺陷能级是材料的发光中心;掺杂Ga后的GaZn能级能吸收光子,同时能储存电子,停止激发后,储存的电子缓慢释放,从而产生长余辉发光;同时分析了不同Ga掺杂质量分数对发光强度的影响,指出掺杂质量分数为2%时的发光效果最好;并提出了一个材料发光及长余辉发光模型.     

不同基质和稀土含量对SrAl2O4:Eu2+,Dy3+材料余辉特性的影响

用高温固相法在还原气氛中制备了SrAl2O4:Eu2+,Dy3+长余辉发光材料,测得了其晶体结构、激发光谱和发射光谱.在所知的最佳激发条件下,给材料以一定的辐照剂量后,测得了不同基质浓度、不同稀土掺杂浓度时的热释光谱,并计算了相应的陷阱能级深度.结合不同样品的余辉衰减曲线和热释光曲线进行分析,发现Dy+掺入量的变化对材料的余辉性能影响很大,而作为基质的铝离子,其浓度在一定范围内的变化对材料的余辉性能影响不大.这与Matsuzawa等人所提出的该材料的余辉机理模型相符.     

基质掺杂离子对(Y,Rn)2O2S:Sm3+,Ti4+,Mg2+(Rn=La,Gd,Lu,Ga,Al)红色长余辉材料余辉性能的影响

采用高温固相法制备了基质掺杂的(Y,Rn)2O2S:Sm3 ,Ti4 ,Mg2 (Rn=La,Gd,Lu,Ga,Al)红色长余辉材料,主峰均为4G5/2→6H7/2跃迁的红橙色光发射,不受基质掺杂的影响.余辉性能测试表明掺杂离子半径对余辉性能具有重要的影响:单掺时,与Y3 半径相近并略小时样品的余辉时间有正增长;双离子共掺时均为小半径的掺杂对余辉性能有显著的提高,其中之一半径较大时即具有负效应.并对可能存在的机理进行了初步探讨.     

B2O3含量对硼铝锶长余辉发光玻璃陶瓷性能的影响

采用高温熔融法一次成型制得了一种高亮度硼铝锶长余辉发光玻璃陶瓷.研究了B2O3含量对Eu2 ,Dy2 共掺杂硼铝锶长余辉发光玻璃陶瓷晶相组成和发光性能的影响.XRD结果表明:随着B2O3含量增加,样品中SrAl2O4相减少,SrAl2B2O7等杂相增加,从而发光性能降低.样品的激发光谱和发射光谱显示:长余辉发光玻璃陶瓷的激发峰位于370 nm,发射峰位于520 nm,归属于Eu2 的5d→8S7/2特征发光;改变B2O3含量并不会改变样品的激发峰位和发射峰位.增加B2O3含量,降低熔点,发光亮度也降低,余辉时间缩短.B2O3的摩尔百分含量为18.53%时各项性能最佳,初始亮度可达16 cd/m2,激发停止330 min时仍能达到7.96 med/m2,余辉时间长达50h.     

ZnO-P_2O_5:Tb~(3 )长余辉玻璃／玻璃陶瓷的发光性质

通过高温熔融法制备了Tb3 离子掺杂的磷酸锌玻璃/玻璃陶瓷,并观察到在254 nm紫外光激发后有绿色长余辉发光现象。通过激发与发射光谱、余辉光谱、热释光谱等得到的信息,研究了Tb3 离子掺杂的磷酸锌玻璃/玻璃陶瓷的发光性质。     

Ti4+的掺入对Y2O2S:Eu3+,Mg2+,Ti4+陷阱分布和余辉性能的影响

用高温固相法制备了不同Ti4+掺杂量的红色长余辉材料Y2O2S:Eu3+,Mg2+,Ti4+,其X射线衍射分析、发射光谱和激发光谱均不受Ti4+掺杂量改变的影响.测量了Ti4+掺杂量不同的样品的热释光谱,随着Ti4+掺杂量的增加,热释光的峰值强度先增强后减弱,有了很大的变化;用PeakFit软件以一般阶动力学模型对Ti与Y2O2S的物质的量比分别为0.5%,2.5%和8.0%的样品进行了热释光曲线拟合,得出了它的单峰曲线并计算了与其对应的陷阱参数.陷阱分布表明:当Ti掺杂量为2.5%时,有利于合适深度陷阱的大量形成,从而使材料的发光和余辉性能得到了很大的提高.     

CaTiO3:Pr3 红色磷光体余辉性能的改进

采用高温固相法制备了CaTiO3:Pr3 ,X3 (X3 ＝Gd3 ,Dy3 ,Tb3 ,Eu3 )红色长余辉发光材料,对其余辉衰减曲线、激发光谱、发射光谱和X射线衍射谱进行了测试与分析讨论.就余辉衰减曲线来看,除Gd3 外,其余3种离子对余辉性能均有一定程度的改善.激发光谱为一宽带谱,共掺杂后主、次激发峰发生红移,在458,478,482 nm和496 nm处的激发光谱强度大大增强.发射光谱是峰值位于614 nm的窄带谱,对应于Pr3 的1D2-3H4的跃迁发射.X射线粉末衍射的结果表明该磷光体为CaTiO3结构,共掺杂的稀土离子并未对基质晶格产生较大影响.     

长余辉发光材料Zn_2SiO_4:Dy~(3+)的制备及发光性能

以Zn2SiO4为基质，用高温固相法（ss），sol-gel法（sg）制备得到Zn2SiO4：Dy^3＋长余辉发光材料，该发光材料的制备及长余辉发光性能至今尚未见到文献报道．由该发光材料的激发谱发现，其在紫外的235-350nm范围有吸收，其发射光谱表明，在紫光（378nm，393nm）、橙光（595nm）、红光（691nm）部位有发射峰．通过对比掺杂与未掺杂样品发射光谱，说明样品发光是由基质Zn2SiO4产生的，Dy^3＋的掺杂只是使材料形成了陷阱能级进而发出长余辉，还阐述了Zn2SiO4：Dy^3＋的可能发光机理．     

Zn2SiO4:Ga蓝紫色长余辉的发光特性

在高温下合成了Zn2SiO4长余辉发光材料；对掺杂Ga后的Zn2SiO4长余辉发光材料的激发光谱、发射光谱、余辉光谱以及衰减曲线进行分析，指出该材料基质中氧缺陷能级和锌缺陷能级是材料的发光中心；掺杂Ga后的GaZn能级能吸收光子，同时能储存电子，停止激发后，储存的电子缓慢释放，从而产生长余辉发光；同时分析了不同Ga掺杂质量分数对发光强度的影响，指出掺杂质量分数为2％时的发光效果最好；并提出了一个材料发光及长余辉发光模型．     

硼掺杂对SrAl2O4:Eu,Dy长余辉发光材料合成温度及性能的影响

采用固相法合成了系列掺硼SrAl2O4:Eu,Dy长余辉发光材料。通过测试分析合成粉体的物相组成、激发光谱、发射光谱和余辉时间,研究了硼掺杂对SrAl2O4:Eu,Dy长余辉发光材料合成温度与发光性能的影响。实验结果表明,添加硼一方面做为助熔剂可以降低合成温度,另一方面当硼摩尔分数小于30%时,增加硼含量可以延长余辉时间,但硼含量的变化对激发和发射光谱峰值没有明显影响。     

共沉淀法合成CaMoO4:Eu3+0.18,B3+0.1红色荧光粉

采用共沉淀法制备了Eu3+、B3+共掺杂的白光LED用CaMoO4红色荧光粉,研究了不同Eu3+和B3+掺杂量对样品发光性能的影响.利用XRD和PL分别对样品的结构和发光性能进行了表征,结果表明:900℃灼烧3 h后得到CaMoO4纯相;荧光发射强度随Eu3+掺杂量的增加先增大后减小,在Eu3+掺杂量为0.18(物质的量分数)时达到最大值;随着B3+掺杂量的增加,CaMoO4:Eu3+0.18,B3+x的荧光发射强度逐渐增强,当B3+的掺杂量超过0.1时,样品的颗粒发生严重团聚.