电子辐照高阻NTD硅中缺陷的退火特性

本文研究了高阻（８０－１１０Ω．ｃｍ）ＮＴＤ－ＦＺ－Ｓｉ－Ｐ＾＋ｎ结中经电子辐照缺陷态在真空条件下的等时,等温退火特性,获得了５个缺陷能级,结果表明其中,Ｅ３,Ｅ４,能级是主要的复合中心。     

BSF硅太阳电池重离子辐照的深能级瞬态谱

对ＢＳＦ硅太阳电池受碳,氧离子辐照前后的深能级瞬态谱进行了研究,结果表明碳,氧离子在硅太阳电池中引入的缺限能级非常相似,都观察到了Ｅ１,Ｅ２,Ｅ３,Ｈ１,Ｈ２５个峰,其中氧离子注量超过４×１０＾１２ｃｍ＾－２时,Ｅ２能级消失,根据能级的性质初步推断了这些能级所对应的缺陷类型。     

电子辐照NTD FZ Si等温退火特性

本文报导了关于高阻Ｎ型区熔ＮＴＤ－Ｓｉ－Ｐ＾＋Ｎ结二极管经电子辐照后的等温退火特性，获得５个缺陷能级：Ｅ１＝０．１６ｅＶ，Ｅ２＝０。．２７ｅＶ，Ｅ３＝０．３１ｅＶ，Ｅ４＝０．３７ｅＶ６和Ｅ５＝０．４２ｅＶ，结果表明Ｅ３和Ｒ４有比其它３个能极更好的热稳定性。     

热处理对电子辐照硅中多稳态缺陷的影响

利用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）对电子辐照区熔硅中多稳态缺陷进行研究的结果表明，经２ｈ１０００℃温度退火后，观测到在Ｅｃ－０．４４ｅＶ能级中的多稳组态由４０％减少到１０％左右。这一实验结果为稳态缺陷不是Ｐｓ－Ｃｉ结构，而是Ｅ中心自身在晶场应力下显示稳态特性的设相提供了有说服力的证明。     

二极管电子辐射效应的研究

利用电子辐照小功率二极管的研究结果表明，电子辐射可引起硅中少子寿命降低，二极管正向压降增加和零偏电容减少；还可引入三个缺陷能级：氧空位Ｅ１（Ｅｃ－０．１７ｅＶ）、双空位Ｅ２（Ｅｃ－０．２３ｅＶ）和Ｅ３（Ｅｃ－０．３９ｅＶ）。讨论了小功率二极管辐照后反恢时间下正向压降的兼容性。认为减少功率二极管的基区宽度是改善兼容性的有效方法。     

硅二极管脉冲中子辐照效应的研究

对加固Ｐ＾＋ｎｎ＾＋高压整流二极管进行了脉冲中子辐照和热中子辐照。ＤＬＴＳ测量表明，脉冲中子辐照（Φｎ＝８．６×１０＾１３ｎ／ｃｍ＾２）在硅中引入的缺陷主要是双空位Ｅ４和Ｅ２缺陷，氧空位和双空位Ｅ２（Ｖ＾＝２）缺陷强度很低。氧空位密度的降低可归因于辐照缺陷的衰减和再构。脉冲中子辐照引起Ｆｒｅｎｋｅｌ对成份的增加，增加的空位密度致使复杂络合物，例如（Ｏ＋Ｖ２）或（Ｏ＋Ｖ３）缺陷的有效产生。实验结果还     

Hg_（1－x）Cd_xTe近红外光伏探测器的深能级

用深能级瞬态谱及光电容谱方法，研究了１．５５μｍ近红外波段的Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ光伏探测器的深能级缺陷．结果表明，探测器中存在位于禁带中央附近的两个施主深能级．它们可能来源于ＨｇＣｄＴｅ材料中的本征缺陷，例如Ｈｇ间隙缺陷Ｈｇ１及Ｔｅ反位缺陷ＴｅＨｇ．     

Hg1—xCdxTe近红外光伏探测器的深能级

用深能级瞬态谱及光电容谱方法，研究了１．５５μｍ近红外波段的Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ光伏探测器的深能级缺陷。结果表明，探测器中存在于禁带中央附近的两个施主深级。它们可能来源于ＨｇＣｄＴｅ材料中的本征缺陷，例如Ｈｇ间隙Ｈｇ１及Ｔｅ反位缺陷ＴｅＨｇ。     

多孔硅电学性质的初步研究

采用电化学方法制备多孔硅材料，形成了Ａｌ／多孔硅／单晶硅的样品结构．Ⅰ－Ⅴ特性测量表明这一结构呈现出良好的整流特性，并观察了Ⅰ－Ⅴ特性随温度变化的关系．在多孔硅层（ＰＳＬ）电导率σｓ和深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）的测量中发现：多孔硅的禁带中可能存在大量的缺陷态，它们将显著影响多孔硅的电学特性．     

孔隙率对氧化锌/多孔硅光致发光的影响

用电化学方法制备不同孔隙率的多孔硅,然后用脉冲激光沉积的方法,以多孔硅为衬底生长氧化锌(ZnO)薄膜,研究多孔硅的孔隙率对ZnO薄膜的质量和光致发光谱的影响,用X射线衍射仪和扫描电子显微镜表征ZnO薄膜的结构性质.结果表明,当多孔硅的孔隙率较大时,沉积的ZnO薄膜为非晶结构.沉积上ZnO薄膜之后,多孔硅的发光谱蓝移,由于ZnO薄膜缺陷较多,其深能级发光较强.ZnO的深能级发光与多孔硅的橙红光相叠加,得到了可见光区宽的光致发光带,呈现白光发射.     

深能级瞬态分析法研究纳米氧化锌的绿光发光机制

目的 研究纳米氧化锌的绿光发光机制.方法 深能级瞬态分析法.在实验设计中.根据衬底和薄膜的性质,利用示波器、纯电阻箱、信号源等简单的实验设备.在理论计算方面,用Matlab语言编程计算得到缺陷能级.结果 实验精度较高;缺陷能级距导带1.62 eV,这个能量差值恰和孙玉明在ZnO缺陷能级计算的博士论文中氧空位缺陷能级相符.结论 绿光发射是电子由导带到氧空位缺陷能级的跃迁所致.     

二维氢原子能级的精细结构

对于二维氢原子，其狄拉克方程中不出现ｘ３，对于因ｘ３隐退而简化了的狄拉克代数可取二维表示，于是严格求得能级的精加结构：Ｅ＝μ／，１＋Ｚ２ａ２／（ｖ＋ｎｐ）２将二维和三维氢原子的能级作比较，可见维度降低导致相应能级降低而能级间隔增大．     

GaP中电子辐照产生的深能级

用DLTS与缺陷退火的方法研究了室温下1MeV电子辐照后n-GaP中的深能级,发现辐照后n-GaP中出现六个电子能级E_1-E_6和三个空穴能级H_1-H_2。等时和等温退火实验表明,除E_6、H_2、H_3能级外,其余能级在实验到达的退火温度583k以内,都先后分组消失。从各能级的退火特性,分析其退火动力学,推断其所属的退火机制,并对各能级所代表的缺陷形态作出合理的辨认。     

硅提纯的热力学基础

随着光伏产业的发展，硅作为生产晶体硅片太阳电池的基础材料，其应用已经超过了90％。从热力学基础对提纯硅的冶金过程进行讨论，其中包括酸浸、真空精炼和定向凝固，并基于热力学相图对这一过程的可行性进行了讨论。除此之外，通过金相分析对过程可行性进行证明。目的在于寻找一种区别于西门子法的低成本的生产太阳能级硅的工艺过程。     

二价硅离子2snp^1P1序列能级的辐射寿命

考虑了二价硅离子双激发干扰态３ｐ４ｓ＾１Ｐ１和３ｐ３ｄ＾１Ｐ１对３ｓｎｐ＾１Ｐ１Ｒｙｄｂｅｒｇ序列能级的强组态相互作用，用多组态ＨＲＦ自洽场方法计算了ＳｉⅢ离子３ｓｎｐ＾１Ｐ１序列能级的辐射寿命。计算结果表明该序列能级寿命随主量数ｎ呈现非规则变化。     

二价硅离子3snp~1P_1序列能级的辐射寿命

考虑了二价硅离子双激发干扰态３ｐ４ｓ１ｐ１和３ｐ３ｄ１ｐ１对３ｓｎｐ１Ｐ１Ｒｙｄｂｅｒｇ序列能级的强组态相互作用，用多组态ＨＦＲ自洽场方法计算了ＳｉⅢ离子３ｓｎｐ１Ｐ１（ｎ＝３～７）序列能级的辐射寿命。计算结果表明该序列能级寿命随主量数ｎ呈现非规则变化。对其原因进行了讨论，并将结果与已有的实验和理论计算结果进行了比较。     

用量子力学方法计算半导体硅中某些深能级

采用了复合体模型，对常温下硅中金引入的深能级进行了理论上的计算，给出了相应的哈密顿算符，利用区域变分法计算，计算结果与实验测量数据符合较好。     

a-SiO_xN_y薄膜的红光发射能级

在ＰＥＣＶＤ法制备的ａ－ＳｉＯｘＮｙ薄膜中首次观察到分立能级的红光发射,采用荧光激发谱研究了发光能级与其它能级之间的相互关系,建立了产生光跃迁的能级模型．     

硅中氢致缺陷和微缺陷氢沉淀的消除及其应用

氢气氛下区熔拉制的鼓棱无位错硅单晶，原生晶体经化学腐蚀，观察不到缺陷，包括微缺陷。但当块状热处理后，经腐蚀常常观察到尺度ｍｍ数量级的氢致缺陷（　型缺陷、麻坑）和微缺陷氢沉淀。为了消除这些缺陷，原生单晶需片状供应，片厚应小于１ｍｍ，或中照后的区熔（氢）硅单晶，片状，９４０℃、０．５ｈ退火，均能消除之。在电力电子器件的应用中，管芯等级合格率可保持在８０％以上     

AsCl_3/Ga/H_2系统GaAs外延片的高分辨率深能级瞬态谱研究

用 AsCl_3/Ga/H_2气相外延系统在 GaAs 衬底上生长出GaAs 外延层并制成 Au-GaAs 肖特基结构.利用高分辨率深能级瞬态谱(HDDLTS)仪研究了外延层中深能级的特性.结果表明,缺陷和杂质在外延层中引进若干较高浓度的深能级,经退火后缺陷深能级会被消除.