微波等离子体CVD金刚石薄膜的显微结构

用扫描电镜（ＳＥＭ）和透射电镜（ＴＥＭ）对６种微波等离子体ＣＶＤ金刚石薄膜的表面形貌和显微结构进行了研究，结果表明：在金刚石晶粒长大过程中，（１１１）面方向长大时产生密度很高的微挛晶缺陷，而（１００）面方向长大时产生的晶体缺陷较少。     

C60在再构的金刚石（100）表面沉积的计算机模拟研究

用分子动力学模拟的方法和Ｔｅｒｓｏｆｆ多体势函数对低能入射的Ｃ６０分子在再构的金刚石表面沉积的过程进行模拟研究。以Ｃ６０初始入射能量为３０ｅＶ和６０ｅＶ垂直于表面入射时，入射的Ｃ６０分子没有多金刚石表面反弹出来，而是与金刚石表面相互吸引而导致Ｃ６０分子沉积在金刚石的表面。     

衬底温度对合成金刚石薄膜的影响

本文利用热丝化学气相沉积方法对不同温度下生长的金刚石薄膜样品进行了表征分析。通过扫描电镜照片分析,从成核理论方面得出了金刚石薄膜生长的最优化温度。     

镜面抛光硅衬底上金刚石薄膜的生长

在镜面抛光硅衬底上加负偏压,利用微波等离子体化学气相沉积方法生长金刚石薄膜．通过改变偏压成核阶段的不同条件制备出一系列样品,与直接在镜面抛光硅衬底上不加偏压直接生长的金刚石膜相比,成核密度明显提高,可达4×109cm－2。     

真空升华条件对C60／C700薄膜成份的影响

通过热重分析测定Ｃ６０／７０混合物的明显升华起始温度约为６００℃。在高真空（１０＾－３Ｐａ）中加热Ｃ６０／Ｃ７０混合物使其升华，在ＫＢｒ晶体上形成薄膜，对不同升华条件下所得薄膜的傅里叶变换红光谱进行比较，得出了薄膜成分变化规律，发现６００℃加热混合物足够长时间，能去除混合物中低碳素富勒烯杂质，再恒温７００℃升华混合，薄膜主要由Ｃ６０组成。     

MPCVD金刚石薄膜形核率研究

本文对ＭＰＣＶＤ金刚石薄膜的成核过程进行了研究，详细描述了金刚石晶粒成核的微观过程，给出了单晶硅（１００）基片上金刚石薄膜的成核密度随时间的变化曲线     

浅论气体压强对金刚石薄膜质量的影响

以甲烷、氢气做为气源,利用微波等离子气相沉积的方法在硅片上沉积金刚石薄膜。研究了不同压强对金刚石薄膜质量的影响。结果表明当气氛压强为9KPa时可获得高质量的金刚石薄膜。     

类金刚石薄膜和金刚石薄膜的制备

本文介绍了类金刚石薄膜和金刚石薄膜的制备原理和4种方法,同时指出了它们的应用前景。     

衬底温度对纳米硅薄膜结构性能的影响

在等离子体化学气相沉积系统中采用高氢稀释硅烷蚀刻法制备了纳米硅薄膜。系统地研究了衬底温度对ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ薄膜的结构性能的影响。结构表明随着衬底温度从２４０℃升高到３２０℃，薄膜的晶态率从２４％增大为６５％，平均晶粒尺寸从６ｎｍ增大为１０ｎｍ。当衬底温度≤２００℃时，生成薄膜为ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜。文中还对纳米硅薄膜的晶化机制进行了讨论。     

C60溶液,孤立分子及薄膜形态电子态结构分析

系统地给出了Ｃ６０在固态薄膜及不同有机溶液形态下的常规吸收光谱和三同商吸收光谱,确定了各相关光学跃迁能量,并通过对可见区电子－－振动光谱结构的指认分析,给出了有机溶液形态下Ｃ６０的能隙,基于Ｍａｘｗｅｌｌ－Ｇａｒｎｅｔｔ有效介质模型理论,由不同有机溶剂形态下Ｃ６０电子态能级结构参数外推获得了Ｃ６０孤立分子的本征电子态能级结构参数,从而为详细了解和研究Ｃ６０分子不同形态下电子态结构的变化提供了较完整     

新型的具有电开关特性的含C60复合薄膜

利用真空双源同时蒸发法制备了新型Ｃ６０－１，４－ｂｉｓ（－１，１－ｄｉｃｙａｎｏｖｉｎｙｌ）ｂｅｎｚｅｎｅ（ＢＤＣＢ）复合薄膜。用高分辨扫描电镜和Ｘ－射线衍射仪分析了ＢＤＣＢ－Ｃ６０复合薄膜的表面形貌和结构特性，结果表明ＢＤＣＢ－Ｃ６０复合薄膜是一种不同于纯Ｃ６０薄膜和纯ＢＤＣＢ薄膜的结构相。Ａｇ／ＢＤＣＢ－Ｃ６０／Ａｇ的拓明治型结构具有电学双稳态现象和记忆特性。     

C60粉末的晶体聚合层探讨

Ｃ６０单晶制备中，粉末总有残留，且粉末表面生成了晶体聚合层。初步探讨认为，粉末残留是与单晶生长缓慢，粉末没有机会完全升华直接相关的；粉末表面形成的晶体壳层是降温时管内Ｃ６０蒸气分子回流凝结在粉末表面形成的。     

聚脂膜衬底上的类金刚石薄膜

X光电子能谱和硬度分析测试表明:利用MEVVA离子注入机在聚脂膜(PET)表面注入或沉积C,可形成类金刚石(DLC)薄膜.根据C1s XPS谱可直接计算出DLC中sp3键所占比例.沉积法生长的DLC中sp3键所占比例明显高于注入法.与衬底PET相比,表面薄膜硬度提高了1个量级,大大改善了PET的性质.对DLC膜中的碳氧化合物污染进行了讨论.     

梯度过渡层对TiC薄膜中残余应力影响的研究

用平行光束掠射法（ＧＩＸＤ）测定了磁控溅射ＴｉＣ（Ａｌ基体）膜中的残余应力，比较了不同厚度的梯度过渡层对残余应力的影响。     

基体预处理方式对合成类金刚石薄膜的影响

研究了不同的钛基体预处理方式对先驱聚合物合成类金刚石薄膜的影响,结果表明8字形研磨和平行研磨方式处理的基体上都长出了类金刚石薄膜,但是其表面形貌有很大的差别,平行研磨方式处理基体表面所引入的缺陷有利于金刚石相形成：引入中间过渡层镍Ni,可以增强薄膜与不锈钢基体的结合力,有利于金刚石的生成,XRD谱中可以看到弱的金刚石衍射峰;讨论了类金刚石薄膜中金刚石晶体生长的机制。     

衬底温度对掺杂硅基薄膜结构的影响

采用双离子束溅射沉积法制备的掺杂硅基Si-SiO2和Al-Si-SiO2薄膜,实验中通过改变基片温度获得不同条件下的样品.测试发现,当基片温度低于450℃时,两种薄膜的XRD谱图中并未有明显的晶态峰存在,说明薄膜中并未形成晶态结构,样品的选区电子衍射花样的TEM测试结果也证明如此;当基片温度高于450℃时,XRD谱图中才呈现出几个微弱的晶态峰,说明薄膜中可能有Si或A1的晶粒出现.样品的XPS测试结果表明,Si-SiO2薄膜在温度较低时表现为欠氧富硅的结构SiOx(x ＜2),薄膜中的Si主要是以氧化物的形式存在,当基片温度高于450℃时,根据Si的XPS特征峰的硅双峰结构能够确定薄膜中的硅形成了较显著的硅的原子团簇.而对于Al-Si-SiO2薄膜,Al主要是以单质铝的形式存在,Si是以氧化物的形式存在,实验中可以通过改变靶材中铝片的面积大小,改变薄膜中的铝和硅的含量.     

硅衬底SrTiO3薄膜的热敏特性

利用氩离子束镀膜技术在SiO2/Si衬底上淀积钛酸锶（SrTiO3）膜,并制成平面型电阻器。结果表明：在实验温区（28～150℃）内,SrTiO3薄膜具有负温度系数电阻特性,且热敏牧场生比较明显,在室温30℃时,温度系数α达－2．15％℃^-1。建立热敏电阻－电容器并联模型,分析了频率对不同温度下薄膜电阻器阻拢的影响。在实验温区内,SrTiO3薄膜的介电常数具有较好的热稳定性。     

重掺衬底/轻掺硅外延层制备工艺研究

轻掺硅外延层/重掺衬底的过渡层结构、厚度均匀性、电阻率均匀性等关键参数与所制器件的性能密切相关.通常基于重掺衬底的轻掺硅外延层,电阻率比厚度数值至少会低一个数量级,可以有足够的反应时间攀升到稳定轻掺态.但在光电探测应用领域,所需外延层电阻率高于厚度数值2倍以上,并且要求电阻率、厚度参数控制精确,均匀性好、过渡层窄,晶格...