S缺陷对单层MoS_2的电子结构和光学性质影响

研究S缺陷对单层MoS_2的电子结构和光学性质影响,采用密度泛函理论框架下的平面波超软赝势方法,计算了存在S缺陷的单层MoS_2能带结构、态密度和光学性质。计算结果显示单层MoS_2具有直接带隙结构,禁带宽度为1.765eV。S缺陷导致禁带中引入缺陷能级使带隙宽度减小,电子跃迁强度增加;S点缺陷使单层MoS_2的吸收率和反射率均有不同程度的降低,而S线缺陷使下降程度进一步加剧。在能量为8.93eV时,S缺陷对单层MoS_2的光学性质影响极低,对139nm波长的紫外光具有高透光率,成为制备紫外光光电子器件的优良材料。     

电介质/反铁磁/金属三明治结构的克尔效应

采用传输矩阵法计算了电介质/反铁磁/金属三明治结构的反射率和克尔旋转角.研究结果表明:在共振频率附近,三明治结构的克尔旋转角高达3.23 deg/μm,比单层反铁磁薄膜的克尔旋转角增大了12倍多,相应的电磁波反射率也在50%左右.三明治结构中不同的电介质对克尔效应也会产生影响.文中分别采用ZnF_2和SiO_2作为电介质层,研究结果表明ZnF_2作为电介质层的三明治结构,克尔效应更加显著.最后讨论了三明治结构的克尔旋转角随着入射电磁波频率和外场变化的规律.     

半导体激光器端面反射率的优化

本文从半导体激光器的速率方程组出发,分析了半导体激光器端面反射率的变化对其输出光功率的关系。数值计算表明,在对半导体激光器端面反射率进行优化后,能够获得最佳输出功率。此外,还分析了端面反射率优化后对半导体激光器微分功率特性的影响。     

玻璃介面上的能流反射率与透射光的偏振度

根据菲涅耳公式较为详细地计算了玻璃介面上的能流反射率和透射光的偏振度与入射角的关系。并由此分析了光能流的反射对透射光偏振度的影响。     

基于第一性原理对Cr_2AlC和Ti_2SnC光学性质的研究

采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,通过Materials Studio 5.5 CASTEP计算软件,对三元层状陶瓷211相中的Cr_2AlC和Ti_2SnC的光学性质进行计算分析.通过Cr_2AlC和Ti_2SnC的复介电常数和反射率的计算,从电子结构角度分析了它们光学性质的共性.二者在可见光区反射率较小,可知它们在可见光区具有良好的热稳定性,结合它们自身具有的高电导率,预测其可以作为良好的导电复合材料第二相添加剂;在紫外光区反射率相对较大,预测其可以作为潜在的防紫外线涂层材料.     

压力对金属化合物Mg_2Si光学性能影响的第一性原理研究

本文采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,研究了压力对Mg_2Si光学性质的影响。计算结果表明,0GPa压力环境下,其晶格参数与试验值吻合较好。同时,进一步计算分析了在0～40GPa高压作用下Mg_2Si的折射率、反射率、吸收系数、能量损失函数和光电导率的变化情况。结果表明,压力可以有效调制Mg_2Si的电子结构并改变其光学性能。     

电子交换作用对BCS理论的影响(1)

本文利用Kim的Hamiltonian具体讨论了V,Al金属中交换作用对BCS理论的影响.计算结果表明,其影响相当可观.     

基于石墨烯条带的窄带中红外可调吸收超表面

设计了一种具有电介质-电介质-电介质(DDD)三层结构的超窄带吸收器,该结构顶层和中层电介质被石墨烯条带和金属图层隔开.模拟结果表明,该吸收体在51.8 THz附近具有高的吸收率,石墨烯条的费米能从0eV改变为0.8eV,吸收率将从80%降到40%,并且吸收带宽从8.99nm变化到6.07nm.根据频谱操纵机制,可以通过改变各电介质层的厚度来调节共振频率和吸收带宽.此外,吸收体共振频率随入射角变化.研究结果在光学滤波器和生物化学传感方面提供潜在的应用.     

覆盖铝的不连续锡膜结构及光学性质研究

该文研究了不连续锡膜上覆盖铝膜的光学性质.发现覆盖铝对不连续锡膜的光学性质影响很大,增强了可见光区的光谱选择吸收和红外反射率.不连续锡膜的填隙因子对这种膜系的光学性质影响较大.应用所建立的结构模型和Maxwell-Garnett理论,计算了这种双层结构膜的反射曲线,结果与实验基本相符.这种膜系具有各种美丽的反射色,有可能作为新型的建筑、灯具、室内等装饰用的镜面材料.     

真空紫外薄膜光学常数的多约束非线性方程组计算

本文推导出目标函数的导数公式，改进了利用“多约束非线性方程组”计算真空紫外光学常数的方法，我们自编了ＶＵＶ－ＲＯＣＰ微机软件，可由真空紫外反射率求出真空紫外薄膜光学常数和入射光的偏振度。运用该软件对不同工艺的Ａｕ、Ｐｔ、Ａｌ样品的反射率进行解析，得到了它们的真空紫外薄膜光学常数，并与国外报道的结果进行了比较。     

开路型微波陶瓷介电参数测试的研究

介绍平行板开路型介质谐振器样品相对介电常数与介质损耗的测试技术,结合所用仪器的实验测量误差,分析在相关参量不确定度下介电参数的误差理论,通过实验可知：开路型方式对品质因数的测量较短路法尤为精确,为进一步批量快速测试提供保证.     

基于微扰的微波陶瓷介质损耗测试研究

基于经典微扰理论,以平行板开路型介质谐振器为研究对象,阐述介质谐振器与材料介电参数的内在联系,利用计算机控制网络分析仪进行自动测试.结果表明：融入微扰法的思想,测试得到的介质损耗角正切值比用近似方法所得值更加准确.对于低介质损耗材料的测试,不能忽略系统传导损耗的影响,进一步说明理论分析与实验的一致性,为研究使用微波介质陶瓷提供参考.     

微波复数介电常数虚部ε″测量方法的研究

通过对现有介电常数实验方法的改进,并结合单片机对实验进行自动控制及数据的采集、处理、解决了反射式速调管微波源输出功率、频率不稳及现有实验测量仪器分辨率低等因素对测量微波复数介电常数虚部ε″的影响,提高了ε″的测量精度。     

管式臭氧发生元件的分类与特性分析

根据臭氧产业的现状以及发展趋势,对介质阻挡放电管式臭氧发生元件进行了分类,分析了管式元件采用不同结构、不同介电体时对臭氧产生的影响.通过比较不同管式元件的优缺点,对其未来的发展方向进行了展望.     

用变分法计算介质覆盖微带线的特征阻抗和有效介电常数

本文介绍了采用变分法计算介质覆盖微带线的特性阻抗和有效介电常数的方法．计算结果与文献中的实测值一致．     

高电场下固体电介质中陷阱捕获电子动力学

阐述了采用表面电位测试技术研究固体电介质中陷阱捕获电荷载流子的可能性,并利用它分析在高电场作用下电子填充陷阱的动力学特性.根据电场注入载流子机理的不同,作者分别考虑了热发射和碰撞电离脱阱起作用下的一级捕获动力学方程.新的方程能定性地解释在电场作用下介质中陷阱捕获电子的时间特性,该方程的稳态值表示高电场下陷阱捕获电荷量随电场的变化.经实验研究指出,在电场大于1.5×10~8V/m时,介质中陷阱捕获电子数随电场的增强而迅速下降,这是由于自由电子与陷阱中电子发生碰撞电离脱阱的结果,一旦这种碰撞电离脱阱达到一定程度时,介质便发生电击穿.     

氧化铝陶瓷／金刚石膜复合材料的表征及介电性质研究

采用ＭＰＣＶＤ和ＨＦＣＶＤ在氧化铝陶瓷基片上沉积金刚石薄膜,用抛电镜,Ｘ躬一衍射和Ｒａｍａｎ散射分析表征了沉积膜的质量,并测这和分析了氧化铝／铝金刚石膜复合材料的介电性质。     

溶胶-凝胶法制备0．85Pb（Mg1／3Nb2／3）O3—0．15PbTiO3铁电陶瓷及其性能研究

以无机盐和氧化物为原料,柠檬酸和乙二胺四乙酸（EDTA）为复合螯合剂,乙二醇为溶剂,采用溶胶-凝胶法制备了0．85Pb（Mg1／3Nb2／3）O3-0．15PbTiO3（PMN—PT）铁电陶瓷粉体及其烧结体．并通过XRD和SEM分析了PMN—PT钙钛矿相的形成和烧结体的显微结构．讨论了不同烧结温度对陶瓷显微结构、介电、铁电及压电性能的影响．结果表明采用溶胶-凝胶法制备的PMN-PT陶瓷适宜烧结温度为1100℃,比常规固相合成法制备PMN—PT陶瓷的温度低100～200℃,且该条件下烧结的陶瓷性能优异：d33=252pC／N,Pr=17．8μC／cm2．     

一种分析任意形状介质栅绕射特性的有效方法

采用阶梯近似与严格模匹配相结合的方法,分析了介质栅截面为任意形状的介质周期结构对TE、TM极化电磁波的绕射特性.文中以介质栅截面形状为正弦、三角形、梯形、升余弦和半椭圆等为例,系统地比较分析了介质周期结构的绕射特性随频率和角度的变化关系.已有的文献结果验证了该方法对解决这一问题的有效性、准确性和普遍适用性.     

电磁混合介质覆盖对行波散射的抑制

该文应用极化电磁流的概念分析电磁混合介质覆盖体的散射，研究介质的电磁特性与行波散射之间的内在关系。计算表明薄层的有耗磁介质覆盖对行波散射有较好的抑制作用。