硅的反应离子刻蚀实验研究

采用SF6和O2为刻蚀气体,在275m(torr)的反应压力下对硅进行了反应离子刻蚀实验研究。通过不断调节射频功率、刻蚀气体的流量等系列对比实验,研究、探索并优化了对硅的反应离子刻蚀工艺条件。实验研究得出的最优化条件:射频功率为120W,SF6和O2的流量为36cm3/s和6cm3/s。在该工艺条件下获得三个重要的刻蚀参数:刻蚀速率为1036nm/min,对氧化物的选择比为56.6,均匀性为4.41。     

紫外压印光刻中阻蚀胶残膜刻蚀工艺

针对紫外（UV）压印光刻在压印工艺过程中会产生阻蚀胶残膜的技术特点，采用以O2为反应气体来清除阻蚀胶残膜的反应离子刻蚀（RIE）工艺方法，研究了不同的反应气体流量、反应腔室压力、射频功率等刻蚀参数对刻蚀速率和刻蚀各向异性的影响，得到了刻蚀速率和刻蚀各向异性随各刻蚀参数的变化趋势图．实验结果表明，减小反应气体压力和气体流速可以降低刻蚀速率，提高刻蚀各向异性．通过对刻蚀参数的优化配置，当射频功率在200W、反应气体流速在30mL／min、反应腔室压力为0．6Pa时，刻蚀速率可以稳定在265nm／min，各向异性值可以达到13，因此实现了对压印图质形的高质量转移．     

一种简单多极磁约束的反应离子刻蚀装置的研究

本文叙述了多极磁约束的反应离子刻蚀装置。该装置具有结构简单，低损伤和各向异性刻蚀的优点。在射频率为１００ｗ，工作压强为１．３３（０．０１～１０）Ｐａ的氩气氛中，典型的离子密度为（１．０～１．５）×１０（１０）ｃｍ（－３），电子温度为１．９～４．１ｅＶ，等离子体电位１０—５０Ｖ，有磁场的离子密度比没有磁场的离子密度大几个数量级。它是一种具有广泛应用前景的等离子刻蚀装置。     

用反应离子刻蚀技术制作Ge菲涅尔微透镜列阵

研究了用反应离子刻蚀技术制作Ｇｅ材料微透镜列阵的工艺过程及影响透镜列阵质量的因素，总结出“小功率，中气流，掺氧气”的优化工艺特点，制作出衍射效率高于８５％的八台阶Ｇｅ材料的菲涅尔微透镜列阵。     

硅低速刻蚀和钨膜刻蚀研究

针对半导体器件研制过程中等离子体刻蚀工艺的具体需要,研究了硅的低速率刻蚀和钨薄膜的刻蚀,得到了加磁场条件下刻蚀速率与刻蚀气体流量,射频功率的关系曲线,得到了不加磁场时不同的刻蚀气体流量下钨的刻蚀速率,以及在刻蚀气体中掺杂不同比例氧气时硅的刻蚀速率,对上述结果加以简单的讨论并给出了符合工艺要求的刻蚀条件。     

金属辅助化学刻蚀法制备尺寸可控的硅纳米线

为制备粗细均匀、大长度的硅纳米线,通过金属辅助化学刻蚀方法,以银作为辅助金属,利用场发射扫描电镜(FESEM)和FIB/SEM双束系统作为检测手段,结合微加工工艺,研究了不同的反应离子刻蚀时间和化学刻蚀时间对制备的硅纳米线的尺寸和形貌的影响。结果表明,通过该方法制备的硅纳米线粗细均匀、长度较大。控制反应离子刻蚀时间和化学刻蚀反应时间,可以控制硅纳米线的形貌与尺寸。     

湿法刻蚀制备铌酸锂锥形脊波导

采用由质子交换辅助湿法刻蚀技术,在Z切铌酸锂晶体上成功制备锥形脊波导.该波导脊高为1.2μm、脊宽从4μm增大至8μm,插入损耗4.4 dB.波导表面光滑,表面粗糙度为0.84 nm,没有出现塌边或横向刻蚀的现象.波导宽度从4μm增大至8μm,模式尺寸在水平方向上从4.3μm增大至6.8μm,在垂直方向上从3.2μm增...     

电化学方法制作场发射体

为制得理想的场发射体,比较了多晶钨丝与单晶钨丝在三种不同腐蚀液中的腐蚀结果。提出通过观察“腐蚀斑”的形状变化来控制腐蚀条件的一种简单、有效、直观的方法。     

硝基磺酚S分光光度法测定硝酸溶液中微量铌

在1molL~(-1)的硝酸介质中,硝基磺酚S与铌生成蓝色的络合物,其最大吸收波长是635nm,摩尔吸光系数是3.0×10~4,含铌量0～10μg/25ml范围内符合比尔定律,方法灵敏度高,探作简便、快速、易于掌握,用于测定硝酸溶液中微量铌获得满意结果。图6,表2,参4。     

钨矿渣中铌,钽的提取

从钨矿渣中提取铌、钽具有重要的意义。本文给出了提取方法及相应的计算公式。     

APPLICATION OF PLASMA ETCHING TECHNIQUE TO MODIFICATION OF WOOL

Plasma etching technique used in the modification of fibres,yarns and fabrics of wool is re-ported.The experimental results show that the method is useful for improving wettability and re-ducing shrinkage of wool,it may be used to increase the strength of tops and yarns,and to enhancethe hand and colour of the final products.In addition,the characteristic features of the plasmamodified wool and discussions of possible mechanisms of the action are presented.     

高压电解电容器阳极铝箔扩面腐蚀机理的研究

从扩面腐蚀机理的研究出发，针对国产铝箔的特点，设计出行之有效的扩面腐蚀工艺，从而使国产铝箔制成高比容高强度的高压电解电容器阳极用腐蚀铝箔。     

用彭宁离子捕集器产生并贮存H4^＋

通过反应Ｈ２＾＋＋Ｈ２→Ｈ４＾＋制备并存贮Ｈ４＾＋,存贮时间长达０．１ｓ量级,长于以前观测到的μｓ量级的稳定时间,处于基态的Ｈ２＾＋,Ｈ２有进行上述反应,强磁场可能有助于该反应。     

天然铌全套中子反应数据的理论计算

用光学模型，带宽度涨落修正的Ｈａｕｓｅｒ－Ｆｅｓｈｂａｃｈ理论以及包括平衡前发射的蒸发模型，计算了入射能量在０．１～２０ＭｅＶ的中子与天然铌相互作用的全套核反应数据，计算结果与评价的实验数据比较，符合较好。