高压下ZnS的电输运行为

通过在金刚石对顶砧上集成以氧化铝薄膜为绝缘层的微型测量电路, 原位测量了ZnS电阻率随压力的变化, 证实ZnS的压致相变为半导体到半导体相变, 而非金属化相变, 并发现ZnS相变的可逆性与相变的迟滞现象.      

交流阻抗谱法研究高压下CdS的电学性质

利用金刚石对顶砧(DAC)原位交流阻抗谱测量技术,研究了硫化镉(CdS)半导体粉末在高压下的电输运性质.结果表明,在高压条件下CdS中存在两个电传导过程,晶体内传导和晶界传导,而晶体内传导是其主要过程.通过选择合适的表象,获得了 CdS的体电阻随压力的变化关系,反映了CdS在高压下的相变过程:在2.7 GPa—3.6 ...     

交流阻抗谱法研究高压下CdSe的电学性质

利用集成在金刚石对顶砧上的测量微电路研究了CdSe粉末在高压条件下的交流阻抗谱,在低于2.8GPa时显示出两个交叠的半圆弧,在高于2.8GPa时显示出一个不完整的半圆弧和一个压缩的半圆弧,这表明在高压条件下CdSe粉末中始终存着两个电传导过程,分别对应于晶体内传导过程和晶界传导过程.运用等效电路法我们获得了CdSe晶体体电阻随压力的变化关系,分别在2.8GPa,10.0GPa和17.0GPa附近观察到了体电阻的异常变化,这些异常变化源于CdSe在高压条件下的结构相变和电子相变.     

利用阻抗谱测定氧化锆试样的电导率

利用阻抗谱测定了2.18%MgO稳定的ZrO2试样在空气中的电导率随温度的变化曲线。结果表明,在1165~1 730 K温度变化范围内,电导率在6.0×10-4~3.3×10-2S.cm-1范围内变化;电导率随温度变化曲线可分为4段,其中,在1 423~1 523 K范围内发生单斜相向四方相的转变,1 673 K以上存在四方相向立方相的转变,导致电导率的跳跃升高。     

电致发光屏界面的阻抗谱和分形研究

采用电学方法测量ZnS:Mn,Cu DCEL粉末屏的复阻抗谱,运用多节RC等效电路、逾渗理论和自仿射康托体分形模型,分析EL屏界面和发光区在形成或老化过程的变化,认为逾渗相变形成发光区,发光区导电相分布具有分形特征,发光区内铜离子进一步迁移导致老化,老化屏发光区分维值趋于2。     

电化学阻抗谱测试中的稳定性和线性问题

依据系统稳定性理论 ,从理论上证明了含有电极电位及多个状态变量的电极过程的稳定性条件就是该体系特征方程的所有根的实部必须均为负值 ,进而确定了除电极电位外含有 1至 3个状态变量的电极过程的稳定性条件 .此外还对线性问题及交流阻抗测试中出现的暂态响应进行了理论处理 .     

普通硅酸盐水泥净浆稳定期水化反应的阻抗谱研究

利用交流阻抗谱法测定了不同水灰比普通硅酸盐水泥净浆稳定期水化反应,结果表明：1）水化8天时,不同水灰比样品的阻抗谱为准Randles线型,低频区高水灰比样品的阻抗谱偏离Randles线型小,高频区高水灰比样品的半圆弧直径大,表明水化产物形成的毛细网络未完全形成,造成电荷传递过程很难进行,高水灰比样品的结构变化小,结构相对稳定.2）水化16天时,各样品的阻抗谱为准Randles线型,偏离度相对于第8天时减小,高频半圆弧的直径增大,表明水泥浆体的结构变化减小,结构更加趋于稳定,此时水化反应缓慢地进行.     

高温高压下干热辉长岩的阻抗谱实验研究

在1.0和2.0GPa,593～1173K下研究了干热辉长岩的阻抗谱.研究表明,复阻抗对频率具有依赖性,复阻抗平面上出现了反映颗粒内部和颗粒边缘传导机制的阻抗弧.颗粒内部的阻抗弧出现在10 2～10 5 Hz的频率范围内;颗粒边缘的阻抗弧出现在12～100Hz的频率范围内.用CNLS程序拟合了对应颗粒内部传导机制等效电路的各个元件.当辉长岩中有石榴石出现时,电导率发生突变.     

(1-x)PST-xPZT弛豫铁电陶瓷阻抗谱的研究

将具有良好热释电性的Pb(Sc0.5Ta0.5)O3(PST)与Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)复合,制备出了具有钙钛矿结构的(1-x)PST-xPZT(PSTZT)驰豫铁电陶瓷.对极化后的PSTZT样品进行了小信号交流阻抗谱测试,发现PSTZT的交流阻抗谱主要由压电振子谐振圆和部分陶瓷晶粒晶界圆组成.从前者获得了PSTZT全部压电陶瓷参数,从后者推出了晶粒是电阻塞产生的主要原因.     

高压下石墨超硬相的电阻率测量

采用高压下精确的原位电阻率测量技术,利用高浓度硼掺杂的金刚石薄膜制备微电路,在0～34 GPa测量石墨的电阻率随压力的变化规律.结果表明:在第一和第二个压力循环中,石墨超硬相电阻率不连续变化,分别出现在15.1 GPa和17.9 GPa;相存在的最低压力为8 GPa.     

AgI的高压电学性质

利用在金刚石对顶砧上集成的微电路, 高压原位测量了AgI的电导率, 实验观察电导率随压力的变化规律, 并在不同压力下, 测量了岩盐相结构AgI的电导率随温度(293~443 K)的变化关系, 实验结果表明, ln(σT)与10³T^-1近似呈线性关系. 计算了传导离子浓度和Frenkel缺陷扩散的激活能, 并测量了KOH型结构AgI的电导率与温度和压力间的关系, 得到压力高于20 GPa时的能隙与压力关系.      

MoO_3高压电输运性能研究

利用DAC原位测量技术,研究了Mo O3电阻率和高压阻抗随压力的变化规律.电阻率在10.6 GPa和20.8 GPa时出现不连续变化,对应着Mo O3由正交相到单斜相(P21/m)再到单斜相(P21/c)的结构相变.压力低于10.6 GPa时,电阻率随着压力的增大而减少;单斜相(P21/m)的电阻率随压力增加而增加;压力高于20.8GPa时,电阻率随压力增加而减小.通过拟合复阻抗谱,得到了晶粒电阻随压力的变化规律.晶粒电阻在10.6GPa出现不连续变化,对应着Mo O3由正交相到单斜相(P21/m)的结构相变.正交相晶粒电阻随着压力的增大而减少.     

高压下WSe2的电学性质及金属化相变

利用高压原位电阻率测量技术, 观察0~48.2 GPa内WSe₂电阻率随压强的变化规律, 并测量了WSe₂电阻率在不同压强下随温度的变化关系.  结果表明: WSe₂电阻率在压力作用下的变化规律与杂质能级压致离化后的传导有关; 由于压致能隙闭合, WSe₂在38.1 GPa时发生等结构的半导体性到金属性的相转变.     

以高压气体为动力的水压施加装置与控制系统设计

稳定水压供给设备是岩石力学水力耦合试验的关键装置,以高压气体为动力设计的水压施加装置具有压力稳定、能耗低的优点。本文以PC为上位机,西门子S7-1200为下位机设计了一种以高压气体为动力的压力控制系统。系统中PLC采集数据与上位机目标压力值实时交互,通过自动控制电磁阀开闭实现高压气体输入量的动态调控,待系统内水压接近设定目标值后,再由控制系统启动电动试压泵精准调压至设定目标值。     

甚高压合成条件对原位聚合聚苯胺薄膜导电性能的影响

在不同压力条件下用原位聚合法制备了导电聚苯胺薄膜。发现在150MPa～600MPa的甚高压条件下合成的薄膜样品均具有网络状表面形貌，且样品的紫外吸收光谱随压力的增加出现红移现象。实验结果表明样品分子的共轭长度和分子链间的电接触在高压情况下有所增强。这一结论通过引入约化电导率的分析得到进一步证实。     

高压下晶界对BaTiO_3纳米晶电输运行为的影响（英文）

利用金刚石对顶砧装置,测量了BaTiO_3纳米晶高压下(最高压力达35GPa)的交流阻抗谱.给出了晶粒和晶界各自对电输运性质的贡献.在高压相,晶界对总的电输运性质起主导作用.三个结构相晶界电阻的差异源于结构相变引起的晶界微结构重组.