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相似文献
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1.
在紫外灯的照射下,以二氧化钛作催化剂,采用紫外 可见分光光度计来定性和定量描述玫瑰红降解过程中官能团的变化,用总有机碳(TOC)和化学需氧量(COD)2个参数来确定玫瑰红的降解程度,并借助紫外 可见图谱对玫瑰红的光催化机理作了有益的探索,并比较了光催化降解与直接光解(不加催化剂)的降解过程,可知反应过程表现出很大的差异。  相似文献   

2.
掺铜TiO2的制备及其光催化降解铝试剂1的研究   总被引:4,自引:1,他引:4  
采用sol-gel法和高温灼烧制备了掺杂不同量的Cu^2 的TiO2/glass膜及纳米TiO2颗粒.研究了其对铝试剂的光催化降解过程,并由紫外吸收光谱对降解的中间产物进行了初步探讨.结果表明掺杂量为0.07%的Cu^2 时,光催化活性最佳.结合压电传感技术在线检测了不同气体氛围对TiO2光催化剂催化效果的影响,定量说明O2有利于光催化,而N2对其有抑制作用.  相似文献   

3.
通过 4种催化剂对废水中有机物降解活性的比较 ,得出Ni2 O3/TiO2 催化活性最好 ,考察了用该催化剂光催化氧化处理蓖酸甲酯裂解废水时 ,催化剂用量、pH值、通气量、H2 O2 加入量与加入方式及紫外光照射时间对废水中有机物去除的最佳条件 .经该方法处理后 ,废水的CODCr去除率达 98.5% .  相似文献   

4.
通过4种催化剂对废水中有机物降解活性的比较,得出Ni2O3/TiO2催化活性最好,考察了用该催化剂光催化氧化处理蓖酸甲酯裂解废水时,催化剂用量、pH值、通气量、H2O2加入量与加入方式及紫外光照射时间对废水中有机物去除的最佳条件.经该方法处理后,废水的CODcr去除率达98.5%.  相似文献   

5.
初步考察了蒸发法和热解法对某焦化厂含酚废水的COD去除效果,结果表明蒸发和热解联用的的方法对于废水中COD有显著的去除效果;但处理后水样的COD值仍高于生化处理入水口标准。通过制备以γ-Al2O3为载体的热解催化剂来提升处理效果,实验得出以Cu为活性组分,在5%质量分数,焙烧温度350℃下制备的催化剂活性最高,使用该催化剂在350℃的热解温度下对废液中COD的去除率可达到98.6%。催化剂稳定性良好,在循环使用6次后,COD的去除率仍然达到93.5%。  相似文献   

6.
TiO2光催化氧化性能的影响因素   总被引:3,自引:0,他引:3  
采用负载型TiO2光催化剂处理含酚废水,研究光源、光照时间、废水液pH值等因素对苯酚去除率的影响,结果表明,由于紫外光所发出的光子能量大,TiO2光催化活性强,因此在处理过程中,用高压汞 太阳光照射效果好;尽管光照时间超过5h后苯酚去除率仍有所增加,但从生产工艺和经济的角度考虑,光照时间以5h为宜;TiO2光催化剂的氧化性能在酸性或碱性条件下最好,在处理含酚废水时,pH值为2.0去除率最高。  相似文献   

7.
研究了纳米TiO2对甘氨酸的光催化氧化性能及其氧化机理.结果表明,在实验浓度范围内,甘氨酸的光催化氧化符合准一级动力学反应.纳米TiO2的用量和溶液pH值都影响光催化反应.外加无机氧化物,能有效地捕获光致电子,增加溶液中羟基自由基的浓度,提高甘氨酸的光催化氧化能力.  相似文献   

8.
纳米半导体材料的光催化机理与应用   总被引:2,自引:0,他引:2  
介绍了纳米半导体光催化剂的类型、作用机理及在降解污染物方面的应用。  相似文献   

9.
目的合成Ag负载SnO2/TiO2复合光催化剂,并对其在废水处理中的应用加以研究。方法以钛酸四丁酯、无水乙醇和四氯化锡为原料,采用光还原法制备载Ag纳米SnO2/TiO2光催化剂,以罗丹明B为模型污染物,借助XRD和UV-Vis等测试手段研究了SnO2/TiO2复合光催化剂的UV-Vis吸收光谱和光催化活性。结果纳米SnO2/TiO2光催化剂的最佳钛锡比为156∶1时的光催化剂具有较高的光催化活性;在氙灯照射下,Ag负载SnO2/TiO2的活性明显增强,具有很强的可见光活性。废水处理实验结果表明,太阳光照射2 h,炼油厂废水COD值由原始的844 mg/L降低至472mg/L,去除率为44.08%,照光5 h,COD去除率为76.78%,且色度和气味均全部去除。载Ag纳米SnO2/TiO2复合光催化剂(摩尔比为1∶1)对炼油厂废水COD有较高的去除效果。结论以最佳工艺条件下制备的TiO2为原料,采用光还原法成功制备出载Ag纳米SnO2/TiO2复合光催化剂,适用于采油厂工业废水的处理,太阳光下照射5 h,COD去除率可达76.78%。  相似文献   

10.
以弱酸性艳蓝A染料废水为目标降解物,采用单因素法,研究纳米TiO2光催化净化酸性染料废水的可行性及影响因素.结果表明,纳米TiO2投加量、光照时间、染液初始浓度、染液初始pH等因素对光催化净化效果均有一定影响.实验得出最佳净化方案为纳米TiO2投咖量0.1g,染液废水初始浓度40.1mg·L-1,初始pH值=2,紫外光连续照射24h,脱色率可达98.4%,COD去除率可达89.1%.纳米TiO2在紫外光照射下,对酸性染料废水有良好的净化效果.  相似文献   

11.
钛硅纳米复合氧化物结构特征及形成机理   总被引:1,自引:0,他引:1  
在HRTEM、XPS、XRD和EDS表征溶胶凝胶法制备不同钛硅纳米复合氧化物粉体微结构基础上,对其整体结构和形成机理进行了深入研究和归纳.研究发现,钛硅纳米复合氧化物具有以下结构特征:随SiO2含量增大,纳米晶TiO2晶格缺陷增多,晶粒增长和相变被抑制,SiO2在较高温度仍以无定形存在; 复合物表面为双层结构,第一层为富氧层,第二层为富硅缺氧层(TiOx,SiOy和Ti-O-Si).热处理过程中,Si原子和Ti原子的反向扩散和再分配导致钛硅纳米复合氧化物粉体结构呈非平衡紊乱状态并向平衡状态过渡,最终导致其具有以上结构特征.SiO2抑制纳米晶TiO2晶粒增长和相变机理为连锁抑制机理:Si原子进入TiO2晶格导致锐钛相TiO2晶胞体积缩小, 这抑制了TiO2晶粒增长;TiO2晶粒增长被抑制又导致向金红石的相变温度提高.  相似文献   

12.
对二氧化钛的光催化降解有机物分子的原理进行了分析,综述了影响二氧化钛光催化效率的因素,及近年来提高二氧化钛光催化效率的各种方法及其原理。  相似文献   

13.
以离子液体1-丁基-3-甲基咪唑六氟磷酸盐([Bmim][PF6])为溶剂联合浸渍法制备复合半导体CeO2/TiO2.用甲基橙为探针测试催化剂的活性,得出当Ce(NO3)3*6H2O的掺杂量为0.05 g,催化剂用量为0.8 g时光催化活性最高的结论,在30 min时甲基橙的降解率可达99%以上.并用XRD、N2吸脱附对催化剂的物相及比表面进行分析.XRD结果显示CeO2的掺杂并没有改变二氧化钛的晶型,仍为锐钛矿型.根据IUPAC分类,N2吸脱附曲线表明掺杂后的二氧化钛具有孔结构,其比表面积和孔径分别为109 m2/g和56.4 nm.  相似文献   

14.
使用碳球作为模板,利用水热-煅烧的方法制备了多壳层TiO_2。以多壳层TiO_2和氧化石墨烯为原料,利用水热法制备了多壳层TiO_2/还原氧化石墨烯(r-GO)光催化剂。运用XRD,TEM,FT-IR,DRS等测试手段对制备的样品进行表征;并探究其在可见光下对光催化还原CO_2的活性。表征结果表明粒径均匀的多壳层TiO_2纳米球均匀地分布在r-GO表面,r-GO的引入拓宽了光响应的范围。光催化结果表明,复合r-GO后TiO_2的光催化性能显著地提升。  相似文献   

15.
本文就提高纳米TiO2的光催化性能的研究进展作了综述,阐明了光催化的原理,影响纳米TiO2光催化的因素,并总结了金属离子掺杂、贵金属表面沉积、纳米TiO2半导体复合等常见几种改性纳米TiO2光催化性能的方法。最后指出了目前研究存在的问题,并提出建议。  相似文献   

16.
半导体光催化杀菌的机理和应用   总被引:3,自引:0,他引:3  
综述了半导体光催化杀灭菌的两种机理,光生空穴和形成于半导体颗粒表面的活性氧类(·OH,O2-·,HO2·,H2O2)与细胞壁、细胞膜或细胞内的组成成分进行生化反应,使细胞功能单元失活而致细胞死亡.半导体杀菌效应在光动力学疗法和水的深度处理方面有着广泛的应用前景.  相似文献   

17.
为了研究除硒微生物特性,作者从江西某富硒泉水中分离到4株亚硒酸盐还原菌,并进行除硒效果与机理分析。4株亚硒酸盐还原菌表现出很强的亚硒酸耐受能力,在7 mmol/L(553 mg/L)的亚硒酸浓度下生长良好。通过16S r DNA基因序列分析,4株细菌均为芽孢杆菌属(Bacillus)。在18 h内,它们对33 mg/L的亚硒酸去除率均高于99. 7%。B菌在75 h内对高浓度亚硒酸钠(197. 5 mg/L)去除率在达到91. 2%。扫描电镜(SEM)结果表明,经过高浓度含硒废水处理的细菌表面形态完整,能谱分析(EDS)证明硒元素在细胞表面存在。红外光谱(FTIR)分析表明,除硒后羟基、酰胺基基团等峰位发生了明显移位,表明它们在细菌吸附除硒中起重要作用。  相似文献   

18.
通过实验及理论分析,首次提出甲酸与多论试剂不能发生银镜反应,并对其根源进行了剖析。  相似文献   

19.
介绍了一种基于甲酸铜高温分解反应的纳米铜无压烧结工艺,旨在解决现有铜烧结技术中铜易氧化且需要辅助压力的问题。通过甲酸溶液对纳米铜颗粒(Cu NPs)进行预处理,生成致密的甲酸铜膜,经烧结后最终形成Cu-Cu接头。接头烧结质量试验表明,甲酸反应时间10 min、聚乙二醇(PEG)溶剂、0.048 mm砂纸打磨基材表面以及5℃/min的升温速率为最优烧结条件。在该条件下,实现了纳米铜无压烧结,制备的接头剪切强度可达16.18 MPa,电阻率低至570μΩ/m。经过200 h高温老化实验,接头的剪切强度仍可达到9.38 MPa,验证了该烧结工艺的可靠性。文中所提出的工艺为实现第三代半导体芯片的可靠互联提供了新思路。  相似文献   

20.
采用微波辐射法由溶胶制备出TiO2薄膜,考察了加热方式、微波功率、辐射时间等因素对甲基橙降解的影响。结果表明.与传统加热法相比较,微波干燥制备的TiO2薄膜对甲基橙有更高的光催化活性;微波辐射加热时间为4min,微波功率为中低火时,制得的光催化剂催化活性较高;且TiO2薄膜性能稳定可重复利用。  相似文献   

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