磁场中三维极化子的非线性效应

利用电声相互作用哈密顿量的一般形式求出电子-LO声子相互作用哈密顿量二次项的具体形式，然后将求得的新哈密顿量应用于磁场中的三维极化子问题，运用二阶RSPT微扰方法求得极化子基态和第一激发态的能量修正.     

电子—声子的非线性相互作用哈密顿量

本文用固体量子场论方法,推导出计及非线性相互作用的电子-声子相互作用系统的哈密顿量的普遍表达式,并给出三种类型极化子哈密顿量的具体表达式.结果表明:纵声子和横声子均对非线性效应有影响.     

光与晶格相互作用散射过程的热力学

利用献[6]提供的三玻色子非线性相互作用模型哈密顿量导出的热力学势，计算光与晶格相互作用散射过程中入射，散射光子和声子的热平均数以及系统的熵，讨论了这些热力学量与频率及温度的关系。     

关于非线性光学中的相互作用哈密顿量

本文讨论了非线性光学中Shen—Walls非线性相互作用哈密顿量的合理性,指出其存在问题,并说明在使用非线性极化模型的情况下,描述原子与辐射场相互作用哈密顿量的多极形式不能推广到非线性介质与辐射场相互作甩的情形。最后,我们得到一纯场模形式的非线性相互作用哈密顿量形式,作为对Shen--Walls哈密顿形式的一个修正。     

一维形变势声学激子

本文从Ｗｈｉｔｆｉｅｌｄ提出的哈密顿量出发，并把它推广到声学激子。利用Ｈａｇａ处理极性晶体中极化子时所用的变分法，并考虑了形变势和声学声子间相互作用，导出了有效哈密顿量，最后讨论了声学激子的性质。     

ZnSe／Zn1—xCdxSe非对称双量子阱中电子声子相互作用

采用转移矩阵方法研究了ZnSe/Zn1-xCdxSe非对称双量子阱结构中界而光学（IO）声子模和电子－IO声子相互作用哈密顿量，发现IO声子的色散关系和电子－IO声子耦合强度是波矢的复杂函数，并且长波声子是主要的，使用简化的相干势近似数值计算ZnSe/Zn1-xCdxSe非对称双量子阱结构，结果表明高频声子与IO声子的相互作用较低频声子与IO声子的相互作用强。     

受激辐射下两原子有效量子纠缠

研究了受激辐射相互作用下两原子体系的量子纠缠特性.运用量子绝热近似方法,获得了体系的有效哈密顿量,讨论了在该哈密顿量下两原子量子纠缠的动力学演化.研究结果说明,在大失谐条件下,受激辐射相互作用可以将两原子制备到最大纠缠的Bell态,在退相干时间内,原子的自发辐射及热环境对量子纠缠的影响不大.     

极性板中的电子─—声子的强耦合系统

极性板中的电子─—声子的强耦合系统广州师范学院物理系黄卓和，陈传誉直到现在，极性板（ｓｌａｂ）中电子一声于相互作用，人们只做了弱耦合的情况．１９７７年Ｌｉｃａｒｉ导出了极性板中电子与ＬＯ声子以及ＳＯ声子相互作用的哈密顿量［１］，１９８６年Ｘ．Ｌｉａｎ...     

声学形变势表面极化子的性质研究进展

综述了近年来对声学形变势表面极化子的性质方面的部分工作。在第一节中从表面电子—表面光学(SO)声子和电子—表面声学(SA)声子系的哈密顿量出发，用线性组合算符和么正变换法研究与S0和SA声子弱耦合的声学形变势表面极化子的有效哈密顿量、有效相互作用势和有效质量的性质。在第二节中研究了与S0声子耦合强与SA声子耦合弱的声学形变势表面极化子的振动频率，诱生势和有效质量的性质。在第三节中研究了与S0声子强耦合与SA声子弱耦合的声学形变势表面极化子的有效哈密顿量、振动频率和有效质量的温度效应。在第四节中计算了与SO声子耦合强与SA声子耦合弱的声学形变势表面极化子的声子平均数随坐标Z、振动频率λ和η的变化规律。在第五节中采用微扰法研究了声子之间相互作用对与SO声子强耦合与SA声子弱耦合的声学形变势表面极化子的有效哈密顿量、诱生势和有效质量的影响。     

强耦合一维激子的基态有效哈密顿量

本文讨论一维晶体中强耦合激子通过形变势和光学声子的相互作用,导出了激子基态的有效哈密顿量。     

电子相互作用对准一维有机铁磁体的铁磁基态的影响

提出了一种基于极化子的准一维有机高聚物铁磁体模型．在这种模型中，依靠极化子而不是有机自由基来提供未配对电子．利用 Ｐｅｉｅｒｌｓ Ｈｕｂｂａｒｄ 哈密顿量，考虑强电声耦合，允许完全的格子松驰过程，建立了一套自洽迭代方程，计算了格点上的电子相互作用和格点间的电子相互作用对有机铁磁体的铁磁基态的影响     

等效场论方法在相互作用绘景中的应用

利用量子力学中的相互作用绘景，讨论了轻子-核子深度非弹性散射中，把反冲的物理核子系统的哈密顿量写成H0和H1，而H1并非小量时，用等效场论方法计算核子与介子云系统相互作用的方法，得出较好的结果。这为在相互作用绘景中处理有关问题提供了有益的依据。     

激光对磁振子压缩态的作用

压缩态的量子起伏低于相干态相应的量子起伏．同声子和光子比较，自旋波的元激发——磁振子，也属于玻色子；在粒子数表像中，磁振子的哈密顿量在形式上与光子和声子的哈密顿量相似，因而磁振子的压缩态是可能存在的．通过测量在激光场下自旋分量的量子涨落，可以获得材料的性能参数．     

形变势表面极化子的重正化质量

本文采用改进了的线性组合算符法导出了极性半导体中与形变势相互作用的表面极化子的有效哈密顿量。讨论了极性半导体中表面极化子重正化质量的性质。     

电子相互作用对准一维有线铁磁体的铁磁基态的影响

提出了一种基于极化子的准一组有机高聚物铁磁体模型，在这种模型中，依靠极化子而不是有机自由基来提供与对电子，利用Ｐｅｉｅｒｌｓ－Ｈｕｂｂａｒｄ哈密顿量，考虑强电－声耦合，允许完全的格子松驰过程，建立了一套自洽迭代方程计算了格点上的电子相互作用和格点间的电子相互作用对有机铁磁体的铁磁基态的影响。     

半导体量子阱中磁极化子的基态能量

本文从量子阱中电子-声子相互作用的哈密顿量出发,进一步考虑了外加磁场对极化子性质的影响,讨论了量子阱中磁极化子的基态能量与磁场和量子阱宽度的关系。数值计算结果表明,量子阱中界面声子与电子的相互作用是不可忽略的。     

ZnSe/ Zn_(1-x)Cd_xSe非对称双量子阱中电子声子相互作用(英文)

采用转移矩阵方法研究了 Zn Se/Zn1-x Cdx Se非对称双量子阱结构中界面光学 ( IO)声子模和电子 -IO声子相互作用哈密顿量 .发现 IO声子的色散关系和电子 -IO声子耦合强度是波矢的复杂函数 ,并且长波声子是主要的 .使用简化的相干势近似数值计算 Zn Se/Zn1-x Cdx Se非对称双量子阱结构 ,结果表明高频声子与 IO声子的相互作用较低频声子与 IO声子的相互作用强     

声子之间相互作用对与形变势相互作用的表面磁极化子性质的影响

本文采用线性组合算符方法,研究与表面光学声子耦合强、与表面声学声子耦合弱的表面磁极化子的性质。导出了与形变势相互作用的表面磁极化子的振动频率和有效哈密顿量,讨论了电子在反冲效应中发射和吸收不同波矢的声子之间的相互作用对表面磁极化子性质的影响。     

变形奇A核的转动惯量及基带能谱

本文将Cranking Model的方法用于相互作用玻色子——费米子(IBFM)体系。给出了大变形区奇A核态转动带的转动惯量及能谱的解析公式。计算中无须对体系作动力学对称性假,为在大变形区求解普遍形式的IBFM哈密顿量的本征值方程提供了一种简单。实用的近似计算方法。     

半导体双势垒结构界面光学声子模及其与电子的耦合

采用宏观连续介质模型研究了极性半导体双势垒结构中界面光学声子模．计算了界面光学声子的色散关系和声子势;给出了电子－界面光学声子相互作用哈密顿量．对ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ材料进行了数值计算和讨论