非对称双芯光子晶体光纤特性分析

设计一种新型非对称双芯光子晶体光纤模型,利用有限元法及其双芯光纤的耦合特性分析其光子晶体光纤的光学特性,数值模拟了非对称双芯光子晶体光纤的有效折射率、双折射、耦合系数在一定结构参数下随波长的变化特性.数值模拟结果表明,选择合适的结构参数可以得到较高的双折射特性以及耦合特性,因此光子晶体光纤的非对称结构的特性分析对于光学器件的研制有重要意义.     

适用于精密设备的一种多介质耦合型减振器的减振特性研究

基于电子信息设备等精密设备振冲防护中抗大冲击并兼顾衰减振动的要求,通过巧妙结合空气阻尼和油阻尼及橡胶元件和金属弹性元件,设计了结构微小的多介质耦合减振器原理样机.原理样机的多参数匹配试验研究表明它具有强非线性动态特征,在此基础上结合理论分析形成复合建模方法建立了样机非线性动态特性模型;此建模方法直接引入结构参数,为直接设计具体器件建立了理论基础.研究表明此多介质耦合减振器性能优越并具有良好的设计可控性;此方法还可以应用于其他减振器件研究和设计.     

椭圆纤芯光子带隙型光子晶体光纤的光学特性研究

设计一种新型椭圆纤芯带隙型光子晶体光纤模型,利用有限元法及其平面波展开法研究子晶体光纤的光学特性.在一定结构参数下随波长的变化数值模拟了椭圆纤芯带隙光子晶体光纤的结构,得到了有效折射率、双折射、波导色散、径向传输功率分布最大值等性质.数值模拟结果表明,选择合适的结构参数可以得到较低的色散特性以及高的传输功率,因此非对称结构的光子晶体光纤的特性分析对于光学器件的研制有重要意义.     

双层聚合物发光器件中的输运特性研究

基于载流子电导是空间电荷限制与空间电荷在器件内部指数减小的假设,通过引入电荷空间分布的特征长度及有效迁移率,并考虑注入电流为热电子电流和隧穿电流,由此对器件的输运特性进行了详细讨论.结果表明电荷空间分布的特征长度对器件中的载流子浓度、电场强度及电流有很大影响;器件功能层厚度对器件的电场强度影响较大,对器件I-V特性影响不大.     

单根ZnO纳米线的光敏及场效应管性质研究

采用化学气相沉积法合成了ZnO纳米线,并对其进行了扫描电镜以及光致发光表征.基于ZnO纳米线,采用微栅模板法制备了光电器件及背栅场效应晶体管.利用半导体参数测试仪测量了ZnO纳米线的I-V特性、光响应特征及场效应管的输出特性等.实验表明,ZnO纳米线具有良好的紫外光敏感度,预示了良好的光电探测应用前景及FET的应用可能性.     

微萃取火焰原子吸收法测定水中微量铅

建立了分散液-液微萃取与火焰原子吸收光谱结合测定水中微量铅的实验方法.该方法为火焰原子吸收光谱法提供了一种易雾化的、非易燃的有机萃取体系.选定并优化了萃取的影响参数后,计算出经过富集与未经过富集的标准曲线的斜率比为330.标准曲线在2～70μg/L的质量浓度范围内呈线性,检测限为1.4μg/L.重复7次测量50μg/L的铅溶液的相对标准偏差为0.2﹪.对自来水、井水、湖水等样品进行了分析,回收率为104.4﹪～109.6﹪.     

氢热处理绝缘体表面对金属—绝缘体—金属开关器件I—V特性的影响

在氢气气氛下对绝缘体表面进行热处理提高金属－绝缘体－金属器件的Ｉ－Ｖ特性曲线的对称性，简化了该器件的制作工艺，并探讨底电极掺氢为对ＭＩＭ器件Ｉ－Ｖ特性曲线的影响，用ｐ－ｎ－ｎ能带模型对ＭＩＭ器件的Ｉ－Ｖ特性曲线对称性加以解释。     

用样条配点法求解反对称角铺设层合板响应的统计特性

工程结构中的复合材料层合板的几何参数往往具有随机性质.如何研究随机参数层合板响应 的统计特性,这对正确估计结构设计的可靠性有着非常重要的意义.用样条配点法,将复合材料层 合板结构离散后,应用Lagrange方程,建立了复合材料层合板的力学模型,研究了随机参数反对称 层合板响应的统计特性,推导出层合板位移、速度和加速度的标准差.在数值算例中,对于各种边界 条件,选择样条函数作为振型函数,用样条配点法求出了结构的位移响应量及统计特征值,并与 Newmark法进行了比较,验证了该方法的有效性.     

静态永磁磁路的数值计算方法

永磁磁体以其方便、稳定的优势被广泛的使用,然而永磁体作为一个磁源,一直视为一种具有常数导磁率的材料处理,这不仅造成较大的误差,且对于新材料更难找到相对应的经验公式,极大的阻碍了它们的开发应用.我们采用数值计算,应用电磁等值模型,顺利地处理了这个问题.用这种方法可以设计新器件,也可以验证实用器件的设计合理性.     

窄栅效应的二维数值分析

在MOS器件的二维窄栅效应(NGE)的数值分析中;引入了迁移率模型.改进了chung-Sah的常数迁移率近似的结果.发现其电导曲线的斜率随棚压增大由增加变为减少;其阈值电压的窄栅效应变化比常数迁移率时的大,并提出了新的窄栅效应阈值电压模型公式.当从实验上或二维计算中已知一个窄栅器件以及宽栅器件的电导——栅压特性后,就可推知其它栅宽器件的阈值电压.此模型公式用二维计算值及实验值进行了验证.     

轻掺杂漏LDD MOSFET的工艺及特性

对LDD MOSFET的两种形成技术——侧向刻蚀和边墙技术进行了分析和比较,证明了边墙技术对控制轻掺杂区域长度具有更高的精确性;同时,利用边墙技术和全离子注入工艺,在硅栅NMOS工艺基础上,成功地制得了1μm沟道长度的LDD MOSFET.测试结果表明,LDD MOSFET击穿电压高于常规MOSFET 3V以上,同时阈值电压的短沟效应明显减小.这些优点意味着LDD MOSFET结构在VLSI中有着广泛的应用前景.     

大蒜素提取工艺的研究

通过对大蒜素液真空酒精提取工艺、工艺参数如何影响大蒜素含量、总硫化物含量的研究,提出并设计了大蒜素真空溶酶提取工艺,构建了提取液中大蒜素含量、总硫化物含量、蒜渣中总硫化物含量与工艺参数的关系模型.其中工艺参数有浸提真空度、时间、酒精浓度.利用正交试验优选出了对大蒜素真空溶媒提取较佳的理想的工艺参数：脱臭剂加入量15％,溶酶浓度55％,浸提真空度77308 Pa,浸提时间60d.     

PDP扫描驱动芯片的新型200VP沟功率MOSFET及工艺研究

提出了一种适合PDP扫描驱动芯片的高压P沟道ED-LDMOS器件结构,源漏击穿电压及栅耐压均达到220V以上.通过添加P型扩展阱,能够有效降低P+漏极边缘电场60%,减轻漏极电流汇聚效应,抑制寄生双极型晶体管开启,从而原器件开启态耐压(180V)提高了40V;同时设计了能与0.6μm标准低压CMOS工艺完全兼容的制备工艺,特别提出一种厚栅氧与多晶栅的刻蚀方法——余量刻蚀法,有效防止由于光刻误差引起的栅源短路击穿.     

确定光学玻璃成型锅漏料管位置及尺度的理论分析

本文从流体力学基本理论出发,对浇注高质量光学玻璃起重要作用的漏料管位置及尺度提出了一种新的理论设计观点.通过对成型坩锅玻璃液流的流动分析和计算,可以确定出对消除玻璃成品"条纹"有利的漏料管位置.     

土壤中苯的超声波提取及其快速检测

以合成土样为对象，研究了超声波辅助提取苯的条件及其提取效率，由此建立了土壤中苯含量的快速制样方法。在中档超声波场辐射下，用30mL丙酮－正己烷（体积比1：1）分两次萃取10.0g合成土样中的苯时所获收率最高。在选定条件下用于实际土样分析，以索氏萃取4h的结果为基准，本方法的平均回收率为101.0%，RSD为1.5%。     

基于知识蒸馏的轻量型浮游植物检测网络

当前基于卷积神经网络的目标检测框架已成为主流,使用深层的特征提取网络可以达到很好的目标检测效果,但带来的大量的参数和计算开销使这些算法难以应用到对存储空间和参数量有一定限制的嵌入式设备中.为此,该文提出将知识蒸馏方法用于目标检测网络的特征提取网络,以提升浅层特征提取网络的性能,在降低模型的计算量和规模的同时尽可能地保证模型的性能.实验结果表明,经过蒸馏的浅层网络作为特征提取网络的检测精度比没有经过教师指导的网络精度提高了11.7%.与此同时,该文构建的浮游植物目标检测数据集不仅可以评估一些最先进的目标检测算法的性能,也有利于未来浮游植物显微视觉技术的发展.     

黑豆色素提取条件的优化及其稳定性研究

对黑豆色素提取的最佳工艺条件和稳定条件进行了研究.结果表明,黑豆色素最佳提取条件为:9%盐酸为提取液,70℃恒温,料液比1∶30,提取时间3h,提取率16.2%.该色素在一定的酸性介质、避光以及NaCl、柠檬酸、Vc和无氧化剂条件下能够稳定存在。     

红茶饮料的研制

研制确定了红茶饮料适宜的工艺参数：浸提温度７０℃,浸提时间１０ ｍｉｎ,茶叶加量 １． ５％．探讨了影响成品色泽、气味和滋味的主要因素．     

硅片直接键合机理研究

提出硅片直接键合(SDB)的下列机理:热氧化硅表面的悬挂键在常温下与羟基因形成化学键.两个镜面平整表面互相重合,原子互相以范德瓦斯力互相吸引.在200-400℃,两表面吸附之羟基互相作用形成键合界面的硅醇键.温度高于800℃,硅醇键间发生显著化学聚合反应,形成硅氧键及水.水分子高温下扩散入体内与硅氧化,使键合强度增大,并使键合界面处空洞形成局部真空,有利于空洞消失.水扩散系数随温度而指数增大,在1050℃附近有一转折点,扩散系数增加速率显著减慢.由以上键合机理确定了优化的两阶段键合工艺,制得3英寸直接键合硅片.成功地利用SOI/SDB衬底制备了1-3μm CMOS器件,典型的电子和空穴沟道迁移率为680cm²/V·sec及320cm²/V·sec.     

一种GP参数优化的有效方法

本文提出了一种双极集成电路GP模型参数优化的有效方法.该算法对GP模型迭代方程的参数和节点电压初值的要求大为降低,同时代替非线性方程的求解,以确定本征结电压的多次迭代过程.另外,对优化过程中所采用的简单变换处理箱型约束的方法进行了分析,确定所存在问题并在优化过程中采用了Watchdog方法使这类约束问题得到方便地解决.实验表明,这些处理对GP参数的优化是极为有效的.