基于化合物半导体材料高速光开关的研究

高速光开关及光开关阵列是全光交换的核心器件. 首先给出全内反射型光波导光开关器件的理论分析模型, 并基于GaAs材料中的载流子注入效应, 采用GaAs-AlGaAs双异质结结构, 研制了工作波长在1.55 µm的X结全内反射型和马赫曾德干涉型两种结构的光开关. 测试结果表明, 开关的消光比均超过20 dB, 开关速度达到10 ns量级.     

ⅢA族元素甲基化合物的赝势从头算研究

三甲基ⅢA族元素化合物(MMe_3)的光电子能谱的实验研究已有不少报道。然而,除BMe_3外,关于Al,Ga,In和Tl三甲基化合物电离能的理论计算还未曾见到。前人关于Al,Ga,In三甲基化合物光电子能谱实验的光谱指定和电子结构的研究,都是假定其价电子基态组态与BMe_3的组态相同为前提来进行的。那么这种假设是否成立?其假设     

第四主族金属硫族化合物二维材料研究进展

第四主族金属硫族化合物具有丰富的晶体结构与组成.理论计算预测这类材料的二维晶体具有优异的热电、铁电、压电等性能.但是,目前这类材料的二维结构与性质研究的实验工作尚未系统展开.本文以这类材料二维结构与性质的关联性为切入点,系统展示了这类材料二维结构的合成进展,总结了其二维尺度上的独特性质,并对这类材料的发展前景及挑战进行了展望.     

高容量贮氢材料的最新进展

本文简要综述了最近几年国内外高容量贮氢材料的研究现状。由于传统AB5、AB2、和AB型贮氢材料贮氢量均低于2wt％,限制了贮氢材料在燃料电池上的应用。故障容量贮氢材料（如：Mg－基纳米贮氢材料、V－基固溶体贮氢材料、络合催化贮氢材料以及纳米碳管贮氢材料）的研究备受关注。研究表明,Mg－基纳米贮氢材料具有比一般Mg－基贮氢材料更好的热力学和动力学性能,V－基BCC固溶体贮氢材料常温常压下保持高容量,而络合催化贮氢材料以及纳米碳纤维贮氢材料的贮氢量高达5wt％－20wt％,超过任何传统贮氢材料。     

半导体材料硅的制备

硅是实用上十分重要的半导体材料。它的化合物遍布于自然界中,不象锗要考虑資源問題。硅之所以使人們感兴趣,主要还在于它有比較大的禁带寬度(硅的禁带寬度为1.21电子伏,锗为0.75电子伏),从而导致两个十分重要的結果。首先,由于硅有較大的禁带寬度,能在更高的溫度(>200℃)才变成本征性,因此硅半导体器件能在锗不能长期使用的溫度范围工作。其次,它的p-n結的反向电流比锗要低——低三个数量級,这一性貭在許多迴路应用中是很重要的。然而,提純硅却此提純锗困难得多。这是因为硅的熔点較高(锗的熔点是936℃,硅是1420℃),熔融时有高度的化学活泼性。硅中的某些杂貭有比較大的     

Ⅱ—Ⅵ族宽禁带半导体应变层超晶格的折射率测量

ZnS、ZnSe、ZnTe等宽禁带半导体材料构成的超晶格和量子阱结构可望在可见光光电子器件领域发挥重要作用,特别是它们可制成600—700nm光电子器件,在高密度光学信息系统中的应用,前景非常诱人。因此人们正加紧努力研制基于这种材料的光波导、激光器及光学     

碘杂环化合物的研究Ⅲ.

3,6-二硝基-9-对硝基苯二苯并碘六圜鹽(Ⅴ)、3,6-二氰基二苯并碘六圜鹽(Ⅵ)及3,6-二础基二苯并一对氧碘六圜鹽(Ⅶ)的合成及其性質     

光电半导体材料的理论设计

光电半导体作为一种可以将光能和电能相互转换的材料,近几十年来,在能源和电子信息等领域得到广泛应用.随着计算机算力的提升和理论算法的发展,理论设计方法可以在短时间内探索成百上千种材料,相比于采用试错法的实验方式,具有开发周期短且成本低等特点,逐渐成为新材料研发的关键步骤.通过将物理原则与高通量计算、智能优化算法和机器学习等理论设计策略相结合,可以准确高效地探索性能优异的光电半导体材料.本文概述了光电半导体材料的设计策略和研究进展.首先,介绍基于第一性原理计算光电性质的方法,并分析相关物理性质的成因及其在光电半导体设计方面的意义;然后,结合具体的研究成果对高通量材料筛选、物理原则导向的材料设计、基于智能算法的材料搜索和基于机器学习方法的材料发现等不同的光电半导体设计策略进行概述,为该领域的理论设计方向提供指导原则;最后,对光电半导体设计方面的工作进行总结,并对该领域未来的发展进行展望.     

脂肪族化合物的物理化学性能的结构基础

有机物的物理化学性能,都是以其分子的组分及结构为基础的。从结构与性能的关系来说,有机物分子的物理化学性能(p)大体上可以分为三类:即组分     

二维过渡金属硫族化合物的研究进展

二维过渡金属硫族化合物(transition metal dichalcogenides, TMDCs)是继石墨烯之后的新型范德瓦耳斯材料,由于其天然的二维特性以及强自旋轨道耦合作用(spin-orbital coupling, SOC),导致诸如金属-绝缘体转变、电荷密度波(charge density wave, CDW)、能谷电子学、非常规超导电性等新颖物理性质的出现,使得这类材料成为研究低维量子物理的又一理想平台.其中能谷电子学与拓扑超导已经成为近年来凝聚态物理前沿研究的热点方向.本文在综述TMDCs材料的结构与基本物理性质的基础上,重点介绍了最近发展的用于生长原子层厚度的TMDCs材料的熔盐辅助化学气相沉积方法、在Se掺杂的MoSexTe_2-x薄膜中实现的T_d相到1T′相再到2H相的结构相变与超导增强现象,以及在少层T_d-MoTe₂中发现的非对称性SOC作用引起的类伊辛超导现象.最后,展望了TMDCs材料的潜在应用与可能存在的拓扑超导.     

基于脂肪族聚酯的形状记忆材料

形状记忆高分子材料是一种能记住变形前形状,并在一定环境刺激下得到回复的智能材料.其独特的性质使其可以应用于生物医用、电线电缆、汽车工业、航空航天等领域.脂肪族聚酯以其优异的生物相容性、生物降解性,以及适合的热转变温度范围,在具有形状记忆功能的生物医用材料的设计开发中扮演着越来越重要的角色.本文重点介绍了以聚乳酸(PLA)、聚对二氧环己酮(PPDO)、聚丁二酸丁二醇酯(PBS)、聚十五烷酸酯(PPDL)和聚己内酯(PCL)等为基本组成链段,以物理交联和化学交联为网点结构的脂肪族聚酯共聚物、交联网络及互穿网络在形状记忆材料设计中的应用,阐述了链段拓扑结构对形状记忆行为的影响.     

有机锑化合物Ⅲ.三环已硫基-■(Ⅲ)的合成

<正> 为了研究抗血吸虫的药物,作者进行了一系列含有三价锑的有机化合物的研究。查阅文献,对硫代锑(Ⅲ)酸酯类已有许多研究。Clemence 和 Le     

对半导体材料研究的一些意見

远在十九世紀后半世紀,半导体的某些特性就已被发現。但是对它系統地深入研究,只不过是最近二三十年的事。在第二次世界大战期間,利用半导体p-n結的整流作用制成的检波器,解决了真空管所不能解决的雷达技术中极高頻电路的应用問題以后,半导体科学技术获得了极为蓬勃的发展。物貭按其导电的性貭可分为三类,即导体、电介貭和半导体。导体的电阻率約为10~(-6)～10~(-4)欧姆·厘米;电介貭的电阻率約为10~(14)～10~(18)欧姆·厘米;半导体的电阻率介于导体和电介貭之間。半导体与电介貭只是有量上的差別,而半导体与导体则具本貭的差别。半导体的电阻温度系数为負。电介貭亦如是,不过只有在     

半导体薄膜材料发光特性研究的新方向

硅基低维材料的可见光发射和ＧａＮ基材料的蓝绿光发射是９０年代半导体薄膜材料发光特性研究的两个新方向。本文从能带工程的角度出发，介绍了硅基低维材料的可见光发射机理；从器件应用的角度出发，介绍了ＧａＮ基材料的蓝绿光发射性质。     

半导体材料研究的进展(一)

一百多年前,人们把一类电阻率介于金属和绝缘体之间的物质称作半导体.那时分类的依据并不严格,对这类物质的应用前景也很模糊.在三十年代,量子力学被应用到固体现象后,对半导体才有较严格的了解.四十年代末,用锗制作的晶体管试验成功,电子学学科开始发生了深刻的变革,半导体科学技术得到了广泛应用.近二十多年来,半导体科学技术有了巨大的发展,同时逐步形成了半导体材料研究这样一个综合的半导体研究领域.它包括物理、化     

半导体材料研究的进展(二)

三、其他半导体材料寻找新半导体材料及其应用的另一个领域是:Ⅲ—Ⅴ族,Ⅱ—Ⅵ族化合物间的固溶体;化合物的异质结;各种三元以上的化合物;无定形半导体等.     

碘杂环化合物研究——Ⅴ.碘正离子在吡啶中对碳—碳重键的加成

Ortoleva报告:肉桂酸、碘与吡啶在乙醇中作用,得到一组成为C_9H_7IO_2·C_5H_5N(以后簡称为Ortoleva盐)的化合物,与稀碱作用得到苯乙酮与吡啶,认为其結构式为β-碘代肉桂酸吡啶盐(Ⅰ)。     

宽禁带氧化锌半导体材料的未来与挑战

<正>第三代半导体材料具有宽禁带、高击穿场强、高激子束缚能、高饱和电子漂移速度的典型特征,在半导体照明、下一代通信技术、能源互联网、高速轨道交通、电力电子器件与新能源器件等领域应用广泛,已经成为未来半导体材料领域全球战略竞争新高地.近年来,美国、日本、英国、欧盟等国家和地区分别通过启动国家计划、设立国家创新中心等方式,持续加大对第三代半导体材料与器件的基础研究,不断推进其技术实现应用突破.自