内切环介观结构中的电子输运特性

采用一维量子波导理论，在给定节点处波函数的边界条件情况下，研究内切环介观结构中的电子输运特性．研究结果表明，电子透射几率随内环半径以及内外环半径差的改变均做周期性振荡。     

对称环型介观结构中电子的输运性质

采用介观结构中一维量子波导理论，在给定结点处波函数的边界条件情况下，研究对称环型介观结构的量子干涉晶体管中的电子输运特征，具体讨论了gate长度L以及环周长对电子输运性质的影响。     

弯曲纳米棒中的电子输运

研究了弯曲纳米棒中的电子输运行为.应用Serret-Frenet移动坐标系,借助微分几何运算,将问题转化为线性纳米棒中电子在有效势中的散射.在小曲率情况下,采用一级波恩近似,得到了散射矩阵和总透射系数的解析表达式.结果表明,透射系数随入射电子能量呈现振荡行为.透射系数与曲率的4次幂成正比,表明曲率显著影响电子输运性质.这对纳米力学和纳米电子器件研究有潜在的应用价值.     

内含两个气泡介观环的电子输运

采用介观结构中一维量子波导理论,在给定节点处波函数的边界条件情况下,研究了内含两个气泡介观环结构的电子输运特性.结果表明电子的透射系数随外环半长及两个气泡半周长的改变均做周期性振荡.     

方势垒隧穿中的电子-空穴量子纠缠及其特性研究

研究电子隧穿单方势垒所产生的电子-空穴纠缠特性．依赖于能级的配置,协力纠缠度（concrufence）随势垒高度变化呈有趣的演化特征．     

内含一个气泡介观环的电子输运性质

采用介观结构中一维量子波导理论，在给定节点处波函数的边界条件情况下，研究了内含一个气泡的介观环结构的电子输运特性。结果表明，在这一介观结构中，反共振（T=0）现象在零极对称传输振幅中得到很好的描述，并且电子透射几率随环半长以及气泡半长的改变均做周期性振荡．     

半导体多重直角势垒结构中的电子共振隧穿

把一维Ｎ重直角势垒结构共振隧穿问题的解析工作推广到以多个势垒为单元任意重复排列的统一模型，并考虑了价带的影响。对单元Ｍ为单势垒和双势垒的结构得到简便的透射系数公式。本文结果还证明，发生共振隧穿的电子能量必须位于以Ｍ为原胞的周期系统的允许带内，考虑价带影响后，同等条件下发生共振隧穿的能量明显增大。     

量子波导理论下连一杂质的双环介观结构电子输运性质

利用量子波导理论研究连一杂质双环介观结构的电子输运性质,讨论了环臂长以及磁通量对电子透射几率和持续电流的影响。结果表明,在杂质位置、强度和磁通量一定时,透射几率和两环中的持续电流均随环臂长的改变做周期性振荡,且振荡周期相同;左环中持续电流的峰值明显大于右环中持续电流的峰值,而且左右两环持续电流的顺时针最大值明显比逆时针最大值大。当杂质位置、强度和环臂长一定时,透射几率和两环中的持续电流均随磁通量的改变做周期性振荡,左右两环持续电流的顺时针最大值与逆时针最大值相等。     

Woods-Saxon限制势两电子量子点的自旋单态—三重态跃迁(英文)

使用Woods-Saxon限制势,研究了磁场对二维两电子量子点系统的影响,研究方法的优点是在模型位阱中可以通过两个参数改变限制范围.计算是在有效质量近似框架下采用矩阵对角化方法进行,发现了一个基态行为(自旋单态-三重态跃迁)作为磁场强度的函数.此外还发现Woods-Saxon限制垒的位置和斜率对二维两电子量子点系统的基态跃迁和低激发态性质是重要的.     

纳米量级超导粒子电子比热中的量子尺寸效应

考虑了奇/偶电子数分布,从配分函数出发,用静态路径近似(SPA)方法和BCS方法计算了随机矩阵理论中高斯正交系综(GOE)所对应的电子能级分布对超导纳米粒子的电子比热的影响,得到了弱自旋-轨道耦合和弱磁场中和奇/偶电子数分布下的电子比热,并做了简单分析.经过计算和分析,发现粒子尺寸和奇/偶电子数对电子比热和转变温度有影响.     

Modeling Quantum Transport in Nanoscale Vertical SOI nMOSFET

The electron transports in micro-architecture semiconductor are simulated using vertical SOI nMOSFET with different models. Some details in transport can be presented by changing channel length, channel thickness and drain voltage. An interesting phenomenon similar to collimation effect in mesoscopic system is observed. This may suggest the quite intriguing possibility that scattering may open new channel in sufficiently narrow devices.     

双量子阱中有自旋轨道耦合的场助电子共振隧穿

研究在自旋轨道耦合和周期振动场的作用下,电子隧穿双量子阱结构的透射系数和自旋极化率．通过数值计算发现：隧穿后电子的自旋简并消除,得到与自旋相关的共振峰．电子隧穿宽势阱时出现对称的Breit-Wigner共振峰,而隧穿窄势阱时出现不对称的Fano共振峰．研究也发现通过调节入射能量和中间势垒的宽度,可以改变共振峰的振幅和位置．利用这个原理可以设计可调的自旋过滤器,实现对自旋的调控．     

激光等离子体中电子热输运现象的数值模拟

利用Fokker-Planck模拟并结合我们的数值模拟研究工作,对激光等离子体中电子非局域热输运现象进行了模拟计算与讨论.简要介绍了电子的非局域热输运的基本特性以及激光加热过程中温度烧蚀前沿稠密等离子体子区的预热效应、临界面附近的限流效应,以及冕区的反扩散与限流效应.结合Fokker-Planck模拟与相应流体模拟对比研究,探讨了限流因子的取值以及高强度激光作用下局域限流模型的局限性.     

Recent development of organic electron transport materials

This article reviews the recent development of organic electron transport materials applied in the fields of organic photoconductors, light-emitting diodes, field-effect transistors and solar cells. Several technologies for charge carrier mobility measurement are summarized and compared, and a series of basic principles for designing high-performance organic electron transport materials are suggested as well.     

边界层对粗糙单裂隙溶质运移影响试验

为探究非费克(non-Fickian)运移表现出的峰值提前到达和拖尾等现象,开展了粗糙单裂隙溶质运移试验,总结了粗糙单裂隙中溶质运移特征及运移机理,结合边界层理论对峰值提前到达和拖尾现象进行了分析和解释。结果表明：峰值时间和拖尾时间与边界层厚度之间存在较好的线性相关关系;边界层对裂隙介质溶质运移有较为显著影响,即水流速度越小,边界层厚度越大,滞留在边界层内部的溶质越多,溶质获取率越低;粗糙单裂隙中溶质穿透曲线的峰值提前和拖尾现象是由裂隙中心处以惯性力主导的主流区和裂隙壁面以黏性力主导的边界层区共同作用造成的,其中峰值时间主要由主流区的对流因素控制,而边界层区域的存在对拖尾时间影响较大。     

固体与分子经验电子理论中k公式的量子力学推导

考虑了s,pz,dz 轨道被价电子占据的几率 ,从量子力学角度推导了k公式 .给出的公式适应所有情况 ,且初步解决了杂化态的不确定性问题 .     

有机小分子及金属有机配合物电子传输材料的研究进展

概述了有机小分子及金属有机配合物电子传输材料的研究进展,对由小分子电子传输材料构成的有机电致发光器件的发光性能、发光效率等方面进行了比较,并对小分子材料的研究前景进行了展望.     

一维方势垒中有DresselhausA旋轨道耦合的电子输运

根据有Dresselhaus自旋轨道耦合作用和外加偏压的电子哈密顿量，通过传递矩阵的方法计算势垒内和势垒外的波函数，从而计算出在有外加偏压情况下单势垒的电子隧穿透射系数，研究了Dresselhaus自旋轨道耦合作用及外加偏压对电子自旋输运的影响。     

GaAs原子链耦合石墨烯电子输运性质的理论计算

基于密度泛函理论,运用非平衡格林函数对(GaAs)_4原子链耦合石墨烯纳米条带的电子输运性质进行了第一性原理计算,结果发现通过改变原子链与石墨烯之间的距离可以有效调制系统的电子传输行为.当(GaAs)_4原子链与石墨烯之间的距离d在0.10~0.28nm的范围内变化时,石墨烯、原子链上各自的电子传输要相互影响,且系统的平衡电导在2G_0~7G_0之间发生G_0(G_0=2e~2/h)整数倍的变化,即表现出量子化电导现象;当d0.28nm时,总的电导等于各自的电导之和,此时(GaAs)_4原子链与石墨烯之间的耦合很弱,各自的电子输运相互影响很小.     

含非均匀结构量子波导中6支振动模中的声子输运和热导

利用散射矩阵方法,研究非均匀结构调制的半导体量子波导中6支最低弹性声子模的输运系数与热导性质.研究结果表明:当4支最低声学声子模的截止频率为0Hz且当频率接近于0Hz时,透射系数总为1;当2支光学模的截止频率大于0Hz且当频率接近截止频率时,透射系数总为0;声子模的输运系数、量子化热导平台以及热导性质与量子点的结构密切相关;在极低温度下,扭转模的热导对结构最敏感,而随着温度的增大,压缩模与y方向的弯曲声学模的热导对量子点的结构最敏感;改变量子点的结构能有效调节6支单模的热导.