适于MEMS加速度计读出电路带宽可调的低通滤波器

提出了一种适于MEMS电容加速度计读出电路带宽可调的低通滤波器,带宽调节范围为100Hz～8kHz。信号频率低于500Hz时选用开关电容低通滤波器,高于500Hz的信号则由连续时间低通滤波器来处理。该低通滤波器采用1.2μm的2P2M的N-阱CMOS工艺实现。设计中分析并解决了因时钟信号引起的制约开关性能的因素:优化的开关时序消除了电荷注入引起的非线性;时钟馈通敏感节点增加虚拟开关抵消了耦合电荷;高PSRR共源共栅折叠式差分输入结构,有效地抑制了来自电源的干扰,改善了电路的性能。     

适于MEMS加速度计读出电路带宽可调的低通滤波器

提出了一种适于MEMS电容加速度计读出电路带宽可调的低通滤波器,带宽调节范围为100～8000 kHz。信号频率低于500 Hz时选用开关电容低通滤波器,高于500 Hz的信号则由连续时间低通滤波器来处理。该低通滤波器采用1.2 μm的2P2M的N-阱CMOS工艺实现。设计中分析并解决了因时钟信号引起的制约开关性能的因素：优化的开关时序消除了电荷注入引起的非线性;时钟馈通敏感节点增加虚拟开关抵消了耦合电荷;高PSRR共源共栅折叠式差分输入结构,有效地抑制了来自电源的干扰,改善了电路的性能。     

155Mb／s长波长光电子集成组件的研究

研究了１５５Ｍｂ／ｓＬＤ光发射驱动器，光接收前置放大器、光接收前放＋主放等长波长光电子集成组件，适合当前ＳＤＨ光纤通信技术发展的需要。对上述３种１５５Ｍｂ／ｓ光电子集成组件的电路结构、ＰＩＮ／ＦＥＴ前放的ＰＳＰＩＣＥ计算机模拟结果及测试方法与测试结果，和研制组件所采用的光电子厚膜混合集成与微构装技术作了介绍。     

一种集成SAR-ADC的电容式MEMS陀螺仪高精度模拟接口电路

提出一种为MEMS振动陀螺仪设计的驱动和检测接口电路。 第一步采用通用级和TIA得到低噪声C/V转换, 同时集成采样率1.25 MS/s的14位SAR-ADCs, 将驱动和感应模式的信号转换到数字域。采用这种策略, 模拟电路的复杂性被降低, 数字域的信号可以更精确操作。此接口适用于共振频率为3~15 kHz的MEMS 陀螺仪。此电路在0.18μm CMOS工艺流片。实验结果显示, 在3.5 kHz频率下, 输出电容的噪声密度为0.03 aF/√Hz。     

基于MEMS加速度计的虚拟现实技术的研究*

本文提出并实现了一种基于MEMS(Micro-Electro-Mechanical Systems)加速度计等传感器的隔空书画和情感宣泄手套。在书画模式下,指套笔在空间的随意书写和绘画,将其书写绘画轨迹信息重现于虚拟画板上;宣泄模式下,构建了虚拟情感宣泄场景,并采用关键姿态帧离散化运动序列,通过关键姿态和人体运动特征向量映射重构实现运动识别,最后对最终的识别结果进行动态修正以拟合用户输入。样机验证实验表明,本系统实现了隔空随意书画和“发泄吧”的虚拟化,是虚拟现实技术的一项重要尝试。     

一种适用于电话多频系统中应用的厚膜带通电路

本文根据我国邮电部所颁发的电话系统中多频信号接收的技术指标,讨论了利用由 Akerberg 与 Mossberg 所提出的电路拓扑结构制成厚膜带通电路的情况,文中还对产品的合格率作了粗略估计。     

基于厚膜块STR50115B组成的彩电开关式稳压电源电路分析与研究

文章简述基于厚膜块STR50115B组成的彩电开关式电源电路工作原理，分析该电源电路的工作特点,在此基础上介绍该电源常见故障的检修，并给出维修实例。     

固态溶剂法制备超薄混合基质膜用于分子筛分

分离过程在化工生产、国民经济和国防建设等方面具有重要意义,膜分离技术因高效、节能和环境友好的特点扮演着重要角色。混合基质膜结合了分子筛材料的高渗透分离性能和聚合物膜的良好加工性,近年来成为研究热点。本文主要介绍了混合基质膜的发展以及突破性工作。随着填料类型的丰富,混合基质膜在多种分离场景中表现良好。最近,南京工业大学膜研究团队提出了“固态溶剂法”制备混合基质膜,膜厚可控制在100 nm以下、掺杂量提高了2～4倍,实现了膜渗透性和选择性数量级的提升。该方法构建了一种以填料为主、聚合物为辅的新型混合基质膜结构,在保留良好加工性和放大制备前景的同时,将混合基质膜分离性能推向了类无机分子筛膜的新高度。     

一种1Cr18Ni9不锈钢基片PTC厚膜电路的实现方法

为了将PTC(positive temperature coefficieat)电子浆料以厚膜电路的形式制备在不锈钢基片上,并把不锈钢本体作为散热器,引出电极利用PTC效应制成可控电热元件.方法:提出基于1Cr18Ni 9不锈钢基片的PTC厚膜电路的组成结构,并根据1Cr18Ni 9的膨胀系数和电路元件的电气特性实现了厚膜电路PTC电子浆料的应用设计技术.结果显示以PTC厚膜电路材料组成的可控电热元件,其功率密度高达200 W/cm2;其电阻膜层的表面加热速度可达200-300℃/s;其使用寿命达到1 万小时以上.可见与传统的电热合金材料、陶瓷基片加热器以及元件组合的加热器相比,本实现技术电路具有功率密度大、响应速度快、加热温度可控等优点.     

无机厚膜电致发光显示器件的研究

采用丝网印刷技术,在Al2O3陶瓷基板上印刷、高温烧结内电极及绝缘层,制备出陶瓷厚膜基板,进而制备了新型厚膜电致发光显示器(TDEL).整个器件结构为陶瓷基板/内电极/厚膜绝缘层/发光层/薄膜绝缘层/ITO透明电极.测试了器件的阈值电压、亮度与电压、亮度与频率关系,并对器件衰减特性进行了分析.结果显示厚膜电致发光器件比薄膜电致发光器件有更低的阈值电压和较小的介电损耗,有效地防止了串扰现象.     

新型Sol-Gel技术制备O-3型PZT厚膜材料研究

介绍了以硝酸锆、钛酸丁酯、乙酸铅为原料,去离子水、乙二醇乙醚为溶剂,采用新型So1-Gel技术,即将PZT陶瓷粉末分散于PZTSol中,形成均匀、稳定的厚膜材料先体溶液,再制备厚膜的方法,成功地制备出2～50μm厚的新型0-3型PZT厚膜材料.XRD谱分析显示,PZT厚膜呈现出纯钙钛矿相结构,无焦绿石相存在.SEM电镜照片显示,PZT厚膜均匀一致,无裂纹、高致密.介电性能测试结果表明,PZT厚膜具有优良的介电性能.当测试频率为1kHz,温度为15℃时,介电常数约为860,介电损耗为0.03左右.     

新型Sol-Gel技术制备0-3型PZT厚膜材料研究

介绍了以硝酸锆、钛酸丁酯、乙酸铅为原料 ,去离子水、乙二醇乙醚为溶剂 ,采用新型Sol Gel技术 ,即将PZT陶瓷粉末分散于PZTSol中 ,形成均匀、稳定的厚膜材料先体溶液 ,再制备厚膜的方法 ,成功地制备出 2～ 5 0 μm厚的新型 0 3型PZT厚膜材料 .XRD谱分析显示 ,PZT厚膜呈现出纯钙钛矿相结构 ,无焦绿石相存在 .SEM电镜照片显示 ,PZT厚膜均匀一致 ,无裂纹、高致密 .介电性能测试结果表明 ,PZT厚膜具有优良的介电性能 .当测试频率为 1kHz ,温度为 15℃时 ,介电常数约为 860 ,介电损耗为 0 .0 3左右     

全膜(平+拱)覆盖砂田垄作西瓜集雨补灌试验集成技术研究

在本地旱砂田覆膜西瓜生产中进行集雨补灌试验集成技术田间试验研究,结果表明:在旱砂田西瓜生产中使用全膜(平+拱)可稳定地温,减少水耗,节水省工,节本增效,提高劳动生产率.由于全膜(平+拱)为作物创造了良好的生长发育环境条件,故能大大促进其开花座果,提早成熟上市,提高产品的市场竞争力和经济效益,因此,该技术应作为目前旱砂田...     

光电集成加速度地震检波器系统的研究

提出了一种基于M-Z光波导干涉型的新型光电集成加速度地震检波器,将光波导M-Z干涉仪、十字横梁硅质量块简谐振子、光波导偏振器单集成在同一硅基底上,该系统在GSl020组合振动测量仪(美国)上进行了测试,检测系统性能良好,能满足高精度、宽频带地震勘探要求.     

硬盘用压电厚膜微致动器的制作及有限元分析

设计、制作并分析了一种用于高密度硬盘磁头精确定位的新型压电厚膜微致动器.采用流延技术制备PMN-PZT多层膜元件,使用丝网印刷工艺制作Ag/Pd内电极,并对其进行了有限元建模和仿真.仿真结果表明,当采用4层结构的压电厚膜微致动器时,在外加电压±30 V的条件下,可以实现0.921 6 μm的悬臂自由端位移和19.638 kHz的谐振频率.     

CMOS数字集成温度传感器的开发

为了准确监测65 nm工艺的高速CPU芯片的工作温度,以保证CPU工作时风扇的运转以及过热报警,本文介绍了0.6 μm的CMOS工艺设计实现的一种集成12C总线通讯的具有远程测温功能的智能温度传感芯片.详细介绍了串联晶体管结构和△-ΣA/D转换技术、非重叠的控制时钟和CMOS开关的消除电荷注入误差的设计,使温度精度达到0.2℃;输出数字信号与12C总线通讯的接口设计简化了后续信号处理和接口电路设计.测试结果表明,检测的温度范围从-15℃到95℃,本地温度误差在1℃以内,远程温度误差在0.75℃以内.     

高分辨率磁旋转编码器磁鼓材料的研制

采用磁浆涂布工艺制作了磁鼓涂层材料.研究了不同组分的配方对磁鼓涂层材料性能的影响,制备出性能良好的磁鼓.对Φ32～40mm的磁鼓进行了充磁测试,写入了128和256对极.采用金属薄膜磁电阻传感探头检测磁鼓表面分布磁场,信号通过电路放大、整形后接入示波器和计数器,结果显示输出信号波形良好,计数完整.