矿用隔爆水冷变频器散热路径与传热模型研究

隔爆水冷变频器的主电路损耗是比较大的,这些功率损耗全部通过热量的形式释放,导致功率元件的温度升高,而IGBT模块、整流二极管和晶闸管的最高工作温度受到最高温度不大于150℃的限制．因此．功率元件损耗所释放出来的热量是不容忽视的,必须采取有效的散热措施．保证功率元件工作在最高结温以下。     

在单相自动重合闸过程中判别瞬时故障和永久故障的方法

本文提出了两种在单相自动重合闸过程中判别瞬时故障和永久故障的方法——电压法和补偿电压法。理论分析和实验结果表明两种均简单可靠。电压法适用于220KV和不带并联电抗器及中点补偿电抗器的330—500 KV中、短线路。在较长的220KV线路上则可用本文提出的补偿电压法。     

500kV输电线路防雷分析及防范措施研究

雷击500KV高输电线路是造成线路跳闸停电事故的主要原因。结合自己在500KV电网运行中的实际经验,认真分析了雷电这一自然现象对高压输电线路的破坏性。通过对500KV高压输电线路综合防雷系统设计,全面剖析高压输电网络设计及运行中如何提高500KV输电线路防雷水平,科学有效地减少输电线路雷击跳闸事故,保障高压电网安全可靠的运行,提高供电的可靠性。     

一种新型的整流元件均流在线测试方法

应用温度均流系数计算法判别整流柜桥臂整流元件的出力状况,研究了在实际操作中与传统的测量快速熔断器两端电压降相比,具有较高的安全性及可靠性,同时与在线均流测试仪相比,具有成本低及稳定性高等特点.整流元件均流系数是衡量整流柜元件出力能力及均匀度的重要指标.通过多年的摸索研究,以及对相关数据的采集分析对比,提出温度均流系数的理念,以整流元件测量的温度,根据计算公式,可方便地推导出桥臂元件以及整流柜出力状况,是一种判别整流柜元件均流出力状况的有效方法.     

DF4D内燃机车整流电路故障浅析

针对DF4D机车整流电路多次发生整流元件击穿的问题,从整流电路原理出发,说明整流元件换相过电压的可能;从整流管参数变化、电容器可靠性不高和阻容保护电路设计欠缺方面分析了故障原因,并提出了应对措施.     

高质透明ZnO/ 金刚石异质结的制备

介绍一种高质透明异质结的表征与制备方法. 该异质结首先在金刚石单晶表面制备出p型金刚石单晶薄膜, 然后在其上制备高取向ZnO薄膜, 构成n型区. 系统测试结果表明, 当p\|n结正向偏压达到2.5 V时, 电流密度为109 A/m2, 启动电压为0.72 V, 与期待值一致. 良好的整流特性以及在可见光范围内的透明特性在该元件中得以实现.      

大功率高压硅整流元件的研制成果推广取得明显经济效果

高压硅整流元件在经济建设中,有着广泛的应用领域.目前这种元件已用在通讯、导航、反导等军工方面,用在广播电视系统,用在工业系统的高频焊管等装置之中,还可用于其它任何高压整流装置中.去年六月,我院半导体教研组与大连警备区司令部3280晶体管厂达成协议,为该厂培训制作高压功率硅整流元件的技术人员9人.在培训期间,研制生产50安高压硅整流元件298只,其中5000伏以上元件的成品率为74%,元件最高电压达9000伏.通过二十余天的培训,研制出的50安高压硅整流元件各项电参数达到或超过协议预定指标,达到了国内先进水平.     

油气分离器内整流元件分离流场的数值模拟

为探讨分离器内整流元件的性能优劣,应用标准к-ε模型和多相混合模型,对油气分离器内整流元件分离流场进行了三维数值模拟.通过比较含有4种不同整流元件的分离器内部流场中速度矢量和各相体积分数分布,并与没有整流元件的分离流场进行对比,得到了不同构件的整流特性.研究结果表明,整流元件具有稳定流场、降低流速、抑制涡流的优点,其中田字型板整流元件效果最优,横向平行板次之,而同心圆筒板整流元件的整流效果较差.     

ptr-MIR156a启动子克隆及特征分析

miR156a在火炬松、烟草、拟南芥中的表达与病原菌侵染密切相关。为了研究miR156a在杨树与病原菌互作过程中分子机制,以毛果杨全基因组DNA为材料,预测ptr-MIR156a启动子的大概区域,设计特异性PCR引物,克隆了ptr-MIR156a上游启动子区500、1 000和1 500 bp片段,并进行顺式作用元件分析,然后分别构建了绿色荧光蛋白(GFP)报告基因植物表达载体,最后通过原生质体的瞬时表达体系对其进行了活性检测。结果表明,1 500 bp片段活性最高,1 000 bp片段次之,500 bp片段活性最低。     

500KV仓颉变电站综合自动化技术分析

构建500KV电力主干网是河南省电力发展的方向,500KV变电站在电网中占有非常重要的地位,因此,采用先进成熟的综合自动化技术对变电站的安全、稳定运行相当重要。通过分析500KV仓颉变电站的综合自动化应用情况的优、缺点,提出了一些有益的建议.。     

220KV输电线路自动重合闸装置应用研究

大量线路运行数据表明输电线路绝大多数故障是瞬时的,为了提高220KV输电线路的综合供电可靠性,电力系统通常采用线路保护与重合闸装置相互结合,当线路发生瞬时故障跳闸后,通过自动重合闸装置恢复线路供电以提高其供电可靠性。本文结合自己多年的运行经验,主要对220KV输电线路自动重合闸装置在实际使用中的重点进行了深刻的研究探讨。     

小速比柔性传动技术

重型机械传动系统,因承受突然加载,致使传动部件产生瞬时尖峰载荷,导致传动部件因过载产生断裂事故。为降低传动系统载荷,提高设备抗冲击能力,我院研制成功了小速比柔性传动装置。该装置结构简单,缓     

革新与发明

三相电机全能保护器分延时线路A和控制线路B两部分。A部分由单结晶体管BT、单向可控硅McR、三个电阻、两个电容等元件组成;B部分由三个晶体三极管BG_1、BG_2、BG_3,两个电流互感器L_1、L_2,一个继电器J、一个电位器X_1及三个电阻等元器件组成。A部分避免起动电流对电网的影响;B部分保护电机不受过载和电压变化等所损害。其原理是:电路接通,A部分开始工作。电容C_4经R_5充电,C_4两端电压逐渐上升,当升到BT管峰点时BT管导通,在R_7上产生一个脉冲输出电压,触发可控硅MCR导通,构成控制线路B的电源回路,B方开始工作,电机起动,避免起动电流的冲击影响。电机工作正常时,因为三相电机有一相导线穿过控制电路B中的电流互感器L_1、L_2,L_1、L_2上的感应电压经全波整流后分别加到晶体三极管     

高压硅整流元件高温耐压影响因素的研究

本文分析了硅整流元件的基区电阻率、基区厚度和反向漏电流对高压硅整流元件高温耐压特性的影响,提出了改善高温耐压特性的关键是降低表面漏电流、正确选用基区电阻率及及采用归一化基区的设计思想.文中还对不同归一化基区元件在不同温度下的击穿机理进行了分析。     

500KV系统3/2接线误操作的危害及预防性分析

文章介绍了500KV高压输变电系统中变电站3/2接线的特点,并对常见的带负荷误操作事故的危害性作出分析,同时就3/2接线的几种运行方式中的防误操作进行了预防性分析。其目的:熟悉接线方式的优缺点,重视倒闸操作的重要性,提高运行质量。     

鸡溶菌酶A元件在大豆中对uidA基因瞬时表达的影响

本研究将报告基因uidA(β-葡糖苷酶基因)两侧各含有一个鸡溶菌酶A元件(chiMAR)的中间表达载体pLM9与不含chiMAR的中间表达载体pLM5经农杆菌介导转化大豆,以研究chiMAR对外源uidA基因瞬时表达的影响.结果表明,在大豆品种科丰6号和冀豆12中,chiMAR均能显著提高uidA基因的瞬时表达率(p<0.01),并且chiMAR对不同品种中uidA基因瞬时表达率的影响不同;在科丰6号中,chiMAR对uidA基因的瞬时表达量没有显著影响,但能够降低uidA基因瞬时表达的个体差异度;chiMAR可以显著降低uidA基因在冀豆12中的瞬时表达量(p<0.01),同时提高uidA基因瞬时表达的个体差异度.     

制作p-n结的一种新途径

p—n结,对研究半导体的人特别是对制作半导体器件的人来讲,有着重要的意义。用作整流或电子计算机中的开关元件的二极管就是一个加了外引线的p—n结。可以起放大、振荡作用的结型晶体管和结型场效应晶体管是由互相靠近的两个p—n结组成的;其它如可控硅,一些光电器件等也是由p—n结构成的;因此,要制作半导体器件,就得设法形成符合要求的p—n结。现在形成p—n结的方法有合金烧结、热扩散、离子注入等。这些方法现在已有较成熟的工艺和相应的理论。目前扩散技术、离子注入技术已成为制作半导体器件的重要技术。是不是形成p—n结的方法就是这些呢?我们     

苝酰二亚胺衍生物的电子输运性质的第一性原理研究

利用密度泛函理论与非平衡格林函数的第一性原理方法,从理论上研究苝酰二亚胺衍生物PTCDI-[CH2]n(n=0,2,4,6)分子体系的电子输运性质.结果表明:所有的分子结体系结构中都出现了负微分电阻现象,体系的电子输运性质取决于体系中分子的长度.随着CH2数目的增加,分子的长度相应增加,体系的电导呈指数减少;当n≥2时,分子结呈现整流特性;当n=6时,分子结在±2.1 V时整流比高达72.6;这种整流现象归因于分子的非对称结构.     

倍压整流电路的广义忆阻特性

研究旨在证明二倍压整流电路具有广义忆阻特性,为挖掘倍压整流电路的新功能及新应用提供理论依据.首先,根据电路理论求得二倍压整流电路在电压源激励下输入端口伏安关系式以及电路中电容电压的状态方程;其次,由理论分析所得关系式,选取电路元件参数,施加正弦激励电压,由Matlab软件对端口伏安关系进行数值仿真分析;最后,通过Multisim软件进行虚拟实验以及物理实验进行验证.结果表明理论分析符合广义忆阻器数学定义,数值仿真、虚拟实验及硬件实验3者结果基本吻合,验证了输入端口呈现出忆阻器的3个本质特征,从而证实了二倍压整流电路在取适当电路元件参数时具有广义忆阻特性.     

变电站钢管结构加工焊接工艺及变形控制

本文结合我厂加工变电站钢管结构多年的经验,以西昌500KV变500Z-2构架的焊接为例,论述了我厂钢管构架的法兰和横撑焊接的工艺和方法及焊接变形的控制措施,通过对前后变形实测结果和数据的分析,总结归纳了此类焊接结构变形的一般规律,提高了产品焊接质量,对于指导、规范同类产品的加工具有较高实用价值。