GaP(N)中深能级缺陷和发光效率

用光电容方法研究了GaP(N)样品中深能级杂质缺陷;以曲线拟合方法计算机分析多能级响应的瞬态光电容谱,确定深能级参数:能级位置、能级浓度和光发射率等;并测量了GaP(N)LED的发射光谱和发光效率。结果表明:发光效率较低的LED(η_(ext)=0.019％)中存在着E_1、E_2、E_3、E_4、E_5、H_1多种深能级;发光效率较高的LED(η_(ext)=0.096％),深能级较少(E_3、E_4、H_1)。这些深能级具有无辐射复合中心作用,使发光效率明显降低。     

NTD硅电子辐照缺陷的等时退火特性

本文研究了ＮＴＤ硅，经电子辐照缺陷的等时退火特必最五个缺陷能级，结果表明其中Ｅ３和Ｅ４级有比它三个能级的热稳定性更好。     

用DLTS研究硅中注磷缺陷的退火行为

用DLTS确定N型硅中注磷产生的电学缺陷,测量了从200℃到700℃热退火和不同辐照时间的CW-CO_2激光退火后电子陷阱的能级,浓度剖面分布和俘获截面,根据缺陷的退火行为并和已报道的数据进行了比较,分析了缺陷的可能构造。     

AsCl_3/Ga/H_2系统GaAs外延片的高分辨率深能级瞬态谱研究

用 AsCl_3/Ga/H_2气相外延系统在 GaAs 衬底上生长出GaAs 外延层并制成 Au-GaAs 肖特基结构.利用高分辨率深能级瞬态谱(HDDLTS)仪研究了外延层中深能级的特性.结果表明,缺陷和杂质在外延层中引进若干较高浓度的深能级,经退火后缺陷深能级会被消除.     

电子辐照硅的缺陷退火特性及少子寿命控制

本文研究电子辐照硅p~+-n结的缺陷退火特性及少子寿命控制.在双空位的退火过程中存在两种退火机理,分别在较低温度下及在较高温区内起主要作用.得出缺陷E_3的激活能为1.7eV,频率因子为2.8×10~9S~(-1).控制少子寿命的中心是双空位及E_3.     

电子辐照直拉硅退火后辐照施主行为的研究

利用多种实验手段对电子辐照直拉硅退火过程中辐照缺陷的施主效应进行了研究,同时探讨了不同辐照剂量、初始氧含量以及预处理对辐照施主形成的影响．实验结果表明,电子辐照直拉硅后其电阻率迅速增加,低温退火即可恢复真实值;辐照施主是氧施主一缺陷的复合体,其激活温度在750℃左右,低温预处理有助于辐照施主的异质形核．     

中子辐照的6H-SiC单晶的退火回复特性

对6H-SiC单晶进行中子辐照(中子总剂量为2.85×1020 n/cm~2)后对其进行200~1 700℃的等时退火处理,利用X线衍射技术(XRD)观察和分析中子辐照对样品造成的损伤及其回复规律.通过研究(0001)晶面衍射峰的峰形和峰位置发现,等时退火处理后,辐照缺陷逐渐消失,晶体衍射峰的半高宽在200~600℃回复明显,在600~1 400℃没有明显变化,但在1 400℃之后又开始明显减小,最后接近辐照前的数值.而晶面间距d在200~1 400℃时持续减小,之后又随退火温度的升高而变大,最后接近辐照前的数值.通过对辐照损伤回复规律的分析认为,中子辐照使样品内部出现了大量点缺陷和线缺陷,而这些缺陷大多可以通过高温退火消除.     

晶闸管中少子寿命控制技术的分析研究

本文通过对掺 Au、掺 Pt、电子辐照、γ射线辐照实验样片的 DLTS 测量、分析,确定它们在 N 型硅片中产生的有效复合中心能级分别为 E_(c-0.54ev)E_(v+0.42ev)、E_(c-0.42ev)、E_(v+0.45ev)。根据 Shockley 单能级复合理论的计算及采用四种寿命控制方法制造的快速晶闸管电参数的测量、分析和比较,提出对这四种少子寿命控制技术的适当评价。     

粒子束辐照在AlGaAs/GaAs量子阱材料中引入的深能级缺陷

作者对AlGaAs/GaAs结构调制掺杂材料及多量子阱材料,分别使用电子束或质子束辐照.电子束辐照能量为0.4～1.8MeV,辐照注量为1×1013cm-2～1×1016cm-2,质子束辐照能量为20～130keV,辐照注量为1×1011cm-2～1×1014cm-2.辐照前后的样品均经过深能级瞬态谱(DLTS)的测试.测试结果表明,电子束辐照引入了新缺陷,其能级位置为E3=Ec-0.65eV,而质子辐照引入的深缺陷能级为E1=Ec-0.22eV,电子和质子束辐照同时对与掺Si有关的原生缺陷Dx中心E2=Ec-0.40eV也有影响,即浓度发生改变,峰形亦不对称,说明其中包含有其他邻近缺陷的贡献.DLTS测试给出了这些深中心的浓度及俘获截面等参数.     

热处理对电子辐照硅中多稳态缺陷的影响

利用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）对电子辐照区熔硅中多稳态缺陷进行研究的结果表明，经２ｈ１０００℃温度退火后，观测到在Ｅｃ－０．４４ｅＶ能级中的多稳组态由４０％减少到１０％左右。这一实验结果为稳态缺陷不是Ｐｓ－Ｃｉ结构，而是Ｅ中心自身在晶场应力下显示稳态特性的设相提供了有说服力的证明。     

高压二极管中子,电子和γ辐照特征的研究

本文对加固P~ nn~ 高压整流二极管分别进行了中子、电子和γ射线不同剂量的辐照,测试和分析了辐照感生缺陷的能级位置、密度及俘获截面,并研究了材料少数载流了寿命和器件正向电压等参量的变化特征及退火行为.实验结果表明.由于采用了新工艺、新材料使器件具有良好的抗辐照性能,同时NTD材料亦显示出较好的耐辐照特性.三种不同辐照源的辐照结果反映了它们各自的损伤特征.     

质子辐照与电子辐照对空间GaAs/Ge太阳电池性能影响比较

利用地面实验室加速器提供的离子束模拟空间质子、电子辐射,分别对空间实用GaAs/Ge太阳电池进行不同注量的辐照,并跟踪测试其电性能变化和深能级瞬态谱,研究这种太阳电池的电性能参数随质子、电子辐照注量的变化关系,得到质子、电子辐射效应及两者辐射效应的联系规律.结果表明:引起电池性能参数衰降相同时,1 MeV电子辐照注量比10 MeV质子的通常要大3个量级,质子辐照与电子辐照使电池性能参数Pmax下降了25%时,辐照注量有近似关系Φ1 MeV(e)≈2 500×Φ10 MeV(p).10 MeV,3×1012cm-2质子辐照在电池材料中引入Ec-0.18 eV和Ec-0.65 eV深能级,1 MeV,1×1015cm-2电子辐照在电池材料中引入Ec-0.12 eV和Ec-0.18 eV深能级,电子、质子辐照产生的损伤缺陷不尽相同.     

AB型14等电子体的电子结构及解析

用4-21G及6-311G以及在N、O、G、B、F原子上加有d-极化函数的基,对N_2及其等电子体NO~+、CO、CN~-、BF进行HFR-SCF能量梯度优化计算。当内坐标力达到5×10~(-11)牛以下时得优化键长。根据各稳定构型时MO的特征向量及能级次序讨论及解析:1)在用较小基组时,N_2的能级次序反常于O_2、F_2,构成双原子分子另一类MO能级次序,为E_(3σv)>E_(1πu);2)四个等电子体和N_2有相同能级顺序,其E_(5σ)和E_(1π)的差值将随两原子在周期表中位置距离拉大而增加;3)当用较大基组时,N_2的MO能级次序又重新倒置过来,于是窥见“头”对从头计算结果的影响。从而为MO理论在双原子分子中的应用提供一套全部是理论计算的数据。     

AB型14等电子体的电子结构及解析

用4-21G及6-311G以及在N、O、C、B、F原子上加有d-极化函数的基,对N_2及其等电子体NO~+、CO、CN~-、BF进行HFR-SCF能量梯度优化计算.当内坐标力达到5×10~(-11)牛以下时得优化键长.根据各稳定构型时MO的特征向量及能级次序讨论及解析:1)在用较小基组时,N_2的能级次序反常于O_2、F_2,构成双原子分子另一类MO能级次序,为E_(3σg)>E_(1πu);2)四个等电子体和N_2有相同能级顺序,其E_(5σ)和E_(1π)的差值将随两原子在周期表中位置距离拉大而增加;3)当用较大基组时,N_2的MO能级次序又重新倒置过来,于是窥见“头”对从头计算结果的影响.从而为MO理论在双原子分子中的应用提供一套全部是理论计算的数据.     

6H-SiC γ辐照的正电子研究

用正电子湮没寿命谱(PALS)方法对经过不同剂量γ辐照的n型6H-SiC内的缺陷进行研究.实验表明,辐照可以使样品内部产生单空位缺陷Vc.对实验中得到的寿命谱的变化进行分析发现,低剂量的γ辐照对n型6H-SiC有类似退火效应的作用.这些研究结果可以为n型6H-SiC的生产及其可能的应用提供有效的参考价值.     

高注量中子辐照金红石单晶电学特性的研究

金红石单晶体经中子辐照后，不仅由无色透明变为深兰色，而且导电特性发生很大变化，且由高绝缘材料变为n型半导体，作者分别在低温、室温及高温下，研究了样品电阻随温度的变化关系，并在空气和真空气氛下，对比研究了气氛对辐照后样品导电特性的影响。结果表明，金红石晶体经中子辐照后，在低温下具有典型的半导体导电特性；在高温下于空气中退火，样品会被逐渐氧化，最后变为无色的绝缘体；在10^-4Pa高真空气氛中退火，样品表现出点缺陷导电行为，且缺陷离子具有两个不同的激发能级（0.06eV和0.12eV)，分别对应子H^ 和Ti^3 ，且在整个过程中没有发现样品被氧化。     

He离子辐照金属钨引入缺陷的微结构研究

采用能量为100keV的He离子在室温下辐照金属钨,辐照注量范围为1.4×1017-3.5×1017/cm2,辐照后对样品进行了1100℃退火处理.利用X射线衍射、慢正电子多普勒展宽和扫描电镜技术研究了钨中He离子辐照引入的缺陷和注量之间的关系.研究结果表明辐照并退火后材料内部晶面间距增大,空位型缺陷浓度或尺寸随辐照注量的升高而增大,而高注量辐照的样品表面晶粒间连接疏松并存在孔隙,钨表层可能生成了大尺寸的He空位复合体或He泡.     

一组改进的电子能级计算式

一、原子外围各态电子能级之计算和分组光谱实验和量子力学证明,由于屏蔽效应的存在,多电子原子外围各态电子的能级(E_1),不但主要取决于主量子数(n),而且角量子数(l)也很重要,且l愈大其影响愈显著。那么多电子原子外围各态电子的能级应如何计算呢?徐光宪在前人工作的基础上,从光谱数据中归纳得到下列经验规律:     

H_2O_2对涂层老化行为影响研究

采用光泽度、色差检测及SEM分析,研究H_2O_2对涂层加速老化行为。考察了H_2O_2浓度、辐照强度和辐照时间对涂层失效特征的影响。实验结果表明,涂层的失光率和黄变系数随着H_2O_2浓度、辐照强度和辐照时间的增加而呈上升趋势。开展了紫外加速老化、氙灯加速老化和H_2O_2+氙灯加速老化三种老化实验,并探讨他们之间的相关性。结果表明,H_2O_2+氙灯加速老化效果强于其它两种老化方法,基于紫外加速老化方法的加速因子为30,基于氙灯加速老化方法的加速因子为80。     

三能级系统的(1+1'+1')共振电离动力学的理论研究

根据三能级系统三光子共振激发过程,建立了求解各能级布居数和电离效率的速率方程组,通过拉普拉斯变换方法,得到了在多光子激发电离过程中各能级布居率和电离效率的解析表达式,并运用该表达式研究了铯原子在典型实验条件下,基态6s(S1/2)相继吸收2个光子到达共振态6p(P3/2)、7d(D3/2)后再吸收一个光子电离的(1 1' 1')过程中,各激发光强度以及激光脉冲宽度对各共振激发态布居率和电离效率的影响,并得到了各能级分别抽空时激发光强度必须满足的条件.