镶嵌纳米碳粒氧化硅膜的电致发光研究

采用复合靶磁控共溅射法制备了含纳米碳粒的氧化硅薄膜．测量显示，随着正向偏压的增加，来自Au／含纳米碳粒氧化硅膜／p-Si结构的电致发光峰位于650nm处几乎不移动．     

Au/(Si/SiO_2超晶格)/p型Si结构的可见电致发光研究

采用磁控溅射技术制备了 Si/ Si O2 超晶格薄膜 ,在正向偏压大于 4 V即可观测到了来自Au/ ( Si/ Si O2 超晶格 ) / p - Si结构在室温下的可见电致发光 .认为光发射主要来自于 Si O2 层中的发光中心上的复合发光 ,对实验结果进行了解释 .     

Au／（Su／SiO2超晶格）／p型Si结构的可见电致发光研究

采用磁控溅射技术制备了Si/SiO2超晶格薄膜,在正向偏压大于4V即可观测到了来自Au/(Si/SiO2超晶格）／p-Si结构在室温下的要中见电致发光,认为发光射主要来自于SiO2层中的发光中心上的复合发光,对实验结果进行了解释。     

有机薄膜电致发光器件的研究进展（综述）

对近几年来有机薄膜电致发光（ＥＬ）器件的研究进展进行了综合评停和分析,有机薄膜ＥＬ器件是近年来国际上研究的一个热点,该器件具有可与集成电路相匹配,直流电压低,发光亮度高,以及它与无机薄膜相比较易实现多色显示等优点。     

交流电致发光线微区成分的研究

采用电解和热解石墨炉原子吸收光谱分析相结合的方法，定量测定了ＺｎＳ：Ｃｕ单晶中交流电致发光线的微区成分。验证了交流电致发光线是位错线被Ｃｕ缀饰的结果；位错线的结构区域是Ｃｕ发光中心的接受体。     

锗/氧化硅纳米多层膜的电致黄光发射研究

通过射频磁控溅射法制备了锗/氧化硅纳米多层薄膜.测量到了来自Au/锗/氧化硅纳米多层膜/p-Si结构的电致黄光发射,并发现该纳米结构具有整流特性.     

交流薄膜电致发光显示器件的表面保护及其特性研究

对采用二源电子束蒸发方法制作的双重绝缘层结构的Zns：Mn交流薄膜电致发光（ACTFEL）显示器件，进行了两种不同的表面保护，发现不同的保护方法对器件的发光特性有不同的影响。通过计算机模拟，其结果与实验数据吻合得较好，有助于加深对器件发光特性的研究。     

有机薄膜电致发光器件研究及其应用前景

从有机发光材料、器件结构与制备、工作原理、发光机理以及器件的稳定性等方面对有机电致发光器件的研究现状进行了评述，并对有机电致发光器件可能的应用前景进行了展望。     

Au/Ge/SiO2/p-Si结构中的电流输运特性

用射频磁控溅射双靶交替淀积的方法在p-Si(100)衬底上制备了Ge/SiO2薄膜,利用Au/Ge/SiO2/p-Si结构的I-V特性曲线研究了该结构的电流输运机制.分析表明,在较低的正向偏压和反向偏压下,电流输运机制分别为Schottky发射和欧姆输运电流;而在较高的正向偏压下,Frenkel-Poole发射和空间电荷限制电流两种机制共同作用.     

含纳米硅氧化硅薄膜的多峰光致发光研究

采用γ射线辐照含纳米硅的氧化硅薄膜,测量了其辐照前后的光致发光谱.用Gauss函数对各发光谱进行了拟合,结果表明各光谱都是三峰结构.γ辐照后,除原有的2个位于800 nm(1.55 eV)和710 nm(1.75 eV)的发光峰峰位几乎未变之外,位于640 nm(1.94 eV)的肩峰被一个很强的580 nm(2.14 eV)的新峰遮盖.根据实验现象与光谱分析,可以认为含纳米硅的氧化硅薄膜的光发射主要来自电子-空穴对在SiO2层发光中心上的辐射复合.     

硫化锌薄膜直流电致发光能量传递机制的研究

通过对所研制的ＺｎＳ：Ｃｕ，Ｃｌ，Ｅｒ薄膜器件的电致发光衰减特性及短脉冲激发下样品发光特性的测量，发现能量传递现象。提出了激活能量由铜中心或其它自激活中心向Ｅｒ＾３＋发光中心传递的模型，很好地解释了实验结果。     

pH值对电致发光粉表面包覆SiO2膜的影响

采用Na2SiO3水解法,在ZnS:Cu电致发光粉表面包覆SiO2膜层,并主要分析了包SiO2膜时,pH值对包覆膜致密性的影响.发现电致发光粉在pH=9.5的Na2SiO3溶液中预分散条件下,陈化至8.5,易于形成均匀致密的SiO2膜层.因此,电致发光粉的老化性能得到一定程度的改善,延缓了它的老化.     

新法制备高亮度蓝色SrS∶Ce薄膜电致发光器件

以ＳｒＳ∶Ｃｅ和ＺｎＳ的混晶为原料用电子束蒸发的方法制备了蓝色ＳｒＳ∶Ｃｅ薄膜电致发光（ＴＦＥＬ）器件,研究了新法制备的ＳｒＳ∶Ｃｅ膜的光致发光（ＰＬ）性能和它的电致发光（ＥＬ）器件的电致发光性能,并与直接用ＳｒＳ∶Ｃｅ粉末制备的薄膜和器材的性能进行了对比．结果表明混晶法制备的薄膜电致发光器件的亮度和效率比直接法制备的器件要高得多,且ＺｎＳ的引入弥补了在ＳｒＳ∶Ｃｅ薄膜Ｓ的不足,避免了直接用ＳｒＳ∶Ｃｅ材料蒸发而采用的共Ｓ蒸发方法中Ｓ气氛对环境的污染．     

有机电致发光材料的研究进展

有机电致发光材料由于其显著的优点成为发光照明、平板显示器、全彩色电致发光LED的“希望之星”,导致了发光照明和显示技术领域的重大变革.文章简要介绍了有机电致发光材料的发光原理和应用,详细讨论了有机电致发光材料的分类及其研究进展.     

苯并噻唑取代咔唑衍生物的电致发光性能

设计并合成了两个苯并噻唑取代咔唑衍生物:3-苯并噻唑基-N-苯基咔唑(BPCz)和3-苯并噻唑基-N-萘基咔唑(BNCz).BPCz和BNCz固体薄膜光致发光光谱峰值分别位于418,426 nm.循环伏安法中测得二者的LUMO轨道能级分别为3.64,3.59 eV.以BPCz和BNCz为发光层制作了结构为ITO/NPB/BPCz or BNCz/TP-BI/Alq3/LiF/Al的器件,BPCz和BNCz器件的发光峰值分别为429,435 nm,14 V直流电压驱动时,BPCz和BNCz器件的发光亮度分别为918,1495 cd.m-2.当电流密度为20 mA.cm-2时,BPCz和BNCz器件的量子效率分别为0.73%,1.35%,电流效率分别为0.95,1.56 cd.A-1,流明效率分别为0.32,0.55 lm.W-1.     

氧化亚硅/石墨/碳复合材料的制备及其电化学性能

采用高能球磨法和高温焙烧法,以氧化亚硅、石墨和葡萄糖为原料,制备了氧化亚硅/石墨/碳(SiO/G/C)复合材料,研究了其最佳制备条件和电化学性能.结果显示,在氩气中700℃下焙烧2h后所制得的SiO/G/C负极材料在质量比为SiO∶G∶C=34∶51∶15时具有最佳的电化学性能.该复合材料首次放电容量为803.5mAh/g,50周时放电容量仍保持在592mAh/g.XRD结果表明,该复合材料主要组成为SiO、石墨和无定形碳.石墨和无定形碳的添加对SiO的电化学性能有显著改善作用.     

块状低密度C/SiO2复合气凝胶的制备

采用溶胶凝胶法结合CO₂超临界干燥工艺制备间苯二酚甲醛/SiO₂（RF/SiO₂）复合气凝胶,RF/SiO₂气凝胶高温炭化得到块状低密度C/SiO₂复合气凝胶研究反应物质量分数对溶胶凝胶过程和热处理过程的影响,考察不同热处理温度对C/SiO₂复合气凝胶孔结构的影响。结果表明:反应物质量分数为13%时,RF/SiO₂气凝胶受热处理工艺的影响较小,炭化温度升高至1200℃对C/SiO₂气凝胶网络结构有明显的改善作用。     

ZnS:TmF3薄膜电致发光特性的研究

为了提高蓝色薄膜电致发光器件(TFEL)的发光亮度,自行配制了氟化铥(TmF3),并制备了以ZnS:TmF3为发光层的薄膜电致发光器件,研究了TmF3的掺杂浓度对ZnS:TmF3 发光器件发光特性的影响.实验结果显示,当掺杂浓度为1.2%mol时,发光亮度最强.     

发光层厚度对有机电致发光器件性能的影响

采用真空热蒸发镀技术制备了双层结构的有机电致发光器件：ITO／TPD／AIq3／Al,测试Alq3发光层厚度分别为30nm、70nm、120nM的有机电致发光器件的J-V、L-I特性曲线,研究其发光强度随发光层厚度的变化影响,并解释产生影响的主要原因。