圆容栅传感器结构改进及其精度分析

圆容栅传感器是一种角行程传感器,其动栅和定栅是平行放置的两个圆盘,实现了动栅和定栅的完全覆盖,有效避免了灰尘和潮气的入侵。文章在理论分析基础上,对圆容栅传感器结构进行了改进,探索进一步提高其测量精度的途径。与传统的直行程容栅传感器比较,不仅测量范围增大,动、定栅的相对移动灵活性增强,而且进一步增强了抗干扰能力。圆容栅传感器具有良好的应用前景和很高的推广使用价值。     

高精度调相式容栅位移传感器

分析了调相式容栅位移传感器的工作原理，针对其原理非线性误差，提出了一种高精度的调相式容栅位移传感器，并对其进行了理论分析。     

容栅测角数显仪的误差分析

容栅测角数显仪是一种角行程传感器,其动栅和定栅是平行的两个圆盘,可实现两圆盘的完全覆盖。文章介绍了群聚型测角传感器的结构,分析了影响测量精度的因素和改进方法。     

容栅传感器位移测量系统研究

本文介绍了容栅位移传感器的结构和工作原理，并在传统容栅传感器基本原理研究基础上，深入研究了鉴幅式容栅系统和鉴相式容栅系统信号激励方式和信号输出规律，分析开发出单片机和数字鉴相器为核心的鉴相式容栅高度测量仪。     

专利情报

容栅数显三等标准米尺本专利属于一种长度测绘和计量仪器。是将容栅技术应用到数显标准米尺上,在基尺上装有定栅,在该定栅和基尺上安装一个滑尺,滑尺是由动栅数显组件、基准对线板和支架构成,使用时只要将对准线对准测址起始点,然后按动动栅数显组件上的置零按扭,再将对准线移动到测量终点时,液晶显示板将正确显示出测量的位移读数。本容栅数显三等标准米尺符合国家HB8004-91标准,测量长度可达1OOOmm.分辨率达到0.O1mm.使用迅速方便。     

数显棱角度错边量检测仪缓进给磨削工艺研究

为了实现容栅式数显焊接棱角度错边量检测仪的批量生产,必须解决其产业化过程中的关键加工工艺难题.本文主要介绍了容栅式数显焊接棱角度错边量检测仪尺身定栅槽、基尺外形的成型磨削加工工艺以及砂轮修整工艺,此外,对成型磨削过程中的计算机模拟进行了分析.     

电子数显量具国产化问题探讨

根据所选用的传感器类型,电子数显量具(简称数显量具)可分为光栅式、容栅式、感应同步器等型式。 各类数显量具国内均有组装或生产,如容栅式数显卡尺、千分尺,感应同步器数显卡尺等。此外,还有电容式和电感式测头、塞规等,由于容栅传感器与光栅、感应同步器相比具有抗干扰能力强、能够在恶劣环境下工作等优点,近年来这种量具已占主导地位,品种产量逐年增加,国产化程度也较高。     

制造精度控制及在线检测

1数据检测与采集硬件技术 加工质量集成控制系统的硬件主要由三部分组成:容栅传感器、多功能数据采集器、微型计算机.由于容栅量仪数据输出口为非标准的RS232串行口,故需要中间的接口电路,将其转换为标准的RS232信号.     

容栅传感器数学模型探讨

容栅传感器是一种新型的大位移传感器,在数显量具中得到广泛应用,但对其作深入、细致的实测和分析的还不多见。本文采用理论计算和实际测试相结合的方法,研究容栅传感器的数学模型,提出新的等效电路,对激励电压、电容量与位移之间关系以及输出电压进行实测和计算机分析。     

太阳能数显卡尺的应用

数显卡尺是机械式刻线卡尺的升级换代产品。我国数显卡尺主导产品是以容栅传感器为传感元件的容栅式数显卡尺,这种卡尺使用国产的电池寿命短,特别是出口产品从产品出厂到用户使用经过时间较长,电池自放电已不能正常工作,用户往往误以为产品质量不合格,造成不必要的损失。太阳能数显卡尺可以弥补这些不足。     

基于BP神经网络的关口电能计量装置测量误差预测及校正

关口电能计量装置造成的误差通常会给电网公司带来巨大的经济损失,因此提高关口电能计量装置的准确度,具有十分重要的应用价值.通过对关口电能计量装置的历史数据进行分析,采用BP(back propagation)神经网络算法进行误差预测,筛选出最适合关口电能计量数据的优化模型,并且校正计量异常值,从而减小电能计量装置产生的误差,提高电能计量的准确性.实验表明,误差预测及校正模型能准确预测关口电能计量装置误差,修正异常值.     

结构参数对电容触摸屏线性度的影响

用ANSYS软件对二维电容触摸屏的结构参数进行计算和分析,讨论了结构参数对位置线性度的影响,并通过测试实验进行了验证.结果表明:触摸面电阻率与电极电阻率的比值γ会影响矩形电极结构电容触摸屏的线性度,γ越大,电容触摸屏的线性度越好,其合适的取值范围是γ>100;调整电容触摸屏位置坐标换算式中的参数κ能改善电容触摸屏的线性度;由负载电阻、电极结构和不均匀触摸面所引起的位置误差不可忽略.     

高精度电压测量回路的研究

对电容式电压互感器与电磁式电压互感器的计量误差进行了分析,提出了一种新的电压互感器二次回路压降补偿方法,采用该方法的二次回路压降补偿装置与进行过空载补偿的电容式电压互感器或电磁式电压互感器配合使用时,可使整个电压测量回路的计量误差非常小.     

电子计数法测频提高测量精度的分析

本文通过误差分析,说明电子计数法直接测频和通过测周期得到频率的两种方法,其测量精度主要取决于被测信号与闸门信号不相关引起的量化误差.虽采取相应的措施,可在一定的条件下提高测频精度,但受到各种条件的限制,难以实现宽频带、高精度测量.而在直接测频基础上发展的多周期同步测频方法,由于闸门与被测信号保持同步而消除了对被测信号计数所产生的±1个字的量化误差,实现了频带内的等精度和高精度测频.     

六自由度并联微动机器人全闭环控制系统研究

为了提高基于压电陶瓷驱动的3-PPSR并联微动机器人的定位精度,将一种电容式微位移传感器集成于并联机构上,采用六点式测量法同时得到并联机器人末端六个自由度的位姿.使用微位移循环修正法进行误差分析和补偿,确定初始误差并在此基础上提出了有效的误差补偿方法.在已有的压电陶瓷闭环控制的基础上,利用测量所得的并联机构末端位姿作为反馈信号,采用模糊PID控制法实现了整个机构的闭环控制.     

电容式传感器的设计方法探讨

研究者从间距变化型电容传感器的工作原理出发,从检测原理、参数分析和主要误差来源等方面对差分式电容传感器系统的设计方案进行了研究。分析结果表明差动式电容传感器的灵敏度比一般电容传感器提高了一倍,同时差动式电容传感器的非线性误差得到了明显的改善。电容传感器的主要误差来源于电路噪声和电容传感器的非线性。     

An error-free protocol for quantum entanglement distribution in long-distance quantum communication

Quantum entanglement distribution is an essential part of quantum communication and computation protocols. Here, linear optic elements are employed for the distribution of quantum entanglement over a long distance. Polarization beam splitters and wave plates are used to realize an error-free protocol for broadcasting quantum entanglement in optical quantum communication. This protocol can determine the maximum distance of quantum communication without decoherence. Error detection and error correc-tion are performed in the proposed scheme. In other words, if there is a bit flip along the quantum channel, the end stations (Alice and Bob) can detect this state change and obtain the correct state (entangled photon) at another port. Existing general error detec-tion protocols are based on the quantum controlled-NOT (CNOT) or similar quantum logic operations, which are very difficult to implement experimentally. Here we present a feasible scheme for the implementation of entanglement distribution based on a linear optics element that does not need a quantum CNOT gate.     

电容式气-固两相流相浓度传感器的优化设计

气固两相流相浓度是工业亟需的一个难以准确测量的重要参数。该文从工业应用角度出发 ,设计了一种带有对称边保护极板的螺旋形状表面板电容式相浓度传感器。采用三维有限元方法和正交试验设计方法相结合对传感器结构进行了优化设计。经实验验证 ,其检测场均匀性误差低于5 % ,显著地改善了电容传感器的“软场效应”,有效地减小了相分布及流型变化对测量结果的影响 ;与电容式速度传感器等组合成一体化装置 ,可用于在线测量气送粉体的瞬时流量。已在现场应用 ,运行效果良好     

Low-voltage organic transistors with an amorphous molecular gate dielectric

Organic thin film transistors (TFTs) are of interest for a variety of large-area electronic applications, such as displays, sensors and electronic barcodes. One of the key problems with existing organic TFTs is their large operating voltage, which often exceeds 20 V. This is due to poor capacitive coupling through relatively thick gate dielectric layers: these dielectrics are usually either inorganic oxides or nitrides, or insulating polymers, and are often thicker than 100 nm to minimize gate leakage currents. Here we demonstrate a manufacturing process for TFTs with a 2.5-nm-thick molecular self-assembled monolayer (SAM) gate dielectric and a high-mobility organic semiconductor (pentacene). These TFTs operate with supply voltages of less than 2 V, yet have gate currents that are lower than those of advanced silicon field-effect transistors with SiO2 dielectrics. These results should therefore increase the prospects of using organic TFTs in low-power applications (such as portable devices). Moreover, molecular SAMs may even be of interest for advanced silicon transistors where the continued reduction in dielectric thickness leads to ever greater gate leakage and power dissipation.