~（181）Ta，（139）La，~（140）Ce和~（142）Ce麦克斯韦谱平均俘获截面的测量

在脉冲静电加速器上，利用~７（ｐ，ｎ）~７Ｂｅ反应产生的中子和使用活化法相对于Ａｕ的麦克斯韦谱的平均俘获截面，测量了ｋＴ＝２４ｋｅＶ的~（１８１）Ｔａ，~（１３９）Ｌａ，~（１４０）Ｃｅ和~（１４２）Ｃｅ麦克斯韦谱平均俘获截面，并将测量结果与文献值进行了比较．     

偏振模色散对高速光码的影响

研究一阶、二阶偏振模色散（PMD）对10 Gb/s和40 Gb/s的光传输系统性能的影响，考虑PMD的统计特性，基于基本偏振态（PSP）理论数值模拟了非归零码（NRZ）和归零码（RZ）在传输过程中产生的脉冲畸变以及系统Q值的变化。结果表明，传输速率越高PMD对系统性能的影响越显著，二阶PMD也将不可忽略。另外，RZ码传输性能明显优于NRZ码并且可通过预啁啾进行改善。     

医学实验动物管理(软件) 实验动物设施条件(硬件)

实验动物的研究工作在国际上已成为一门独立科学，它是多种科学领域研究工作必须的重要手段和条件之一，医学实验动物管理（软件）及实验动物设施（硬件）两方面是否能达到实验动物质量控制的标准是衡量一个科研单位科学水平的重要标志，是科学发展的需要，也是实验动物工作发展的必然趋势，实验动物管理的好坏直接影响着科学成果的严密性与可靠性，针对实验动物管理（软件）及实验动物设施条件（硬件）这两方面和大家进行探讨。     

基于时分复用乘法器的FIR数字滤波器的设计

数字滤波器有软件和硬件实现两种方法，主要讨论了时分复用乘法器的硬件方式，基于CPLD实现数字滤波器，并以一个17阶的FIR低通数字滤波器为例说明了该数字滤波器的实现及仿真过程。     

FMT与OFDM系统在电力线信道下的性能研究

为了寻找适用于电力线载波通信（power line communications, PLC）系统的新调制解调方式,在电力线信道下对滤波多音调制（filtered multitone modulation, FMT）与正交频分复用（orthogonal frequency division multiplexing, OFDM）系统进行了性能比较。仿真结果表明,在给定的信道模型下,FMT系统在对抗频域脉冲噪声和窄带干扰方面优于OFDM系统,但在时域脉冲噪声下,性能比OFDM系统差。     

基于DSP技术的CCD测量系统构建

数字信号处理器（DSP）技术的线阵CCD测量系统由四部分构成：线阵CCD传感器,模数转换器（ADC）,DSP处理器,主机等。在讲述CCD光采集和模数转换器的工作原理之后,结合DMA技术,介绍了DSP存储器双缓冲区工作原理。最后对DSP处理器与主机间的通信方式进行了陈述。系统很好地满足了实时控制系统的连续检测要求以及系统体积精小而容易装配等特点。     

不同产量水平玉米的性状构成分析

以近3年来参加重庆市玉米预备试验的233个品种（组合）为材料，根据其该年与对照农大108的产量增幅，划分3种类型，并比较不同类型品种（组合）不同年份的穗粒、植株性状。同时还对233个品种（组合）的产量与性状进行了相关分析与通径分析。结果表明：高产类型品种（组合）表现为高秆、长穗、深粒；性状与产量相关紧密程度依次为株高、穗位高、穗长、行粒数、千粒雨、穗行数、出籽率和秃尖长，其中行粒数和下粒霞以直接作用为主，而株高、穗位高、穗长以间接作用为主。     

长链聚酰亚胺的制备与表征

以长链二胺4，4′－二（4－氨基苯氧基）二苯砜（BAPS）为单体，采用两步法分别与二酐PMDA、ODPA、BPADA合成了3种链长的聚酰亚胺。实验利用GPC监测0.05mol/L聚酰胺酸（PAA）的数均聚合度（Xn)及相对分子质量分布随缩聚时间的变化关系，结果表明该反应为一逐步缩聚反应，缩聚速率随二酐电子亲和性（EA）的递增而增加；与预聚体聚酰胺酸相比，热处理环化得到聚酰亚胺其数均分子质量（Mn)和特性粘度[η]均有所下降，而分布指数（D）增大。此外还利用红外光谱（FTIR）、差分扫描量热法（DSC）、热重分析（TGA）等对聚酰亚胺进行了表征，结果表明聚酰亚胺（PI）的玻璃化温度（tg)和热分解温度（td)随着聚合单元长度的增加而降低。     

一种基于CPLD的数字滤波器

提出了一种数字传输中,对数字信号进行滤波的方案.它可以将数字信号中存在的一些脉冲干扰滤除,提高数字信号的质量,为对数字信号的进一步处理打下良好的基础.同时给出了此滤波器用VHDL硬件语言描述的方法,并用CPLD予以实现和仿真.     

短波长In_xGa_（1－x）As_yP_（1－y）材料的LP－MOVPE生长

本文研究了用低压金属有机化学气相外延（ＬＰ－ＭＯＶＰＥ）技术，以三申基镓（ＴＭＧａ）、三甲基铟（ＴＭＩｎ）为Ⅲ族源，ＡｓＨ＿３和ＰＨ＿３为Ⅴ族源，在（１００）方向掺Ｓ的ｎ￣＋ＩｎＰ衬底上生长短波长Ｉｎ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ＿ｙＰ＿（１－ｙ）材料的生长条件，并用双晶Ｘ射线衍射（ＤＣＤ）和光荧光（ＰＬ）对不同条件下生长的短波长Ｉｎ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ＿ｙＰ＿（１－ｙ）材料进行了表征。