一个会切阳极小矩形磁控源研究

磁控源通常工作于0.1Pa～10Pa真空,常规的磁路设计难以使源小型化.单环靶面积利用率仅约30％,多环靶利用率达80％,但结构复杂.为此,我们研制了适合实验室使用的具有会切磁场阳极的小磁控原子源.1 源结构与特色磁控靶的性能分析及磁控靶场设计的理论计算与经验公式表明:磁控源的溅射速率随靶材而异,但与工作电压,气压及磁场强度的最佳匹配有关.磁控源靶磁路构成封闭环形跑道且水平磁场达数百高斯,是磁控放电的关键.     

磁控形状记忆合金执行器工作原理及其应用

磁控形状记忆合金是一种在磁场控制下可产生较大变形并具有形状记忆功能的新型功能材料。在阐述该种材料磁控特性的基础上,论述了磁控形状记忆合金执行器的工作原理,并以所研制的蠕动型磁控形状记忆合金直线电机为例,介绍了其设计方法与试验结果。     

基于PLC的电机磁控启动控制器的程序设计

介绍了电机磁控启动器应用程序的设计思路,对部分子程序详细介绍了其功能和编程技巧。磁控启动控制器的初步运行表明,该控制器配合本文介绍的应用程序,具有使用灵活、操作简便、查找故障简单,运行安全、可靠等优点。     

微机控制带极堆焊磁控装置的研制

介绍了新型磁极的原理和单片机控制系统的组成及其工作原理，对所研制的磁控装置进行了多项试验研究，结果表明：采用新型磁极不仅可使其位置调整方便，而且改善了磁控效果，采用较小的磁控电流就可获得过去磁极使用较大电流才能达到的焊道形状控制效果。对磁控电流进行微机数字控制，提高了磁控电流的控制精度和稳定性。     

大容量电动机磁控软起动

介绍高压(3～10kV)大容量电动机磁控软起动装置的工作原理、结构形式和特点，并对高压磁控软起动装置与高压可控硅软起动装置作出对比。     

新型三相磁控电抗器的研究

电力系统中的三相磁控电抗器都采用每个铁芯柱加磁阀的三相六柱式磁控电抗器,这种电抗器的铁芯柱磁阀加工过程复杂,并且运行中噪音较大,为了克服这种缺陷,提出了一种新型三相磁控电抗器.使用电磁场分析软件Ansoft对该新型磁控电抗器模型进行了仿真,得到了其工作状况的一些仿真数据和结果.仿真分析结果验证了通过调节晶闸管的触发角可以平滑地调节电抗器的电抗的特性,同时也对该三相磁控电抗器的电磁场分布情况进行了仿真分析.     

磁控形状记忆合金伸缩作动器设计及参数分析

该文基于磁控形状记忆合金（MSMA）材料自主设计了一种磁控形状记忆合金伸缩作动器,并阐述其原理。通过建立有限元模型,并对MSMA相对空气导磁率、导磁片的相对导磁率及电流等参数进行了分析。研究表明：当MSMA相对空气导磁率为30、电流大小为3 A时,MSMA棒中心线磁场的均匀性较好;而导磁片的相对导磁率对其均匀性影响较小。设计出了一种新型磁控形状记忆合金伸缩作动器,达到了从理论上充分掌握MSMA棒轴向磁场强度及均匀性,并间接地保证了磁控形状记忆合金伸缩作动器具有较优的控制力。     

磁控流化床流体力学研究

本文研究了磁场作用下不同粒径的铁粉层与气流接触的几种特征模式,在Ｂ－Ｕ座标图上给出较过去文献更为系统和完整的固定床区、磁稳床区、为流区、磁控鼓泡流化区和柱塞滑动区的区域划分图谱。并着重研究了磁稳床区和磁控鼓泡流化区内的两相流体力学行为。     

外磁场对带极堆焊质量的影响

本文在分析带极堆焊焊道咬边产生原因的基础上,提出了利用附加外磁场克服咬边的方法,并用自制磁控装置配用通用堆焊机进行了种种实验,发现该装置在合适的磁控电流和安装位置时,不但可消除咬边,而且可得到不同宽度、质量优良的带极堆焊焊道。     

磁极位置和磁控电流对带极堆焊焊缝的影响

利用新研制的微机控制带极堆焊设备，在满足工艺要求的焊接电流、电压和焊接速度等参数下，研究了磁极位置和磁控电流对７５ｍｍ宽带极电渣堆焊和高速带极堆焊焊缝成型的影响规律。研究结果表明：磁极位置和磁控电流大小对焊缝成型有较大的影响，只有在合适的磁极位置和磁控电流控制下，才能够消除两种堆焊工艺焊道的咬边，获得良好的焊缝成型。     

高压大电机磁控软起动装置在烧结主抽风机上的应用

烧结主抽风机为大型同步电机,需要采用软起动设备。烧结主抽风机常用的软起动设备有水电阻软起动设备、固态软起动设备、变频软起动设备等。衡阳华菱连轧管有限公司于2009年投产的143平米烧结机,其主抽风机为一台5600kW的同步电机,采用武汉海澳电气有限公司提供的磁控软起动装置,与其它起动设备相比较,磁控软起动设备有成本低廉、结构简单、维护方便的优点,在烧结行业有广泛的应用空间。     

正向磁控式冷规低压放电机理的研究

本文从正交电磁场理论出发,阐述正向磁控式冷规在低压强下放电的基本特征和放电参数,并与实验结果进行比较。结果表明,理论与实验能较好地符合。     

镶嵌纳米碳粒氧化硅膜的电致发光研究

采用复合靶磁控共溅射法制备了含纳米碳粒的氧化硅薄膜．测量显示，随着正向偏压的增加，来自Au／含纳米碳粒氧化硅膜／p-Si结构的电致发光峰位于650nm处几乎不移动．     

LTC3108在MSMA振动能量采集器中的应用

为将磁控形状记忆合金振动能量采集器收集到的微弱交流电,转化为可以向无线传感器网络系统供电的稳定直流电,采用LTC3108芯片,设计磁控形状记忆合金振动能量采集器电源管理电路.研究结果表明:该系统在输入幅值和频率波动的情况下,能够输出稳定的直流电压,可以对无线传感器网络系统提供持续稳定的电压,满足对振动能量的存储能力及存储效率的要求.     

C轴择优取向AlN薄膜的制备研究

采用直流磁控反应溅射法制备AlN薄膜.研究了靶基距、衬底温度和电极材料对AlN薄膜择优取向的影响.用XRD、AFM表征了AlN薄膜的结构、表面形貌.结果表明衬底温度为300℃、靶基距为3cm,在Pt电极上可沉积高质量的C轴择优取向AlN薄膜.     

磁控共溅射法制备Zn_(1-x)Cr_xO薄膜及其结构性能

本文采用磁控共溅射方法在玻璃衬底上制备了Cr掺杂ZnO薄膜,通过改变Cr溅射功率,从而改变Cr的掺杂量.介绍了Zn1-xCrxO薄膜的制备方法,分别用X射线衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)对不同Cr溅射功率的一系列薄膜的结构,成份、元素含量及价态等性能进行了分析.结果表明,Cr溅射功率为20 W的样品,具有最好的c轴择优取向,Cr以+3价形式掺入薄膜中,Cr3+替代了部分Zn2+.     

磁控弧光放电增强等离子体离子镀合成c－BN薄膜

采用能产生高密度等离子体的磁控弧光放电增强等离子体离子镀的方法，制备立方氮化硼（ｃ－ＢＮ）薄膜．     

浅熔深堆焊法研究

本文通过对磁控带极电渣堆焊过程中电压波形的分析和对带极端头形状的观察,探讨了浅熔深堆焊法的物理本质,经过焊剂、焊接规范、附加外磁场及电弧存在比例的变化对母材熔深及焊道质量影响的试验,指出了浅熔深堆焊法获得优质堆焊层的基本规律。     

磁控反应溅射法低温制备氮化硅薄膜

采用射频 (RF)磁控反应溅射法制备出氮化硅薄膜 .从红外吸收光谱可见 ,氮气参加了反应并生成 Si- N键 ,薄膜中含有少量的 Si- O键和 Si- H键 ;薄膜的成分与制备过程中基片温度、射频功率等工艺参数密切相关 ,当基片温度升高到 40 0℃时 ,薄膜中基本不再含 Si- H键 ,氮化硅薄膜的纯度得到提高 .     

两轴向磁场时磁控形状记忆合金的本构模型

采用热力学方法推导了磁控形状记忆合金在两轴向磁场作用下的力学本构模型,考虑了马氏体变体再取向的驱动力和阻力的平衡状态,建立了马氏体变体再取向的动力学方程。该模型用于分析NiMnGa单晶试样在双向磁场作用下的非线性力学行为和滞后效应,结果表明模型的预测数据和实验结果吻合性较好,从而说明模型是可行的。