共查询到17条相似文献，搜索用时 62 毫秒
1.
2.
GaAs／AlGaAs多量子阱结构材料的光致发光特性 总被引：1，自引：0，他引：1
采用ＭＯＣＶＤ技术制备了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱结构材料，对其进行了光致发光特性的测量，结果观察到５个发光峰，其波数分别为ｕ＝９６００ｃｍ＾－１，１２０２０ｃｍ＾－１，１２２４０ｃｍ＾－１１２５５０ｃｍ＾－１和１３０７０ｃｍ＾－１，并对发光峰的位置进行了理论的说明。 相似文献
3.
报道一种新型ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ单片集成激光发射机。这种器件利用液相外延生长中的伴生高阻层，解决了半导体激光器与场效 晶体管驱动电路的工艺共容性问题，具有场效 晶体管与激光器结构同时形成且二者表面自动找平、制作简单的优点。 相似文献
4.
在ALGaAs/GaAs HBT E-M模型直流参数的研究基础上,对HBT的基区电流进行了研究,特别是针对BE结空间电荷区的复合电流和基区表面复合电流,因为在HBT的小偏置情况下,HBT的BE结空间电荷区的复合电流和基区表面复合电流在整个基区电流中占有主导地位。当BE结间外加电压为0.5-1.2V时,ALGaAs HBT的基区电流的计算机模拟值和测试值比较接近,这一研究结果有助于进一步了解HBT的直流特性和1/?噪声特性。 相似文献
5.
在20～300K的温度内测量了P-AlGaAs/n-GaAs异质结伏安特性和光伏谱随温度的变化,认为在正偏压下,通过p-n结的载流子输运过程有隧穿复合和扩散两个机构参与,对实验数据进行拟合,计算一些重要参数。 相似文献
6.
本文研究了半绝缘ＧａＡｓ／Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ多量子阱的电光效应和光折变效应。用光调制反射谱分析了样品的结构，用电调制透射谱测量了电吸收和电折变；用二波混合的方法测量了它的光折变性质。对两种方法得到的电吸收和电折变作了分析比较。 相似文献
7.
对ＭＯＣＶＤ生长的ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ多量子阱结构进行了光致发光特性的测量。结果观察到三个发光峰；位于１．６６４ｅＶ处的峰是自由激子发光；峰值处于１．４８ｌｅＶ的发光是ＧａＡｓ中施主Ｓｉ（Ｇａ）原子上的电子向受主Ｓｉ（Ａｓ）跃迁引起的；而在１．５２９ｅＶ处的弱发光峰是ＧａＡｓ阱层中Ｓｉ（Ｇａ）原子上的电子与价带量子阱中基态重空穴复合形成的。 相似文献
8.
9.
本文对Ｉｎｍａｎ和Ｍｉｌｌｅｒ所提出的用晶体管测定玻耳兹曼常数的装置作了一些改进，并通过对实验中误差情况的分析，提出了一个测量数据取舍的准则。从而使这个实验方法更加简单，装置更为简便，实验结果的精度进一步提高，很适合在大学物理实验中推广。 相似文献
10.
在Ｓｉ ＢＪＴ Ｅ－ＭＳ模型基础上,对其直流参数进行进行了修正,使其适应于ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ ＨＢＴ的直流特性;电流增益不是常量和自热效应。计算机模拟值与测值在中电流和较大电流时相当吻合,这一结果支持了ＨＢＴ电路模拟。 相似文献
11.
孙崇德 《暨南大学学报(自然科学与医学版)》1991,(1)
集成注入逻辑器件中的控制机理是N~-N~+构成的累积层,这种累积层尚未得到适当的分析。本文的主要目的是导出N~-N~+结的J—V特性,并对N~-N~+结的累积层效应作了详细地分析。分析表明累积层效应与实验结果一致,当累积层的复合时间,τ_(s c)→0时,少子分布从注入极平面开始线性地减小,τ_(s c)→∞时,少子分布是均匀的,在有限的τ_(s c)和高偏置电平下,N~-N~+结的电流随N 中性区宽度W的增大而增大。 相似文献
12.
13.
应用扫描电子显微镜（SEM）对GaP半导体材料的p-n结进行线扫描,得出电子束感生电流（EBIC）的线扫描曲线,给出一简单模型,对GaP样品n区的EBIC线型进行计算,拟合实验曲线,得出少子扩散长度和表面复合速度。 相似文献
14.
在利用MOCVD方法制备的调制掺杂GaAs/AlGaAs多量子阱超晶格材料中，由于深能级杂质形成的非辐射复杂合中心的存在，使样品具有较大的暗电流并削弱了该材料的光致发光强度，样品经过氢等离子体处理后，其光电性质明显改善。 相似文献
15.
16.
许多商业新城疫活疫苗被广泛用来阻止我国新城疫病毒的感染.然而,疫苗在我国新城疫病毒群进化过程中所起的作用鲜为人知.为了确定在我国广泛应用的新城疫疫苗是否对该病毒进化进程产生影响,在本研究中,我们对在我国流行的新城疫病毒进行了系统发生和重组分析,获得了一系列NDV株间同源重组的证据.一些重组株的部分遗传物质被发现可能来自疫苗株,这些结果证实疫苗可能通过同源重组影响我国新城疫病毒的进程.由于疫苗与流行株之间的重组可能导致出现疫苗接种失败的后果,因此,在临床上应当尽可能避免疫苗与野生株之间的重组.故在NDV防治过程中,应该采用合适的免疫程序避免这种重组的发生. 相似文献
17.