等价的非晶硅隙态密度分布

本文证明:在某些条件下,描述非晶硅隙态密度的三种基本分布模型,即均匀分布、指数分布和双曲分布,在计算非晶硅隙态过剩电子密度、解金属/非晶硅势垒区泊松方程和计算势垒区静态电容时是等价的。这就暗示不能从上述分析确定唯一的非晶硅隙态密度分布形式。     

自洽法计算非晶硅的带隙态密度

本文叙述了一个场效应电导测量氢化非晶硅(a—Si:H)带隙态密度的数据处理方法。该法放弃了对空间电荷区电荷、电场和电势分布的任何假设,采用电子占据局域态的费米统计分布和占据扩展态的玻耳兹曼分布,应用自洽的原理,能够在较大的能量范围内计算出a-Si:H的带隙态密度分布,运算过程中以电势V为自变量,减少了对电势、电场和电荷密度等量空间分布的计算,简化了分析,提高了精度,减少了运算量。应用该法计算出了a—Si:H样品的带隙态密度在费米能级以上0.1eV到0.45 eV能量范围内的分布,它的最小值在费米能级附近,约为10~(16)cm~(-3)·eV~(-1)。     

ZC36微电流测试仪测量非晶硅有效隙态密度

首次报告了用国产的廉价的ＺＣ３６型微电流测试仪测量非晶硅有效隙密度的原理和结果，其结果与美国生产的昂贵的４０６１Ａ型半导综合测试仪测量结果相一致。     

用空间电荷限制电流方法研究非晶硅中的隙态密度

1 引言非晶硅能带中的隙态密度分布N(E)对材料的光电性能有着重大影响,因而对它的准确无误的测试是相当重要的。目前,人们对非晶硅隙态密度的分布形貌仍存在着不同程度的分歧。我们用空间电荷限制电流方法较系统并且细致地测试了非晶硅的隙态密度分布。除此还     

薄圆柱形纳米管中低激发态的局域声子态密度

应用解析方法,得到了薄圆柱体管近似纳米管在扭转、呼吸和弯曲等模式下的本征值和本征函数.分别计算了3种模式下低激发态的声子局域态密度张量,得到了其解析表达式.结果表明:扭转模式只对φ方向的态密度张量有贡献,呼吸模式和弯曲模式所对应的太密度张量截断频率均为C0/R.     

非磁性杂质对gossamer超导体局域态密度的影响

从t-J-U模型出发,利用Gutzwiller近似和Bogoliubov-de Gennes(BdG)方程对CuO2平面外和平面内同时存在非磁性杂质时对gossamer超导体电子局域态密度的影响进行了研究。结果表明,在远离杂质点处电子局域态密度呈现出典型的非对称性。当平面内杂质不是很强时,平面外杂质使其附近超导能隙变小,但是并没有明显破坏超导。而由于平面内外同时存在的杂质而导致CuO2平面内电子的分布在更大范围内在纳米尺度上存在着显著的不均匀性。     

金属／非晶硅势垒低频电容中等价的隙态密度分布

本文证明:在一定条件下,描述非晶硅隙态密度分布的三种基本函数,即均匀分布、指数分布和双曲分布,在计算金属/非晶硅势垒低频电容时也是等价的.并通过测量室温时低频势垒电容,得到了隙态密度分布函数模型等价的标准.     

免疫系统局域记忆态的研究

研究了独特型网络ＡＢ模型和Ａｎｄｅｒｓｏｎ等人提出的动态局域记忆态的记忆问题。通过计算机数据模拟的方法计算这种记忆态对抗原清除所需时间，发现抗体清除抗原所需时间是随抗体数密度变化的，同抗原初次侵入系统时抗体清除抗原所需时间比较，两者相关不大，和出局域记忆态是不一定能实现免疫记忆的结论。     

退火的非晶硅薄膜的Raman光谱研究

用Raman谱方法研究了非晶态硅薄膜退火后的一些特性,进一步证明了超短脉冲激光退火的样品是层状的结晶结构。用Stokes线强度与反Stokes线强度之比测定了晶格的内部温度,与用热偶直接读数相符合。同时,还使用这个方法研究了Raman谱仪激光束对退火样品的加热作用。     

多个非磁性杂质对铜氧化物高温超导体局域态密度影响的研究

在t-J-U模型下,应用Gutzwiller平均场近似及Bogoliubov-de Gennes(BdG)理论研究了CuO2平面内多个非磁性杂质对铜氧化物高温超导体电子局域态密度的影响。结果表明,在远离杂质点处电子局域态密度呈现出典型的非对称性,而在杂质点附近由于杂质的存在产生零能量诱导峰,同时超导相干峰受到强烈抑制。随着杂质间距的增大,杂质点附近超导相干峰受到的抑制逐渐变小,同时零能量诱导峰的强度也随着变小。     

非晶硅的二步快速退火固相晶化

我们采用二步退火法，对由等离子增强化学汽相淀积法（ＰＥＣＶＤ）制备的ａ－Ｓｉ：Ｈ膜进行退火处理，并观察了其晶化效果，由于二步快速退火方式与通常固相晶化退火法相比可大大缩短退火时间，因此具有较大的应用潜力。     

非晶硅低温退火固相晶化的研究

从PECVD法制取的n~+与n/n~+两种结构的a-Si:H试样,采用低温退火固相晶化工艺,得到了满足器件质量要求的大晶粒多晶硅膜。测试结果证实:在N_2气氛下,经6—10h的600℃(或800℃)温度的退火后,两种a-Si:H膜均已明显地晶化.测得了晶化膜的粒径>lμm,暗电导率、光电导率均比退火前增加了3个数量级,迁移率则增加了10—80倍。     

光照和退火对非晶硅场效应管特性的影响

氢化非晶硅（ａ－Ｓｉ：Ｈ）场效应晶体管（ＦＥＴ）的特性对环境因素较为敏感，光照、湿度和温度等都会对其产生影响。该文介绍光照和退火引起的氢化非晶硅场效应晶体管场效应特性的变化。长时间使用ＡＭＩ标准光源光照和３５０℃以上的温度退火都引起了样品场效应特性的较大变化，光照２ｈ使得样品开启电压从６Ｖ增大到１９Ｖ，场效应特性曲线向栅压较大的方向平移，而４７０℃的高温退火则使该样品的场效应特性曲线形状发生了极大的变化，栅电压的控制作用减弱。最后根据ａ－Ｓｉ：Ｈ的价键模型对此进行了讨论。     

面心立方结构光子晶体中方向性局域态密度快速计算研究

基于点群变换方法推导出局域态密度的平均可积函数,研究了面心立方结构的方向性局域态密度. 提出一种点群操作法,简化在第一布里渊区的计算量,在相同计算精度下,计算速度提高将近360倍.     

一维无序体系的振动局域态

 应用点阵动力学的方法以及五对角对阵矩阵本征矢算法,考虑原子间次近邻相互作用,计算了一维无序体系的振动本征态的分布.结果表明与电子本征态分布一样,无序体系的声子态分布也具有局域性,且局域程度与本征频率的大小、体系无序程度以及系统大小有密切的关系.     

在U(t,t'''')方法框架下局域态密度的计算

在U(t,t')方法框架下,推导出对有单个缺陷势随时间作简谐变化的直流电场下驱动的紧束缚模型的单体格林函数.我们通过格林函数计算出了态密度,局域态密度的计算显示了在Wannier-Stark共振态之间有新的态出现.     

在U（t，t′）方法框架下局域态密度的计算

在U(t，t′)方法框架下，推导出对有单个缺陷势随时间作简谐变化的直流电场下驱动的紧束缚模型的单体格林函数．我们通过格林函数计算出了态密度，局域态密度的计算显示了在Wannier—Stark共振态之间有新的态出现．     

非晶硅材料及其应用

引言随着科学技术的发展,人们对于自然界物质的认识愈来愈深刻。利用自然资源的能力也越来越高,现在人们不仅能利用晶体材料加工和制造成各种各样的电子器件及用品,而且对非晶体材料也进行了开发和应用,并且已取得了十分显著的成效。本文将对非晶硅材料及其主要应用作扼要介绍。     

一维纳米材料中电子局域态分布

从一维纳米随机链模型出发,在考虑近邻、次近邻相互作用的情况下,运用多对角全随机厄米矩阵求解方法计算了一维纳米材料的电子局域态中心位置.针对晶界无序度和晶粒大小,讨论了材料中的电子局域态分布.研究结果表明:局域态中心位置随能量的改变而改变,并且在不同的能量范围内局域态分布不同,在某些能量范围内,能量变化很小而局域位置变化很大,电子跳跃很容易发生,而在另一些能量范围内,能量变化很大但局域位置变化很小,电子跳跃难以发生,因而直接影响材料的导电、导热等性能;晶界无序度和晶粒大小对局域态分布影响很大,当晶界无序度变小时,体系趋向有序,局域态位置随能量的变化呈一定程度的周期性;而当晶粒粒径变小时,晶界的作用增强,无序作用也相应增强,局域态增多,分布密度增大.     

三粒子纠缠态的局域信息研究

本文在研究了各方共享三粒子态提取局域信息的量子信息处理方法的基础上，计算了三粒子W态的局域信息，并且计算了一个三粒子纠缠态的特例。