磁场和杂质对二维3电子量子点基态的影响

使用少体物理方法，计算了在不同的磁场，杂质作用下二维3电子量子点基态的能量和角动量，获得了它们受磁场和杂质影响的结果，并且从动力学和对称性两方面对结果进行了分析。     

磁场对正方体量子点中类氢杂质束缚能的影响

利用有效质量近似，计算了磁场影响下正方体量子点中类氢杂质体系的束缚能，与相同条件下量子线以及球形量子点的束缚能进行了比较，得出合理的结果；并对其物理意义进行了分析。     

带电杂质对磁场中3个电子量子点的影响

研究了在磁场B中受杂质影响的二维3个电子量子点基态的特性. 杂质被固定在z轴上且与量子点平面的距离为d. 计算了基态角动量L₀和自旋S₀随B和d的演化, 归纳结果于(L₀, S₀)相图中, 而且探讨了电子的空间分布(量子点的大小、几何结构)和光吸收. (L₀, S₀)图表明: 当d和(或)B变化时, L₀和S₀能够发生跃迁. 我们发现由于对称性限制, 每种对称几何结构只能访问具有特定L₀和S₀的一组态.     

磁场和带电杂质对2电子量子点的综合效应

 研究了在磁场B中受带电杂质影响的2维2电子量子点的特性。带电杂质被固定在z轴上且与量子点所在的平面的距离为d。 用直接对角化方法获得了2电子量子点的低态能谱,计算了其基态角动量L0和自旋S0随B、d的演化, 归纳结果于(L0,S0)相图中。 (L0,S0)图表明：基态L0和S0跃迁以特殊的方式匹配。     

磁场中量子点施主的低激发态

采用量子点的三维抛物势近似，利用Larsen给出的计算磁场中量子阱中心施主能级的方法，来计算磁场中量子点施主的低激发态，给出这些低激发态能量随外磁场的变化关系。     

采用B样条计算量子点量子阱中氢原子能谱

介绍了一种被称为量子点量子阱（Ｑｕａｔｕｍ－ｄｏｔ ｑｕａｎｔｕｍ ｗｅｌｌｓ简称ＱＤＱＷｓ）的新型半导体材料，并为其建立了合适的计算模型，再以Ｂ条为展开基函数，采用变分法对其进行了计算，得到了量子点量子阱中氢原子能谱。计算结果表明，当ＱＤＱＷ的半径（或核半径）增大时，给体能级随之减小并逐步陷入小阱深度内。因此只要适当地改变这种新材料的周期性，则施主粒子的波函数、能量等性质就可以人为控制，从而可进     

杂质对柱形量子点系统束缚能的影响

在有效质量近似和变分原理的基础上,考虑内建电场(BEF)效应和量子点的三维约束效应.研究了纤锌矿结构的GaN/AlxGa1xN单量子点中杂质体系的基态能量与杂质电荷的关系,讨论了杂质电子的束缚能随量子点的主要结构参数(量子点高度L和量子点半径R)以及杂质在量子点中不同位置的变化规律,并研究了考虑量子点内外电子有效质量失配对杂质电子束缚能的影响.     

盘形量子点在磁场中的线性及非线性折射率改变(英文)

在外加磁场中,受限势为抛物势加反平方势的条件下,理论上研究了线性及非线性折射率的变化.利用密度矩阵理论和迭代法得到了线性及非线性折射率变化的表达式.研究结果表明,线性及非线性折射率的变化受到磁场、反平方势的外场强度β、抛物势受限频率和入射光强的强烈影响.     

量子点中关联电子态的能谱

本文研究了具有不同束缚强度的两维三电子量子点中关联电子态的能谱。发现能谱由两个因素确定,即泡利原理和等边三角形配置处的内禀节面。当禁闭势非常强时,泡利原理是决定性的;当禁闭势很弱时,内禀节面起很重要的作用,从而导致魔角动量的出现。     

外加磁场下类氢施主杂质量子点中的激子

利用精确对角化方法计算了外加磁场下类氢施主杂质量子点中的激子的束缚能,发现系统的束缚能随着量子点的束缚势的增大而减小,随着外加磁场的增大而减小.     

磁场和杂质对激子低能谱的效应

探讨了磁场B和杂质对二维激子低态能谱的效应.杂质被固定在z轴上且与激子所在的平面的距离为d.用直接对角化方法获得了激子低态能量E随B和d的演化.当d一定时,对于中性杂质(或者无杂质) 和带正电杂质,E随B的增加而增加.而对于带负电杂质,激子的角动量L等于0时,能量E曲线上升;L等于1、2、3时,能量E曲线先下降后上升.当B一定时,对于带电杂质,E先随d增加而急剧增加,后随d增加而几乎不变.     

受磁场作用的量子阱激子

本文试用两种方法计算ＧａＡｓ／Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ复合量子阱中激子结合能增量与磁场的关系，计算结果与实验相符。     

量子点磁化动力学行为的研究

利用Monte-Carlo方法研究磁性量子点阵列在不同交换耦合常数Jex、偶极相互作用常数D和磁各向异性常数K下的磁化曲线及自旋组态.模拟结果表明,对于不同的Jex和D,系统表现出不同的磁化行为和自旋组态;当Jex=0.0,D取小值时,量子点阵列的磁性基本保持了孤立原子团的磁特性,矫顽力随温度变化关系与单个的磁性原子团的相似,在低温区,矫顽力随温度的增加急剧减少;在中间温区,出现矫顽力极小;在更高温区,矫顽力随温度的增加而减少.     

2粒子量子系统中的能级统计分布

在含有多个粒子的量子系统中，粒子间相互势的形式及大小对系统是否出现量子混沌有很大影响．计算了1维无限深势阱中，2个粒子在强度不同的非零距离短程势作用下系统的能级谱，以及系统的最近邻能级间距分布和谱剐度．分析表明，系统的能级谱统计分布特征与粒子间作用势的大小有关，当作用势由小到大逐渐变化时，量子系统从规则运动过渡到混沌运动．     

量子点应变能的有限元分析

本文利用2维轴对称有限元模型,对嵌入在GaAs中的InAs量子点的应变场进行了模型化,用ANSYS软件计算了金字塔形、台形和圆顶形半导体量子点的弹性应变和应变能.讨论了弹性应变能与量子点平衡形状的关系,通过比较三种形状量子点的能量得出了量子点的稳定结构形状.     

半导体量子点中磁极化子基态能修正的温度效应

采用Larsen方法研究了半导体量子点中磁极化子基态能量的温度效应．在有限温度下导出了磁场内半导体量子点中电子—体纵光学(LO)声子相互作用系统的基态能量及二级微扰能量修正．讨论了磁场、量子点尺寸以及温度对半导体量子点中电子—体纵光学(LO)声子相互耦合磁极化子的基态能量影响．为了更清楚、直观地说明半导体量子点中磁极化子的性质，以GaAs半导体为例进行了数值计算，得到在强磁场的作用下半导体量子点中电子—体纵光学(LO)声子耦合系统的基态能量修正与磁场强度、量子点厚度及温度的关系曲线．结果表明：强磁场中电子—体纵光学(LO)声子相互耦合磁极化子的基态能量修正随磁场强度的增加而增大，随量子点厚度的增加而减少，随温度的升高而增大。     

GaN/AlxGa1-xN量子点中的激子态

在有效质量近似框架内,运用变分方法,考虑内建电场效应和量子点的三维约束效应,研究了含类氢杂质的G aN/A lxG a1-xN量子点中的激子态.结果表明:量子点中心的类氢杂质使激子的基态能降低,结合能升高,Q D系统的稳定性增强,光跃迁能减小;杂质位于量子点上界面时,激子的基态能最小,结合能最大,系统最稳定;随着杂质从量子点的上界面沿着z轴移至下界面,激子基态能和光跃迁能增大,结合能减小.