发光二极管的应用

介绍了发光二极管的特点和应用的情况。     

基于TracePro的发光二极管均匀照明光源设计

基于光学原理的三维无损测量在工业生产过程中被广泛应用,论文采用光学仿真模拟软件Tracepro进行照明光源的模拟仿真,在保证光照强度的同时,实现图像采集方案对光照均匀度的要求。通过分析光源的排列方式、层数,照射角度以及照射角度与实际被测场景的对应调整关系,确定各因素对光照均匀度的影响。通过仿真分析可得,在半径200mm的圆形设定视场内,当光源以四层正六边形排布,在与被测物垂直距离为500mm,照射角度为9°时,光照均匀度达到94.67%。根据仿真结果进行照明系统构建并进行实验,实验结果与仿真结果相符合。     

半导体发光二极管的研究与分析

在简介半导体发光二极管的辐射复合基础上,。详细讨论了包括Ⅲ-Ⅳ,Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料和多孔硅（PS）等新发光材料在内的各种发光材料的发光机理,发光二极管的结构与特性,并介绍了半导体发光二极管在近代科学中的应用。     

聚合物发光二极管的研究进展

对共轭聚合物中进行电运输及电致发光器件－聚合物发光二极管的研究进展进行了综述。     

发光二极管光轴测量的实验研究

提出对光电传感器使用的发光二极管进行光轴测量的必要性，并采用面积加权法对其进行测量。得到芯片位置变化及芯片加载电流变化对光轴位置的影响。     

浅析发光二极管(LED)光源在汽车中的应用

发光二极管(LED)汽车灯具的设计包括热学、机械、光学、电路等方面的设计,其中最重要的是光学设计,目前采用计算机仿真的方法进行优化设计,散热是组合式LED灯设计比较难解决的问题,其是否能较好的处理,是LED等设计成败的关键,如何提高散热效率尚需进一步研究。     

量子点层厚度对量子点发光二极管发光特性的影响

采用湿法旋涂技术制备量子点发光二极管器件(QD-LEDs)。PEDOT作为空穴注入层,TFB作为空穴传输层,量子点作为发光层,采用无机二氧化钛(TiO2)作为电子传输层,在相同的工艺条件下调节量子点层旋涂转速(800~1 100r/min),制备不同厚度的量子点发光二极管发光器件(QD-LEDs)。实验结果表明,当量子点层的旋涂转速为900r/min时,此时的量子点层厚度为30nm,所制备的量子点发光二极管器件(QD-LEDs)的发光性能最好,开启电压最低,只有5.5V。     

阶梯状InGaN量子阱发光二极管的光学特性

利用有效质量理论,研究了传统量子阱结构(样品A)、In_(0.15)Ga_(0.85)N/In_(0.25)Ga_(0.75)N阶梯状量子阱结构(样品B)和In_(0.25)Ga_(0.75)N/In_(0.15)Ga_(0.85)N阶梯状量子阱结构(样品C)发光二极管的光学性质。数值结果表明,在较大的注入电流密度下,样品B具有最大的内量子效率,并且能有效地抑制效率下降效应。其可归因于二方面:一方面,相比样品A和C,样品B在较高跃迁能级具有更大的光学动量矩阵元和电子-空穴费米分布函数之积,从而导致了更大的总辐射复合率;另一方面,由于样品B在导带中具有更大的内部电场,致使电子在阱层中分布在更窄的区域内,降低了电子-空穴交叠,俄歇复合率也被降低了。值得注意的是,样品C在价带中具有较大的内部电场,导致了空穴在阱层中分布在较窄的区域内。尽管如此,由于电子空穴的有效质量不一样,内部电场对电子空穴分布的影响也不同,反而导致了样品C具有更大的电子-空穴交叠,更高的俄歇复合率。此外,通过降低阶梯状量子阱中第一层InGaN层的厚度,样品B的发光效率能进一步提高。     

均匀照明的发光二极管阵列仿真与对比分析

通过设定发光二极管所在平面与探测面之间的距离、所设计阵列的发光二极管个数及发光角度等参数,依据斯派罗法则,利用Matlab对表达式进行计算.结合TracePro软件,对方形阵列、三角形阵列及环形阵列等3个常见的发光二极管平面阵列进行模拟仿真及对比分析.结果表明:由于排列方式不同,所得到的均匀照明的范围及所占面板空间也各不相同;三角形阵列可得到较大范围的平坦度和占用较小的面板空间.     

偏振检测中的光源特性分析

偏振检测技术可以区分手性化合物的对称性,与色谱检测方法结合对于化合物分离有重要作用。由于光源对旋光检测有重要影响。从实验上测试了五种光源对偏振光强的影响和特性,进而分析了偏振检测中光源选择应注意的问题。实验结果表明,在偏振检测中,采用单色光源,组合线性偏振器,可获得较理想的线偏振光。