ZnF2:Ni2+晶体局域结构的理论研究

从光谱和EPR数据出发,用完全对角化方法确定了ZnF2:Ni2+晶体中的Ni2+-F-键长与键角,证实了ZnF2:Ni2+晶体的局域结构畸变的存在.研究结果表明:ZnF2:Ni2+晶体与ZnF2基晶的结构参数对比,发现掺杂Ni2+离子的ZnF2晶体分别产生了沿C2轴的伸长畸变和在xy平面的压缩畸变;光谱和EPR参量计算的理论值与实验值非常接近.     

ZnF2：Ni^2＋晶体局域结构的理论研究

从光谱和EPR数据出发,用完全对角化方法确定了ZnF2：Ni^2＋晶体中的Ni^2＋-F^-键长与键角,证实了ZnF2：Ni^2＋晶体的局域结构畸变的存在.研究结果表明：ZnF2：Ni^2＋晶体与ZnF2基晶的结构参数对比,发现掺杂Ni^2＋离子的ZnF2晶体分别产生了沿C2轴的伸长畸变和在xy平面的压缩畸变;光谱和EPR参量计算的理论值与实验值非常接近.     

用光谱和EPR谱确定CsMgCl3:Ni2+和CsCdCl3:Ni2+的局域结构

采用半自洽场（semi-SCF）自由Ni^2＋的3d轨道波函数、点电荷-偶极子模型和Ni^2＋-6X-（X=F,Cl,Br,I）络合物的μ-κ-α模型,建立了结构参数与光谱、EPR谱之间的定量关系,利用完全对角化方法,由光谱和电子顺磁共振（EPR）谱,确定了CsMgCl3：Ni^2＋和CsCdCl3：Ni^2＋晶体在77K温度时的Ni^2＋占位和局域结构参数,统一解释了CsMgCl3：Ni^2＋和CsCdCl3：Ni^2＋晶体的结构、光谱和EPR谱.此外,还讨论了高阶微扰方法、参量拟合方法等问题.所得理论结果与实验值符合得很好.     

α-LiIO3∶Ni2+晶体中的Ni2+-VLi三角中心局域结构的研究

通过计算α LiIO3∶Ni2 晶体零场分裂D和 g因子 ,研究了掺杂Ni2 的α LiIO3晶体中Ni2 VLi三角中心的局域结构 ,估算出Ni2 离子应向Li 空位 (VLi)位移ΔZ≈ 0 .2 5 ,以及VLi附近的氧离子应位移ΔX≈ 0 .14 9 .     

LiTaO3：Fe^3＋（Mn^2＋）的EPR参量D与局域结构的研究

用晶体场理论研究了ＬｉＴａＯ３：Ｆｅ＾３＋（Ｍｎ＾２＋）的ＥＰＲ参量Ｄ和掺杂晶体局域结构间的内在联系,计算值与实验值符合较好。结果表明,ＬｉＴａＯ３：Ｍｎ＾２＋局域结构的畸变程度大于ＬｉＴａＯ３：Ｆｅ＾３＋。     

K2MgF4∶Mn2+体系局域结构的理论研究

采用对角化四角晶体场中d5组态离子的完全能量矩阵的方法,研究了K2MgF4∶Mn2 体系的EPR谱与局域晶格结构间的关系,通过拟和EPR谱的低对称参量b02,b04的实验值计算给出了过渡金属Mn2 离子在K2MgF4∶Mn2 体系中局域结构参量R1=0.203 82 nm,R2=0.205 58 nm,以及晶格畸变量ΔR1=0.004 75 nm,ΔR2=0.007 08 nm.     

AlF3:Fe3+系统局域晶体结构理论的研究

本文通过对角化d5电子组态的能量矩阵,同时模拟二阶和四阶EPR参量D和（a-F）,发现Fe3+在AlF3:Fe3+系统有一个膨胀的畸变。这个膨胀的畸变可能是由于Fe3+离子半径大于Al3+离子半径,当Fe3+取代Al3+离子时, Fe3+离子将会推动氟配体向外移动.     

LaSrGaO4:Cu2+晶体电子顺磁共振参量和缺陷结构的研究

采用3d9离子在四角对称中的高阶微扰公式,计算了LaSrGaO:Cu2+晶体的电子顺磁共振（EPR）参量g因子g∥,g⊥和超精细结构常数A∥,A⊥.计算结果与实验值较好符合.由于晶体中顺磁杂质中心的EPR参量与其缺陷结构密切相关,本计算还获得了Cu2+杂质中心缺陷结构的信息.我们对上述结果进行了讨论.     

CaCO3:Mn2+体系局域晶格结构理论研究

通过对角化组态离子在三角配体场中的完全能量矩阵,研究了CaCO3∶Mn2+体系中(MnO6)10-过渡金属配位复合物的局域晶格结构畸变.在具体的结构计算中,同时考虑了二阶零场分裂参量602和四阶零场分裂参量b04.通过理论计算,发现Mn2+离子掺杂碳酸钙单晶的局域结构畸变为△R=-0.0169nm,△θ=0.996°.理论计算结果与实验结果符合的非常好.     

KNiF3晶体的局部结构、吸收光谱和顺磁g因子的统一解释

利用完全对角化方法和强场耦合方案,采用半自洽场（semi-SCF）自由Ni^2＋的d轨道模型和Ni^2＋-6X-（X=F,Cl,Br,I）络合物的μ-κ-α模型研究,建立了含有过渡族金属离子的晶体的局域结构与吸收光谱和顺磁g因子之间的定量关系,对KNiF3晶体的局域结构、吸收光谱和顺磁g因子作出了统一解释,预测了KNiF3晶体的光谱精细结构和零场分裂（ZFS）参量D.所得理论计算结果与实验值符合.     

用光谱和EPR谱确定A12O3：Ni^2＋晶体的局部结构参数

采用半自洽场（semi-SCF）d-轨道模型和点电荷模型，通过完全对角化方法，在晶体掺杂过渡金属离子后其空间结构对称性不会被破坏的条件下，由吸收光谱、EPR谱确定了A12O3：Ni^2＋晶体的局部对称结构参数，建立了结构参数与光谱、EPR谱之间的定量关系，统一解释了A12O3：Ni^2＋晶体的吸收光谱、EPR谱．所得理论计算结果与实验值符合得很好．     

Al2O3：Ni^2＋晶体的局域结构研究

应用配位场理论、微扰理论以及叠加模型，建立了零场分裂(Zero-Field Splitting)参量D与Al2O3：Ni^2 晶体局域结构之间的关系式，并通过计算零场分裂参量D值，发现掺Ni^2 离子的Al2O3晶体上、下三棱锥分别产生了沿C3轴的压缩畸变和伸长畸变，零场分裂参量计算结果与实验符合．     

Al2O3晶体中Cu3+离子自旋哈密顿参量及其局域结构研究

利用自旋哈密顿理论,在建立Al2O3Cu3+晶体结构和自旋哈密顿参量之间的定量关系的基础上,采用掺杂离子位移模型,统一计算了Al2O3Cu3+晶体的自旋哈密顿参量,解决了前人工作中可调参量过多的问题.理论结果与实验数据符合很好,说明采用的模型是合理的.结果表明,Cu3+离子掺入Al2O3基质晶体后,并没有准确占据Al3+格位,而是沿C3轴移动了0.0179nm.     

用光谱和零场分裂确定晶体K2ZnF4:Ni2+的局部结构参数

采用半自洽场(semi-SCF)d-轨道模型和点电荷-偶极子模型,利用完全对角化方法,由K2ZnF4:Ni2 的d-d跃迁光谱和零场分裂D,确定了晶体K2ZnF4:Ni2 在常温(290 K)和低温(4.2 K)下的局部结构参数,并预测了顺磁g因子的大小.建立了局部结构参数与光谱、零场分裂之间的定量关系,并统一解释了K2ZnF4:Ni2 晶体的光谱和零场分裂的实验值,所得理论结果与实验值符合得很好.     

LiNbO_3:Ni~(2+)晶体中Ni~(2+)离子的占位研究

本文研究了Ｎｉ２＋离子在ＬｉＮｂＯ３晶体中的占位．采用完全对角化哈密顿矩阵方法，计算了Ｎｉ２＋：ＬｉＮｂＯ３的零场分裂和光谱结构，计算值与实验观测值一致．研究表明，Ｎｉ２＋离子占Ｌｉ＋位并且沿Ｃ３轴向氧八面体中心移动约０．２２     

KTaO3<-sub>:Cu2+的电子顺磁共振参量与局域结构理论研究

用基团模型的3d⁹离子在四角对称下的高阶微扰公式计算了KT_aO₃ 晶体中Cu²⁺杂质中心的g//因子!"! !# 和超精细结构常数"$ 和"##通过对四角,-./ 中心的012结果分析!发现杂质,-./ 占据了八面体)*$/ 的位 置!同时在,! 轴上的最近邻出现氧空位$34%#由于该空位引起的静电排斥作用!,-./ 将沿,! 轴在远34 方向上 位移一段距离!#%"5".’67#在考虑了上述的缺陷结构后!各向异性!