对静电场中的场强与能量的求法的分析

应用具体实例分析如何应用高斯定理求静电场的电场强度进而利用电场的性质及设置理想模型的分析方法求出相关能量．     

连续分布电荷电场中电势的计算方法研究

电场中任意点都具有一定的电势.计算了几种连续分布的带电体周围的电势,把结果用Mathematica软件加以演示,总结出了连续分布电荷电场中电势的计算方法,其结果一目了然.     

一种非常规的高斯定理解题法

本文介绍一种非常规的用高斯定理解题法,扩展了高斯定理的解题应用范围。     

不同介电系数下同轴线电场分布的计算方法

在线性各向同性电介质中,为了弄清高斯定理法和拉普拉斯方程法的差异,在深入分析拉普拉斯方程推导过程的基础上,采用2种解法对同轴线之间的电场分布进行了研究.结果表明,在均匀、线性、各向同性电介质中,系数e为常数,电位函数满足拉普拉斯方程;在非均匀、线性、各向同性电介质中,系数e为标量,电位函数满足修正的拉普拉斯方程,高斯定理法与修正的拉普拉斯方程法获得结果一致.在线性、各向同性电介质中e可能为常数或标量,建议将e称为介电系数.     

双层聚合物发光器件中的输运特性研究

基于载流子电导是空间电荷限制与空间电荷在器件内部指数减小的假设,通过引入电荷空间分布的特征长度及有效迁移率,并考虑注入电流为热电子电流和隧穿电流,由此对器件的输运特性进行了详细讨论.结果表明电荷空间分布的特征长度对器件中的载流子浓度、电场强度及电流有很大影响;器件功能层厚度对器件的电场强度影响较大,对器件I-V特性影响不大.     

基于有限元法的异步变频电机失磁运行转子的涡流损耗计算

针对异步变频电机转子涡流损耗比较严重的问题,提出了应用一种基于有限元法的电机失磁运行转子计算方法,该方法能够通过节点计算和励磁绕组的分割对转子的涡流损耗进行有效计算.利用实验对有无转子情况下的转子与定子损耗进行了分析,发现该计算值与实验值具有很好的一致性,并对该电机的运行装态下转子磁场进行了测试,电场强度和磁通密度分布都是非正弦的,这反映了转子d、q轴结构差异的影响.     

基于机械对称性的夹具对称性及应用

在总结机械对称性理论体系的基础上,对将其应用到夹具领域进行了探索,提出了由夹具结构对称性、原理对称性、功能对称性和时空对称性组成的夹具对称性概念体系及层次结构.给出了各种夹具对称性的定义,并用实际例子说明了它们在夹具系统的存在和作用原理.探讨了夹具对称性在夹具系统的应用思路与方法,特别研究了将夹具功能对称性应用到夹具设计问题,建立了夹具功能模型和夹具功能集及夹具结构集,给出了从夹具功能出发获得夹具结构的算法,为计算机辅助夹具设计提供了又一条可行的有效途径.     

高斯定理的另一种证明

这里提供了高斯定理一个极其简单明了的证明,使学生易于理解和掌握运用它.     

平面波正入射情况下正三角波导的传输特性

对平面波正入射情况下正三角波导的传输特性进行了理论分析与探讨,求解出该波导系数的解析结果,从而得到该波导任意长度截面的光场分布,并借助于数值方法模拟其结果.结果表明,在波导的z=L0/6和z=L0/9截面的光场分布具有三重轴对称性.     

用坐标法证明静电场中存在的镜象对称

该文分析电荷作何种分布，其电场具有镜象对称性。     

频域有限差分法在二维周期导波结构中的应用

提出了一种计算二维周期导波结构的频域有限差分(FDFD)法。在电场边界和磁场边界上同时使用Flo-quet定理,从而将计算域限制在一个周期结构内,并且导波结构侧面可引入吸收边界条件,保证了计算精度.通过计算矩阵的本征值获得传播常数,而无需求解关于传播常数的高阶超越方程,极大地提高了计算速度。     

准确绘制在直线上的电荷系的电场线

用高斯定理求出了在直线上的点电荷系的电场线方程,提出由电场线方程绘制电场线的逐点计算——选点描绘法,给出用此方法绘制的一些电场线图形.     

一类椭球(柱)电容器电容的另类简明算法

根据椭圆及其二次曲面与椭球和椭圆柱面方程的关系与性质,基于静电场边值问题的唯一性定理,推导了一类回转椭球的电位分布及其电容,进一步讨论并导出了一类椭球和椭圆柱电容器的电容,该算法比“保角变换“法和“广义坐标“法更简明、快捷.     

椭圆形载流线圈轴线上的磁场

本文从毕-萨定律出发通过利用对称性和椭圆积分的方法比较简单地得出椭圆载流线圈轴线上的磁场分布,它比一般教科书上的圆形载流线圈的磁场分布更具一般的意义.     

非极性电介质极化规律的信息论研究

使用信息论中的最大信息熵原理,研究了非极性电介质在电场中的极化规律.发现当非极性电介质处于不很强的电场中时,电极化强度与电场强度成正比;而当它处于非常强的电场中时,电极化强度与电场强度不再成正比,而呈现较复杂的非线性关系.     

螺线管磁场的数值解

为了研究电磁学和电工技术中必须计算的螺线管的磁场,从已知的圆电流的矢势和磁感应强度出发,用定积分的微元法求出螺线管的磁矢势和磁感应强度的函数解,取螺线管的半径为1、长度为6,用复合高斯公式编程分别计算出螺线管内外不同点的磁感应强度矢量的分量和其量值,以9个图形表示出来.比较了不同数目复合区间计算结果的有效数字,指出除了螺线管的管壁处数值只有3位有效数字外,其余各点的数值至少有10位有效数字.     

PTCDA/p-Si异质结势垒区特性理论的研究

有机半导体材料苝四甲酸二酐(PTCDA)是弱p型半导体材料,其载流子浓度为5×1015/cm3,禁带宽度为2.2eV,可与多种材料形成异质结.详细计算了PTCDA/p-Si异质结势垒形成的电势分布,电场分布和电流-电压(伏安)特性,计算结果与实验结果一致.     

静电屏蔽物理原理

本文从电场强度、电势两方面探讨了静电屏蔽的物理原理以及静电屏蔽的实质。     

对长直导线周围涡旋电场的几点讨论

通过对长直导线通以变化电流时所产生的涡旋电场的分析、讨论，给出了涡旋电场分布公式，并着重对其分布特点，进行了讨论和说明。