多碱光电阴极制备中中间层光谱初探

多碱阴极制备中，中间层的形成是一个重要的工艺过程，其质量好坏直接关系到成品阴极。该文利用自动光谱测试仪研究了多碱光电阴极制备中的光谱响应，初步分析了中间层光谱响应的规律及其对成品阴极光谱响应的影响，指出形成高质量阴极必须有良好的中间层结构。对如何进一步揭示中间与成品阴极定性关系，文中给出具体的实施方法。     

多晶半导体三碱光电阴极厚度研究

该文利用多晶半导体三碱光电阴极量子产额公式,研究了光电阴极厚度D与光吸收系数α_T(hv)和光电子逸出深度L的关系,指出阴极厚度与光电阴极光谱响应峰值位置有关。对第一类阴极,厚度应为30nm左右。对第二类阴极则为90nm。预计可通过光电阴极光谱响应峰值位置设计光电阴极厚度。研究结果首次定量给出:随着光电子逸出深度和入射光子波长的增加,光电阴极厚度将增加。如果L在40～55nm之间,则对1.0μm敏感的阴极厚度应在120nm左右。     

锑化物光电阴极的量子效率

研究了晶粒间界对光电发射的影响，仔细考虑了在单位能量间隔内参与光跃迁的有效电子态密度和光电子逸出几率，提出锑化物阴极的光电发射模型，并导出了量子产额的表达式．借助电子计算机，计算了各种锑化物阴极的量子产额，理论和实验符合较好．     

多碱光电阴极光电信息测试结果与分析

该文根据多碱光是阴极光学信息和光电流监控原理，给出了理论模型，研制了测试仪器，例举了测量结果，并对此作了简单分析，理论的多碱光电阴极光学反射率Ｒ（ｄ）和实测的Ｒ（ｄ）比较可以控制阴极成分，并给出阴极厚度的信息、多碱光电阴极的单色光电流Ｉ（ｄ）、光电子逸出深度以及大量的工艺信息，借此可以调整工艺，改善光电阴极的光谱响应。     

多碱阴极光谱响应监控研究

该文介绍了在一代像增强器多碱阴极制备过程中，对其光谱响应进行连续监控的装置、试验结果等，并作了简单的分析。研究结果表明，Ｎａ２ＫＳｂ材料在制备过程中一直是一种稳定的ｐ型半导体，随着Ｎａ２ＫＳｂ膜层厚度的增加，其峰值响应波长向长波方向移动，白光灵敏度也相应提高；锑、铯交替降低了Ｎａ２ＫＳｂ的电子亲和势，延伸了光谱响应的长波阈值；锑、铯交替的表面处理是最终获得高灵敏度多碱阴极的关键。     

S20光电阴极光谱响应特性的理论研究

该文根据光电阴极的量子产额谱，导出了光谱响应Ｓ（λ），通过选择合适参数，计算的Ｓ２０光谱响应曲线与实验基本吻合。该文也分析了阴极厚度Ｄ，阴极结构参量Ｐ，光电阴极光谱响应截止波长λ＿ｊ和光电子逸出深度Ｌ对Ｓ（λ）的影响，认为Ｄ、Ｐ和λ＿ｊ是决定Ｓ２０阴极性能的主要因素。     

三碱阴极量子产额谱的研究

本文讨论了Na_2KSb(Cs)光电阴极的量子产额。引进阴极结构参数P和单晶吸收系数α_p(hv),推导了半透明多碱阴极量子产额表达式。通过选择合适参数,求得的S_(20),S_(20R),S_(25),V_(aro),New S_(25)和LEP~*(＊法国电子学和应用物理实验室制备的三碱阴极)光电阴极的量子产额谱与实验完全一致。文中还计算了理想三碱阴极的量子产额。结果表明三碱阴极仍是很有发展潜力的实用光电阴极。     

超Ⅱ代像增强器光电阴极成分控制原理研究

研究用光电阴极反射率预测和确定多碱阴极的厚度与成分，并用反射率和光谱响应对其进行控制。如果用５２０ｎｍ单色光源来测量反射率和光谱响应，则“超Ⅱ代像增强器”的光电阴极的厚度应约在１２０ｎｍ，即峰值ＢＭ３出现后Ｊ／Ｓｍａｘ约为６０％时。根据（Ｒｍｌ，Ｒｍ）和（Ｒｍ，Ｒｍ２）确定ｎ、ｋ值及光电流在光谱响应峰值前的稳定上升和峰值后的近似线性下降规律，可通过调节锑、钾、钠源蒸发速率控制阴极成分。     

半透明多碱阴极浅氧敏化研究

根据多碱阴极理想模型:Na_3KSb+K_2CsSb+sb·Cs 偶极层,提出用 Cs_2O 取代 K_2CsSb+Sb·Cs 偶极层,很可能形成 p—n Na_2KSb—Cs_2O异质结光电阴极。用研制的氧发生器,以常规的碱金属源在超高真空系统中制备了 Na_2KSb,然后采用 NEA 光电阴极的激活工艺,用铯、氧交替激活 Na_2KSb,获得 p—n Na_2KSb—Cs_2O 光电阴极。结果表明,这种光电阴极在紫外—红外范围内具有较高的量子产额,其长波截止超过1.06um,达到1.1μm。     

GaAs／GaAlAs透射阴极量子效率相关参量分析

从半导体电子发射的三阶模型和扩散方程出发,讨论了ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ透射式ＮＥＡ光阴极量子效率与几种在工艺上重要的参量如电子扩散长度,阴极厚度,后界面复合速度等的关系,特别地,从工艺需求的角度出发,探讨了这种阴极在前照明和后照明的情况下,两量子效率之间的关系。     

多晶半导体三碱光电阴极厚度的理论研究

该文利用辐射强度指数衰减率,多晶半导体三碱光电阴极量子产额公式和光吸收系数公式,首次研究了多晶半导体三碱光电阴极的最佳厚度。结果表明:当I_a/I_0>0.4时,阴极最佳厚度D应在1000A以上,并且D随I_a/I_o上升而增加。高能光子产生的光电子出现在阴极内表面层。该文同时指出:对第一类阴极(S-20,S-20R,S-25),D应为300A左右;对第二类阴极(New S-25,Varo,LEP)则为900A。并预计可通过光电阴极光谱响应峰值位置设计光电阴极厚度。研究结果首次定量给出,随着光电子逸出深度和入射光波长增加,光电阴极厚度增加。如果光电子逸出深度在40～55nm之间,则对1.0μm敏感的阴极最佳厚度D应在1200A左右。     

激光光斑测量技术研究

激光器的光束参数是表征激光性能的重要指标,设计了一套激光光斑测量控制系统,面阵CCD摄像机和图像采集卡采集激光光斑信息后,输入到计算机进行光斑图像信息的获取、能量信息的存储和图像分析等图像处理过程,从而实现激光光斑图像的高精度测量.     

AlGaAs/GaAs多量子阱中相干控制光电流的超快弛豫

在理论和实验上对室温下AlGaAs/GaAs量子阱中的相干控制光电流的超快动力学过程进行了研究.首次由密度矩阵和电子-空穴散射弛豫模型导出相干光电流的弛豫时间为600fs,并由三波长飞秒脉冲泵浦-探测技术测量的结果得到验证.