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硅氢薄膜的制备和结构 总被引:1,自引:0,他引:1
采用PECVD技术,以SiH4为反应源,在不同基片温度和射频功率下制备硅薄膜。对硅薄膜进行了XRD、IR、Raman分析。研究沉积参量对膜晶化过程的影响,对沉积机理作了初步讨论。 相似文献
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纳米硅薄膜的拉曼谱研究 总被引:4,自引:1,他引:4
通过等离子增强化学汽相沉积法,制备了本征和掺磷的氢化纳米硅薄膜(nc-Si:H)研究了晶粒尺寸和掺杂浓度对纳米硅薄膜拉曼谱的影响。结果表明晶粒变小和掺杂浓度增加都使纳米晶粒的TO模峰位逐渐偏离声子限制模型的计算值。X-射线衍射和透射电镜像的结果表明晶粒变小导致硅晶粒应力增加,而掺杂使晶粒内部杂质和缺陷增多,这些因素破坏了晶粒内晶格的平移对称性,进一步减小声子的平均自由程,导致实验值偏离理论计算值, 相似文献
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掺杂纳米硅薄膜微结构的研究 总被引:9,自引:0,他引:9
采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)方法成功地沉积出掺杂(主要是磷、硼)纳米硅(nc-Si:H)薄膜.利用高分辨电子显微镜(HREM)、Raman散射、X射线衍射(XRD)、Auger电子谱(AES)和共振核反应(RNR)等手段对掺入不同杂质后的纳米硅薄膜的微结构进行了系统的研究.实验结果表明,随着掺磷浓度的增加,掺杂纳米硅薄膜的晶粒尺寸减小,晶态比和晶粒密度增加.而随着掺硼浓度的增加,掺杂纳米硅薄膜的晶粒尺寸没有变化,晶态比减小,掺硼浓度达到一定程度时,则变成了非晶硅薄膜. 相似文献
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祖继锋 《辽宁师范大学学报(自然科学版)》1997,20(3):198-202
研究了在硅基底上采用等离子体增强化学汽仃淀积氮氧化硅所形成导波结构的特性。分析了应用特点,存在问题及今后研究方向。 相似文献
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利用射频磁控溅射复合靶技术,通过调节复合靶的百分比制得富硅的氧化硅薄膜,并在不同的温度下退火,制得含纳米硅的氧化硅薄膜.通过Raman谱的测量,计算出800℃退火的薄膜中纳米硅晶粒的平均尺寸为5.6 nm,用X射线衍射测量同样的样品得出其粒径为6.0 nm.在室温下测量光致发光(PL)谱,探测样品的峰位为360 nm,并结合光致发光激发谱(PLE),研究相应的激发与发光中心. 相似文献
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纳米硅薄膜微结构变化对薄膜光电性质的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
余明斌 《西安理工大学学报》1997,13(4):320-323
用退火的方法改变了纳米桂(nc-Si:H)薄膜的微结构。用Raman散射和共振核反应方法分析了薄膜的微结构变化。结果表明,薄膜的氢含量是影响薄膜光学带隙的主要因素,而薄膜的晶态体积比和晶粒尺寸是影响薄膜电导率的主要因素。 相似文献
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氢化钠米硅薄膜的光声光谱研究 总被引:2,自引:0,他引:2
分析了纳米硅薄膜材料从可见光到近红外范围的光声光谱,并与微晶硅和非晶硅材料进行了对比。纳米硅的光吸收系数比后两都高(特别是在1.4~1.9eV之间,高出近一个数量级),其原因是纳米硅薄膜中大量晶粒对光子的散射、晶粒界面缺陷的吸收及载流子吸收的影响,此外,纳米硅光声谱中Urbach边宽且缓,反映出这种材料很高的无序程度。 相似文献
10.
纳米硅薄膜中的量子点特征 总被引:10,自引:0,他引:10
从电性和结构上论证了纳米硅薄膜中的细微晶粒(3 ̄6nm)具有量子点(Q.D)特征。在其电导曲线中呈现出随晶粒尺寸减小而增大的小尺寸效应。使用薄层( ̄20nm厚)纳米硅膜制成了隧道二极管,已在液氮温区(≈77K)在其I-V及σ-V曲线上呈现出Coulomb台阶。对实验结果做了初步分析讨论。 相似文献
11.
富纳米硅氮化硅薄膜光致发光机制 总被引:1,自引:0,他引:1
对于富纳米硅氮化硅薄膜的光致发光,其电子-空穴对存在3类光激发-光发射过程.通过对富纳米硅氮化硅薄膜光致发光模型的数值模拟对比分析,提出富纳米硅氮化硅薄膜光致发光是量子限制模型和能隙态模型发光机制共同作用的结果.利用得到的结论,讨论一些已报道的富纳米硅氮化硅薄膜光致发光实验结果. 相似文献
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采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)技术,在超高真空系统中,使用大量氢稀释的硅烷作为反应气体,利用R.F.+D.C.双重功率源激励,通过低温下硅在氢等离子体放电中的化学输运直接淀积纳米硅薄膜。根据对薄膜样品结构的测定及其制各工艺条件,分析讨论了各工艺参数对淀积后薄膜的影响,从而使纳米硅簿膜的制备工艺趋于完善。 相似文献
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用纳米硅薄膜制成了共振隧穿量子点二极管,在77K温度下对其I-V特性进行了测量,得到了具有共振隧穿特征的实验结果。对实验结果分析表明,纳米尺寸晶粒构成的量子点具有库仓阻塞效应. 相似文献
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纳米半导体硅薄膜是利用等离子体增强化学气相淀积方法制备的,制备条件可以很好地进行调节控制,纳米硅薄膜由两种组元组成,纳米尺度晶粒组元和晶粒间的界面组元,即晶态相和晶界相组成,这对发展半导体器件,例如量子功能器件和薄膜敏感器件等是特别有价值的。 相似文献
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采用等离子体增强化学气相沉积技术和旋涂法相结合制备了纳米硅/P3HT复合薄膜.利用Raman散射、紫外-可见吸收光谱(UV-Vis)和光致发光谱(PL)等技术对复合薄膜的微观结构及光学特性进行了分析.结果表明:氢流量的增加,可以有效钝化硅中的缺陷,提高纳米硅薄膜的晶化度;复合薄膜中纳米硅的引入改善了P3HT在短波长范围的吸收能力,但存在与P3HT辐射发光相竞争的过程;对复合薄膜的光致发光机制进行了分析. 相似文献
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考虑到薄膜中存在的缺陷对发光的影响,采用位形坐标为理论模型,对用射频溅射法制备的具有Au/(Si/SiO2)/p-Si结构样品的电致发光谱进行了数值分析.数值结果表明,在SiO2薄膜中存在2个缺陷中心,电子和空穴就是通过这些缺陷中心复合而发光.这一结论与实验符合得很好,并与量子限制效应-复合中心发光的理论结果相一致. 相似文献
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采用磁控共溅射法制备了含不同尺寸纳米硅晶粒的氧化硅复合薄膜.用高分辨电子透射显微镜测定了所制备样品中纳米硅粒的粒径,确定了其光学带隙和光吸收边蓝移量.对样品光吸收边蓝移量进行了理论计算,比较了理论蓝移量与实验蓝移量之间的差异,并进行了相应的理论分析. 相似文献
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采用磁控溅射法制备了纳米硅颗粒镶嵌氧化硅薄膜,测试了其光致发光谱,发现其发光强度不仅是纳米硅晶粒尺寸的函数,而且与纳米硅晶粒和二氧化硅间的比例关系有关.实验证实,钉扎现象是由于存在于纳米硅晶粒与非晶态外部介质界面间的发光中心所致,发光中心在界面处的分布并不均匀. 相似文献
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何宇亮 《科技导报(北京)》1998,(12):22-23
一、引言正当进入21世纪之际,微电子工业面临一场新的技术革命。随着电路集成度的不断提高,必然要涉及到纳米量级的器件结构,这促使人们去思考一些全新的物理问题。早在80年代初,科学家们先后提出了具有纳米(urn)量级的量子线和量子点新概念。在这些微空间里电子的性质全 相似文献