可在p型与n型间转换的新式晶体管问世

[科技日报]据美国物理学家组织网12月21日(北京时间)报道,德国科学家研制出一种新式的通用晶体管,其既可当p型晶体管又可当n型晶体管使用,最新晶体管有望让电子设备更紧凑;科学家们也可用其设计出新式电路。相关研究发表在最新一期的《纳米快报》杂志上。目     

美研制新型非易失性铁电存储设备

近日,美国科学家们正在研制一种新的计算机存储设备——铁电晶体管随机存取存储器（FeTRAM）,其将比现在的商用存储设备更快捷,且比占主流的闪存能耗更低。     

可在p型与n型间转换的新式晶体管问世

[科技日报]据美国物理学家组织网12月21日(北京时间)报道,德国科学家研制出一种新式的通用晶体管,其既可当p型晶体管又可当n型晶体管使用,最新晶体管有望让电子设备更紧凑;科学家们也可用其设计出新式电路。相关研究发表在最新一期的《纳米快报》杂志上。目前,大部分电子设备都包含两类不同的场效应晶体管:使用电子作为载荷子的n型和使用空穴作为载荷子的p型。这     

可在P型与11型问转换的新式晶体管问世

[科技日报]据美国物理学家组织网12月21日（北京时间）报道，德国科学家研制出一种新式的通用晶体管，其既可当P型晶体管又可当n型晶体管使用，最新晶体管有望让电子设备更紧凑；科学家们也可用其设计出新式电路。相关研究发表在最新一期的《纳米快报》杂志上。     

石墨烯晶体管开关频率提高

美国科学家将世界上最纤薄的材料——石墨烯设置成二维的蜂巢结构,研发出了石墨烯场效应晶体管。新晶体管拥有一个独特的管道结构,     

世界最小晶体管问世

英国曼彻斯特大学研究人员诺沃舍罗夫带领的研究小组采用石墨烯材料制成目前世界上最小的电子晶体管，其厚度为1个原子，直径10个原子。这种最新研制的新型电子晶体管比32纳米硅材料电子晶体管小3倍。这种电子晶体管可用于任何半导体制造。     

美国科学家制成新型生物纳米电子晶体管

三磷酸腺苷（ATP）可以作为细胞内能量传递的“分子通货”，储存和传递化学能，为人体新陈代谢提供所需能量，其在核酸合成中亦具有重要作用。最近美国科学家建造了可由三磷酸腺苷驱动和控制的新型生物纳米电子混合晶体管。     

对晶体管单管放大电路组态的教学探讨

指出确定晶体管单管放大电路组态时存在的一些问题并通过具体实例进行了探讨。给出确定晶体管单管放大电路组态的一般方法，这种方法具有普遍性，在教学中易于学生接受和掌握.     

雪崩晶体管产生窄脉冲用于探地雷达

雪崩晶体管产生窄脉冲用于探地雷达于东海（东南大学毫米波国家重点实验室，南京２１００１８）近年来，晶体管在雪崩区的运用越来越广泛，采用雪崩效应后，可以很方便地产生具有毫微秒甚至亚毫微秒上升时间以及很大峰值功率的脉冲．由于专用雪崩晶体管的出现，使得实用的...     

新型纳米晶体管可探测细胞内部

美国化学家和工程师共同制造了一种最新的V形纳米晶体管。这种新型纳米晶体管称为纳米级场效应传感器或纳米FETs，比许多病毒更小。人体细胞直径范围大约为从10μm左右的神经细胞到50μm的心脏细胞，     

基于雪崩晶体管纳秒脉冲发生器的设计与仿真

文章设计了一种基于雪崩晶体管的纳秒脉冲发生器,在介绍雪崩晶体管特性的基础上,对纳秒脉冲发生器电路进行了分析,并对电路进行仿真和测试。测试结果表明,这种纳秒脉冲发生器能够输出上升沿1.9～3.2ns、脉宽5～100ns和上升幅度10～100V的脉冲,测试结果与仿真结果吻合很好。     

MNOS可变阈值晶体管的研制

本文报导了用高纯氮气携带液氧蒸汽进入氧化炉生长约20A(?)的可隧穿的超薄SiO_2膜,以及用SiH_4—NH_3体系的LPCVD技术淀积具有电荷存储特性的Si_3N_4膜,从而制作出MNOS结构的可变阈值晶体管。这种晶体管的阈值电压窗口约17伏,且具有不破坏的读出特性。     

基于示波器的晶体管特性曲线测试电路的研究——HYDZ-1电路原理与调试

在晶体管HI-FI功放制作、学校学生晶体管实验中,需要晶体管特性图示仪进行晶体管配对、特性曲线观察,但晶体管特性图示仪价格昂贵.文章中介绍的晶体管特性曲线测试电路,配合普通示波器,可替代晶体管特性图示仪完成这一任务,观测效果良好.     

MNOS存储晶体管的研制

用液氮温度下的液氧蒸汽作为氧源,控制 O_2/N_2值在10~(-2)至10~(-3)可生长性能和重复性均为良好的可隧穿的超薄氧化层,结合用 SiH_4—NH_3体系的 LPCVD 技术,所淀积的具有电荷存储陷阱的 Si_3N_4膜能成功地制造 MNOS 结构存储晶体管。经测试,这种晶体管阈值窗口可设置在6V,对于管子处于高导态时,保留时间为10~3min,闽值电压变化的典型值为1V;当管子处于低导态时,其保留时间为3×10~3min 时阈电压变化的典型值为0.2V。这种存储管可擦写的次数为10~5以上。表明存储晶体管具有良好的器件特性。     

晶体管输出特性曲线的物理机制

引言晶体管特性曲线,是分析和计算晶体管电路的重要依据,也是生产者设计、制造和检测产品性能的直观参数指标.为了提高产品质量和深刻了解特性曲线的物理机制,并根据它的形状来快速分析和判别晶体管的优劣,我们从有关工厂的产品中,选择了许多特性曲线各不相同的晶体管,对此进行了反复多次的观察、分析和研究,对多年来未弄清的问题提出了我们的看法,这对生产有一定的促进作用.     

低温ECL电路直流特性测试与分析

低温ＥＣＬ电路直流特性测试与分析高梅芳，沈克强，魏同立，李垚（东南大学微电子中心，南京２１００１８）本文通过对低温ＥＣＬ电路和常温ＥＣＬ电路的比较和测试分析得知，晶体管饱和电流随温度下降而急剧下降，这是影响电路工作性能的主要因素．并指出，这种影响可通...     

晶体管超相移因子的精确计算

对晶体管的超相移因子提出一种简单、迅速、精确的计算机计算方法，设计了完整的计算程序。根据决定晶体管性能的关键参数，如：锘区宽度、基区少子扩散系数和基区少子扩散长度等，对晶体管超相移因子进行计算，得到精确的结果。     

半导体激光器和光晶体管组合双稳的研究

利用光晶体管的饱和特性和雪崩负阻特性实现了半导体激光器和光晶体管的组合双稳,并对影响其工作状态及特性的条件进行了讨论。     

T型量子器件的理论研究

对两种Ｔ型电子波导器件即遥控栅量子晶体管和中间栅量子晶体管进行了理论研究。通过求解电子波函数分析了器件的输运性质，证明了器件中栅极对电导的调制效应，即器件的晶体管功能。同时，对多模效应的研究表明，多模的相关会减弱器件的干涉效应，从而影响器件的功能。     

浅谈电子电路检修及晶体管在线检测技巧

万用表因使用简单、携带方便。是电子电路维修技术人员常用于检查电子电路的基本工具。在电子电路维修中发现,晶体管是属于易损元件,需要检查、更换。本文就简单介绍万用表电路检查流程和晶体管在线检查技巧。