MgO：V^2＋和MgO：Cr^3＋的四角畸变与零场分裂

Ｃｒ＾３＋和Ｖ＾２＋离子分别掺进晶体ＭｇＯ时，将引起局域结构产生四角畸变，本文研究了掺杂晶体ＭｇＯ；Ｖ＾２＋和ＭｇＯ；Ｃｒ＾３＋的ＥＰＲ零场分裂Ｄ，理论计算和实验观察基本一致；并指出，ＭｇＯ：Ｖ＾２＋局域结构的四角畸变程度应小于ＭｇＯ：Ｃｒ＾３＋。     

ZnSiF6.6H2O：Ni^2＋零场分裂D的压力效应

考虑到高压下晶体的微观结构，静电库仑作用都发生变化，本文研究了掺杂晶体ＺｎＳｉＦ６．６Ｈ２Ｏ：Ｎｉ＾２＋在低温下的零场分裂三角分量Ｄ与静水压间的联系，理论和实验结果符合好。     

四角对称晶场中d3离子ZFS参量的研究

利用Ｍａｃｆａｒｌａｎｅ的三阶微扰理论,研究了ｄ＾３离子ＺＦＳ参量随四角晶场的变化。同时研究了立方晶体中＾４Ａ２态与＾２Ｅ态在拉伸畸变和压缩畸变时零场分裂（ＺＦＳ）参量的变化。     

在Cs2CdX4（X=F,C1）：Cr^3＋四角晶位中配体对零场分 …

用双自旋－轨道耦合模型和半经验的分子轨道法研究了Ｃｒ＾３＋在Ｃｓ２ＣｄＸ４（Ｘ＝Ｆ,Ｃ１）四角晶位中的ＥＰＲ零场分裂和ｇ因子,结果表明,不应忽略配体Ｃ１对Ｃｒ＾３＋的零场分裂ｇ因子的贡献。     

Ni^2＋在AgCl和AgBr四角晶位中的零场分裂和g因子

用分子轨道和双自旋－轨道耦合模型,研究了Ｎｉ＾２＋在ＡｇＣｌ和ＡｇＢｒ四角晶位中的ＥＰＲ零场分裂和ｇ因子,结果表明,不应忽略配体Ｂｒ对ＡｇＢｒ：Ｎｉ＾２＋ＥＰＲ参数（Ｄ,ｇ）的贡献。     

用光谱和零场分裂确定晶体K2ZnF4:Ni2+的局部结构参数

采用半自洽场(semi-SCF)d-轨道模型和点电荷-偶极子模型,利用完全对角化方法,由K2ZnF4:Ni2 的d-d跃迁光谱和零场分裂D,确定了晶体K2ZnF4:Ni2 在常温(290 K)和低温(4.2 K)下的局部结构参数,并预测了顺磁g因子的大小.建立了局部结构参数与光谱、零场分裂之间的定量关系,并统一解释了K2ZnF4:Ni2 晶体的光谱和零场分裂的实验值,所得理论结果与实验值符合得很好.     

ZnF2：Ni^2＋晶体局域结构的理论研究

从光谱和EPR数据出发,用完全对角化方法确定了ZnF2：Ni^2＋晶体中的Ni^2＋-F^-键长与键角,证实了ZnF2：Ni^2＋晶体的局域结构畸变的存在.研究结果表明：ZnF2：Ni^2＋晶体与ZnF2基晶的结构参数对比,发现掺杂Ni^2＋离子的ZnF2晶体分别产生了沿C2轴的伸长畸变和在xy平面的压缩畸变;光谱和EPR参量计算的理论值与实验值非常接近.     

LiNbO3：Ni^2＋ 体中Ni^2＋离子的占位研究

本文研究了Ｎｉ＾２＋了在ＬｉＮｂＯ３晶体的占位。采用完全对角化哈密顿矩阵方法，计算了Ｎｉ＾２＋：ＬｉＮｂＯ３的零场分裂和光谱结构，计算与实验观测值一致。研究表明，Ｎｉ＾２＋离子ｉ＾＋位并且沿Ｃ３轴向氧八面体中心移动约０．２２Ａ。     

压缩四角晶场中NH4Cl：Cu^2＋的g因子研究

本文推导了3d^3 离子在压缩上角晶场中的电子能级和EPRg因子的3阶段微扰公式，并用该公式研究了晶体CH3Cl中掺杂Cu^2 离子的电子吸收光谱和EPRg因子，结果较为满意。     

SrLaAlO4:Co2+的四角场分裂及双中心跃迁的研究

联系SrLaAlO4（SLA）晶体的结构数据，在立方场和四角场下对SrLaAlO4:Co^2 晶体的能级进行了计算，得到了与实验符合很好的理论计算值。由四角场下的计算结果，我们重新对光谱进行了识别。我 们的计算结果验证了Aleshkevych等关于18830cm^-1是一条双中心跃迁的猜测，同时也纠正了他们关于这一双中心跃迁的错误识别。     

三角对称下的d~5离子旋-轨耦合晶场分裂

本文在弱场图象中利用不可约张量算符法,在考虑旋-轨耦合作用后,计算出 d~5离子在 C_(?)对称晶场中的哈密顿矩阵.     

LiNbO_3:Ni~(2+)晶体中Ni~(2+)离子的占位研究

本文研究了Ｎｉ２＋离子在ＬｉＮｂＯ３晶体中的占位．采用完全对角化哈密顿矩阵方法，计算了Ｎｉ２＋：ＬｉＮｂＯ３的零场分裂和光谱结构，计算值与实验观测值一致．研究表明，Ｎｉ２＋离子占Ｌｉ＋位并且沿Ｃ３轴向氧八面体中心移动约０．２２     

自旋—自旋相互作用对红宝石零场分裂的贡献

本文引入自旋－自旋相互作用，计算了红宝石等３种三角晶体中Ｃｒ＾３＋离子的零场分裂，理论计算与实验值一致，研究表明，自旋－自旋相互作用对三角晶场中ｄ＾３离子零场分裂的不应忽略。     

LiNbO_3: Cr~(3 ),Mg~(2 )晶体中Cr~(3 )离子的光谱精细结构,零场分裂和占位研究

采用完全对角化方法,首先计算了ＬｉＮｂＯ３：Ｃｒ３＋,Ｍｇ２＋晶体中Ｃｒ３＋（Ⅰ）离子的光谱精细结构,并重点分析了Ｃｒ３＋（Ⅰ）离子的零场分裂和Ｒ线（２Ｅ→４Ａ２跃迁）分裂．然后,根据ＬｉＮｂＯ３：Ｃｒ３＋,Ｍｇ２＋晶体的ＥＰＲ谱和吸收光谱,进一步研究了Ｃｒ３＋（Ⅰ）和Ｃｒ３＋（Ⅱ）离子的占位情况．计算结果表明：Ｃｒ３＋（Ⅱ）离子应占Ｎｂ５＋位,同时沿着Ｃ３轴向八面体中心移动０．０１３±０．００１ｎｍ,对于该占位,Ｃｒ３＋（Ⅱ）离子的零场分裂以及２Ｅ、４Ｔ２态的能量均与实验值符合;对于Ｃｒ３＋（Ⅰ）离子,存在着两种可能占位,即占Ｎｂ５＋位和Ｌｉ＋位,并且都沿着Ｃ３轴向八面体中心移动约０．０４９ｎｍ,它们的零场分裂值和２Ｅ态分裂都能与实验值相符合．     

D_4对称下~6S态离子零场分裂D值计算方法的理论分析

本文用能量矩阵对角化方法,分析和研究了由三种微扰机制获得的~6S态离子在D~4对称晶场中零场分裂公式的近似程度及适用范围.     

CaO和YAG中掺杂Fe^3＋,Mn^2＋离子的零场分裂

本文采用Ｆｅ＾３＋和Ｍｎ＾２＋离子的ＳＣＦ－ｄ轨道理论，通过分析杂质离子引起晶体中局域结构的变化，研究了晶体ＣａＯ和ＹＡＧ中掺杂Ｆｅ＾３＋和Ｍｎ＾２＋离子的零场分鲜明立方分量α和三角分量，合理地解决了在同一种晶体中掺杂Ｆｅ＾３＋离子的零场分裂比Ｍｎ＾２＋离子的大，有时甚至大１个数量级的疑惑。     

ZnF2:Ni2+晶体局域结构的理论研究

从光谱和EPR数据出发,用完全对角化方法确定了ZnF:Ni 晶体中的23(4 515 键长与键角,证实了 ZnF:Ni晶体的局域结构畸变的存在%研究结果表明,ZnF:Ni晶体与/01( 基晶的结构参数对比,发现掺杂23(4 离子的ZnF:Ni晶体分别产生了沿. 轴的伸长畸变和在,平面的压缩畸变.光谱和,-.参量计算的理论值与实验值非常接近.     

ZnF2:Ni2+晶体局域结构的理论研究

从光谱和EPR数据出发,用完全对角化方法确定了ZnF2:Ni2+晶体中的Ni2+-F-键长与键角,证实了ZnF2:Ni2+晶体的局域结构畸变的存在.研究结果表明:ZnF2:Ni2+晶体与ZnF2基晶的结构参数对比,发现掺杂Ni2+离子的ZnF2晶体分别产生了沿C2轴的伸长畸变和在xy平面的压缩畸变;光谱和EPR参量计算的理论值与实验值非常接近.