Cu0.5Zr2(PO4)3:Cu2+中心g因子研究

由于Cu0．5Zr2(PO4)3晶体具有良好的离子传导能力、催化特性、较低的热膨胀性，对它的研究引起了广泛的关注．本文引入平均共价因子N，并结合晶体结构数据给出了3d^9离子在晶场D4h下的g因子公式，利用该公式并结合Cu0．5Zr2(PO4)3晶体的具体结构数据对Cu0．5Zr2(PO4)3晶体中CU^2 中心的EPRg因子进行了理论分析计算，所得到的结果与实验值基本吻合．     

3Cu(IO3)2·2H2O中Cu2+离子两种占位的吸收光谱和g因子

在晶体场理论基础上,推导出了3d9离子在压缩四角对称晶场中2B1g态混合进基态2A1g的EPR g因子的三阶微扰公式.用该公式研究了晶体3Cu(IO3)2·2H2O中Cu2+离子两种占位的EPRg因子,并分别计算了它们的电子吸收能级,理论研究合理地解释了实验结果.     

NH4F和Cs2ZnCl4中掺杂Cu2+离子各向异性g因子的研究

在一些四配位四面体的晶体中，过渡金属络离子(MLx)^n-往往具有较强的共价性和各向异性的EPRg因子，在晶体场理论基础上，研究了晶体NH4F以及Cs2ZnCl4中掺杂Cu^2 离子基态b2g的EPRg因子，理论计算与实验结果符合好。     

ZnX:Co2+(X=S,Se,Te)中配体对g因子贡献规律的研究

采用双自旋-轨道耦合参数模型和半经验的分子轨道法研究了Co^2 离子在Ⅱ-Ⅵ半磁半导体ZnX(x=S，Se，Te)中的EPRg因子．结果表明，配体Se和Te对Co^2 的g因子有不可忽略的贡献，并且，配体S、Se和Te对相同中心金属Co^2 的络离子的EPRg因子的贡献随配体的原子序数变大而依次增加．     

Ti3+:ZrSiO4中Ti3+中心g因子研究

锆英石(ZrSiO4)的热膨胀系数和导热系数较低,抗震性能和化学稳定出色,近年来,逐渐受到人们的重视.通过引入平均因子和3d1电子在D2d晶场的g因子公式,研究了Ti^3 :ZrSiO4中Ti^3 中心EPRg因子,得到的结果与实验值基本稳合.     

CsNiCl3晶体光谱、EPR谱和x散射实验的理论研究

采用半自洽场(semi-SCF)d轨道模型和完全对角化方法，对CsNiCl3晶体的吸收光谱，EPRg因子和零场分裂D和x散射实验作出了新的统一解释，计算结果与实验值符合得很好．在此基础上，进一步对CsNiCl3在低温下顺磁共振g因子随温度的漂移作了半定量的解释．     

Cu0.5Zr2（PO4）3中Cu^（2＋）离子中心各向异性g因子研究

采用3d离子斜方对称g因子的高阶微扰公式计算了Nasico型晶体Cu0.5Zr2（PO4）3中Cu^（2＋）离子中心各向异性g因子（gx，gy，gz），其中斜方晶场参量由重叠模型并联系晶体中Cu^（2＋）离子所处的局部结构确定。研究表明，晶体中Cu^（2＋）离子中心配体八面体平面键角相比理想斜方对称的90°要小10°左右，由此所得的因子计算结果与实验符合较好。     

SnTiO_3∶Mn~(4+)晶体中荷移激发态对EPRg的贡献

构建了四方八面体(MnO6)8-络离子g因子的完全高阶微扰公式.公式中,除了中心离子Mn4+和配体离子O2-自旋-轨道耦合对g因子的贡献(双SO耦合参数模型)外,也考虑了荷移激发态(与电荷转移谱有关)与基态混合对g因子的贡献.公式得到SnTiO3∶Mn4+的g因子与实验值吻合.而双SO耦合参数模型获得的g因子值较大地偏离了实验值,这说明SnTiO3∶Mn4+晶体g因子的计算中荷移激发态与基态的相互作用不能被忽略.     

ThSiO4晶体中Yb^3＋离子的自旋哈密顿参量的理论研究

从晶体场理论出发，用考虑了二阶微扰贡献的理论公式和由晶体结构数据和重叠模型获得的晶场参量，计算了ThSiO4晶体中四角对称的Yb^3 离子的自旋哈密顿参量g因子和超精细结构常数A因子，计算结果与实验很好地符合，并对结果进行了讨论。     

ZnSe:Co2+中四面体络离子(CoSe4)6-的g因子

用双自旋-轨道耦合参数模型和半经验的分子轨道法研究了四面体Td对称晶场中络离子(CoSe4)^6-的EPRg因子。结果较从前的计算更接近实验数据，并表明配体Se对Co^2 的g因子有不可忽略的贡献。     

ThSiO4晶体中Yb3+离子的自旋哈密顿参量的理论研究

从晶体场理论出发，用考虑了二阶微扰贡献的理论公式和由晶体结构数据和重叠模型获得的晶场参量， 计算了ThSiO4晶体中四角对称的Yb3+离子的自旋哈密顿参量g因子和超精细结构常数A因子, 计算结果与实验很好地符合，并对结果进行了讨论。      

SnTiO_3：Cr~(3+)晶体中八面体络离子(CrO_6)~(9-)电子顺磁共振参量的研究

构建了四方八面体(CrO_6)~(9-)络离子g因子的完全高阶微扰公式,该公式同时包含中心离子Cr~(3+)和配体离子O~(2-)的自旋轨道耦合对g因子的贡献(双SO耦合参数模型),用此公式算得的g因子值与实验值符合得很好.令分子轨道混合系数λ_t=λ_e归一化系数N_t=N_e,获得g因子的单SO耦合参数模型,该模型计算的(CrO_6)~(9-)络离子g因子与实验值偏差较大,说明配体O~(2-)对g因子有不可忽略的贡献.     

Cu0.5Zr2（PO4）3中Cu2+离子中心各向异性g因子研究

采用3d9离子斜方对称g因子的高阶微扰公式计算了Nasico型晶体Cu0.5Zr2(PO4)3中Cu2+离子中心各向异性g因子(gx,gy,gz),其中斜方晶场参量由重叠模型并联系晶体中Cu2+离子所处的局部结构确定。研究表明,晶体中Cu2+离子中心配体八面体平面键角相比理想斜方对称的90°要小10°左右,由此所得的因子计算结果与实验符合较好。     

高温超导材料的电子顺磁共振理论研究

为了合理解释含稀土离子的高温超导材料的电子顺磁共振谱,从晶体场理论出发,给出晶体材料中稀土离子的微扰公式,阐述了高温超导材料中稀土Kramers离子的自旋哈密顿参量理论,并计算给出了稀土离子Re3+ 的电子顺磁共振（electron paramagnetie resonance,EPR）参量g因子和超精细结构常数A。计算结果与实验谱线符合较好,说明所采用的微扰公式和理论处理方法是有效和合理的。研究表明,对高温超导材料中Re3+的自旋哈密顿参量进行精确解释,通常应该考虑到二阶微扰项的贡献。     

四方八面体络离子(MnO_6)~(8-)电子顺磁共振参量的研究

文章构建了四方八面体(MnO6)8-络离子g因子的完全高阶微扰公式,该公式包含中心离子Mn4+和配体离子O2-的自旋-轨道耦合对g因子的贡献(双SO耦合参数模型),用该公式所得的g因子值与实验值一致。令分子轨道混合系数λt=λe以及归一化系数Nt=Ne,获得g因子的单SO耦合参数模型,该模型计算的(MnO6)8-络离子g因子与实验值偏差较大,说明配体O2-对g因子有不可忽略的贡献。     

立方对称下 d~5离子的 g 因子

本文推导了立方对称下 d~5离子的 g 因子的三阶微扰公式,证明了 Sato 等人的公式是错误的,并应用于计算 Mn~(2+):ZnS 的 g 因子,得到了很好的结果.     

KNbO3:Ir4+ 晶体自旋哈密顿参量和缺陷结构的研究

采用低自旋态(2T2)d5离子在三角对称中的公式, 计算了KNbO3:Ir4+ 晶体的自旋哈密顿参量g因子g//,g⊥和超精细结构常数A//,A⊥. 计算结果与实验值符合较好. 同时, 计算还获得了Ir4+离子在KNbO3晶体中的缺陷结构信息,对上述结果进行了讨论.     

当量电导—偏摩尔体积法计算离子水合数

本文提出了一种新的计算离子水合数的方法。用计算机拟合了Robinson-Stokes校正因子。得到了通用的校正因子公式。并用极限当量电导和无限稀释时的偏摩尔体积数据,分别求得了各种离子的水合层体积和水合层中水的摩尔体积,进而得到了离子的水合数。本文计算结果与迁移数法得到的结果基本一致。我们发现碱金属离子和碱土金属离子的水合体积与离子的晶体半径的立方有近似的线性关系。     

NENP和NINO的电子自旋共振分析

本文在强场框架导出了ｄ８离子基态３Ａ２（Ｆ）自旋哈密顿参量Ｄ、Ｅ和ｇ－因子在斜方对称下的高阶微扰公式；借助于赵等人的参量化ｄ轨道理论，计算ＮＥＮＰ和ＮＩＮＯ的自旋哈密顿参量Ｄ、Ｅ和ｇ－因子，得到了与实验符合很好的结果     

NaCl:Cu2+的混合基态EPR g因子的研究

考虑到NaCl:Cu2 晶体中 ,络离子 (CuCl6 ) 4- 的局域结构为沿〈0 0 1〉晶轴方向的具有微弱斜方畸变的伸长四角对称 ,引进了 2 A1g态混合进基态 2 B1g 的机制 ,用双自旋 轨道耦合模型和半经验分子轨道法研究了NaCl:Cu2 的EPRg因子 ,获得了理论诠释合理以及计算结果与实验值符合好的满意结果 .