α－Si：H快速退火电学性质的研究

对α－Ｓｉ：Ｈ材料作快速退火固体晶化工艺处理，Ｈａｌ效应测试表明：随着退火温度的增加，μＨ和σ逐渐增加．经８００℃，８ｍｉｎ退火后，样品电导率激活能０．１０４ｅＶ．     

非晶硅的二步快速退火固相晶化

我们采用二步退火法，对由等离子增强化学汽相淀积法（ＰＥＣＶＤ）制备的ａ－Ｓｉ：Ｈ膜进行退火处理，并观察了其晶化效果，由于二步快速退火方式与通常固相晶化退火法相比可大大缩短退火时间，因此具有较大的应用潜力。     

光照和退火对非晶硅场效应管特性的影响

氢化非晶硅（ａ－Ｓｉ：Ｈ）场效应晶体管（ＦＥＴ）的特性对环境因素较为敏感，光照、湿度和温度等都会对其产生影响。该文介绍光照和退火引起的氢化非晶硅场效应晶体管场效应特性的变化。长时间使用ＡＭＩ标准光源光照和３５０℃以上的温度退火都引起了样品场效应特性的较大变化，光照２ｈ使得样品开启电压从６Ｖ增大到１９Ｖ，场效应特性曲线向栅压较大的方向平移，而４７０℃的高温退火则使该样品的场效应特性曲线形状发生了极大的变化，栅电压的控制作用减弱。最后根据ａ－Ｓｉ：Ｈ的价键模型对此进行了讨论。     

a－Si：H和a－SiC：H薄膜掺杂效率的研究

本文通过测量掺杂ａ－Ｓｉ：Ｈ和ａ－Ｓｉｃ：Ｈ薄膜的电导率随退火温度和退火时间变化研究了温度对掺杂效率的影响以及杂质激活的微观过程。结果表明，（１）杂质激活过程是伸展指数形式，（２）在低温区掺杂效率正比于，（３）在高温区掺杂效率达到一饱和值。通过一个与氢运动有关的杂质激活模型，我们解释了上述实验结果。     

多晶硅一维MIS结构光位敏探测器的研制

以横向光伏效应为工作模式，采用氢化非晶硅（ａ－Ｓｉ：Ｈ）的快速退火固相晶化工艺，我们成功地研制了一维ＭＩＳ结构的多晶硅（ｐｏｌｙ－Ｓｉ）光位敏探测器（ＰＳＤｓ）．测试结果表明：该器件光响应峰位在６６０ｎｍ附近，峰位处光谱灵敏度为１×１０－３μＡ／μＷ，在２０ｍＷ／ｃｍ２光功率密度下，对７８０ｎｍ的近红外光其平均位敏度约０．２８ｍＶ／ｎｍ，与未经退火的α－Ｓｉ：Ｈ器件相比，光响应最大光位敏度为０．４６ｍＶ／ｎｍ，峰位红移６０ｎｍ，光谱灵敏度提高了１－２个数量级。     

退火条件对Fe基纳米晶合金磁性的影响

详细研究了非晶Ｆｅ７２．７Ｃｕ１Ｎｂ２Ｖ１．８Ｓｉ１３．５Ｂ９合金在纳米晶化过程中退火温度与退火加热速度对合金磁性的影响，实验结果表明，当退火温度Ｔａ低于５３０℃时，随着Ｔａ的提高合金磁导率缓慢增加。当Ｔａ高于５４０℃时，磁导率迅速增加，５７０℃退火时磁导率出现峰值，实验发现，在纳米晶化过程中退火加热速度对合金的初始磁导率ｕｉ有明显的影响，ｕｉ随着退火加热速度的提高而增大。     

类金刚石碳膜在大气热退火过程中的稳定性

本文对双离子束溅射淀积法制备的类金刚石碳膜进行了大气中的热退火研究。退火温度３００℃，时间分别为１．５ｈ和３．０ｈ。对退火前后的样品分别作了红外透射谱、Ｒａｍａｎ光谱和电阻率的测量，并在退火过程中对膜层电阻率进行了即位测量。结果表明，３００℃的退火并不能使膜层中的Ｃ－Ｈ键断裂，而使膜层结构趋于完整，膜层氧化变薄，其电阻率和红外透过率过率增高；但退火对膜的影响程度只与退火温度有关，而与退火时间无关。     

退火温度对单向纤维晶纯铜线材组织性能影响

对退火前后单向纤维晶纯铜线材组织进行了观察，测试了其力学与导电性能，结果表明：在300℃以下退火时，线材的金相显微组织与退火前相比没有明显变化，仍然保持为连续纤维晶，其抗拉强度有所下降，延伸率有所增加；在400℃退火时，线材发生完全再结晶，且有孪晶生成；500％退火时，再结晶晶粒长大；在400℃以上退火时，抗拉强度大幅度下降，延伸率显著增加；在200～400℃的范围退火时，电导率增加，但增幅较小。     

PECVD氮化硅薄膜的沉积和退火特性

利用等离子增强化学气相沉积(PECVD)方法沉积了氮化硅薄膜，反应气体为氨气和硅烷。这些薄膜在不同条件(温度、时间和气氛)下进行了炉温或快速退火。对太阳电池而言，氮化硅薄膜不仅是有效的减反射层而且也有表面钝化和体钝化作用。利用椭圆偏振光谱、反射谱、红外吸收谱和准稳态光电导(QSSPC)分析了氮化硅薄膜的特性。实验发现随着退火温度的增加，氮化硅薄膜的厚度下降而折射率增加，可以归因于在退火过程中，薄膜愈加致密。红外吸收谱的研究发现，氮化硅中氢的含量在退火过程中有明显的下降，而QSSPC测量的样品寿命有同样的变化。这些结果显示氮化硅的钝化作用与其中的氢含量有关。     

退火对大面积CdTe多晶薄膜薄膜的影响

对近空间升华法制备的大面积（30*40cm2）CdTe多晶薄膜用不同方法进行退火处理,用XRD、C～V、I～V等研究了退火条件,退火方式对薄膜结构和器件性能的影响。结果表明：刚沉积的CdTe多晶薄膜呈立方相,沿着（111）方向择优取向而退火后（111）（220）（311）等峰都有不同程度的增加。在纯氧气氛下,400℃退火还出现了新峰。随着退火温度的增加,电导激活能降低。经过连续退火装置在400℃下退火30分钟的电池,1/C2和V成线性关系,具有较高的掺杂浓度、较理想的二极管因子和较高的转换效率。     

中碳钢快速球化退火工艺的研究

通过正交试验对中碳钢快速球化退火工艺及其组织性能进行了研究，结果表明：新工艺可以缩短球化时间近１０倍，使中碳钢的球化退火实现了省时、节能、高质量的满意效果。     

低温退火处理对钛合金机械性能的影响

采用不同的退火温度对一种新型钛合金进行处理，通过拉伸试验分析退火温度对其机械性能的影响。试验结果表明：在一定温度范围内退火处理可以大幅度提高该材料的强度极限和弹性模量，但同时使材料变脆，塑性显著下降。因此，对材料进行单一的退火处理只能提高该材料的强度，不能综合改善其机械性能。     

a-Si∶H 薄膜固相晶化法制备多晶硅薄膜

利用固相晶化法获得多晶硅薄膜(退火温度700～800℃)，采用XRD、Raman等分析手段进行了表征与分析。研究结果表明：晶粒平均尺寸随着退火温度的降低、掺杂浓度的减少、薄膜厚度的增加而增加；并且退火后薄膜暗电导率提高了2～4个数量级。     

后处理对近空间升华法制备CdS薄膜性能影响研究

将近空间升华法（CSS）沉积所得的CdS薄膜进行退火处理,利用XRD、SEM、暗电导温度关系研究不同退火条件对CdS多晶薄膜性能的影响.结果表明退火后CdS多晶薄膜在（002）面上具有择优取向;退火促使再结晶并促进晶粒长大;暗电导(darkσ)随退火温度增加而增加,暗电导激活能(Ea)随退火温度的增加而减少.最后得到较优化的退火条件,获得适合作为CdTe太阳电池窗口层的CdS薄膜.     

a—C：H膜与宁强陨石有序度的比较研究

利用Ｒａｍａｎ谱与退火关系研究ａ－Ｃ：Ｈ与宁强陨石的有序度。非晶碳是宁强陨石的主要组成结构２；陨石与非晶碳样品的有序度随退火温度的变化规律类似，只是出现的温度范围不同，并且陨石与Ｔｓ＝１００℃的ａ－Ｃ：Ｈ在经过４５０℃退火后Ｒａｍａｎ谱形状类似。     

a－C：H膜与宁强陨石有序度的比较研究

利用Ｒａｍａｎ谱与退火关系研究ａ－Ｃ：Ｈ与宁强陨石的有序度．非晶碳是宁强陨石的主要组成结构；陨石与非晶碳样品的有序度随退火温度的变化规律类似，只是出现的温度范围不同，并且陨石与Ｔｓ＝１００℃的ａ－Ｃ：Ｈ在经过４５０℃退火后Ｒａｍａｎ谱形状类似．     

IF钢再结晶退火过程中析出相行为研究

对ＩＦ钢在退火过程中二相粒子的演变规律进行了研究,结果表明：退火以前形成的二相粒子,如ＴｉＣ,在经过罩式退火和连续退火后,其尺寸,形状和分布有较大的区别;在连续退火中不形成新的析出相,而在卓式退火中形成两类新的析出相－ＦｅＴｉＰ相和（Ｔｉ,Ｍｎ）Ｓ相,这是首次报道有关ＦｅＴｉＰ相在含Ｐ,Ｍｎ较低（Ｐ≤０．０１％,Ｍｎ〈０．２％）的ＩＦ钢中析出,以及Ｍｎ以（Ｔｉ,Ｍｎ）Ｓ相的形式在罩式退火中析出,还     

铝诱导晶化非晶硅薄膜研究

应用晶化非晶硅（a—Si）薄膜铝诱导方法，采用X射线衍射（X-ray diffraction，XRD）、光学显微镜（Optical Microscopy，OM）和原子力显微镜（Atomic Force Microscopy，AFM）等测试手段，研究了退火条件对样品晶化的影响．结果表明，样品在300℃下退火后仍为非晶态；退火温度为400℃时，样品开始晶化．随着退火时间的增加，薄膜晶化程度越来越高，晶粒越来越大，同时薄膜表面粗糙度增加．     

退火对大面积CdTe多晶薄膜薄膜的影响

对近空间升华法制备的大面积(30×40 cm~2)CdTe多晶薄膜用不同方法进行退火处理,用XRD、C～V、I～V等研究了退火条件,退火方式对薄膜结构和器件性能的影响.结果表明:刚沉积的CdTe多晶薄膜呈立方相,沿着(111)方向择优取,向而退火后(111)(220)(311)等峰都有不同程度的增加.在纯氧气氛下,400℃退火还出现了新峰.随着退火温度的增加,电导激活能降低.经过连续退火装置在400℃下退火30分钟的电池,1/C~2和V成线性关系,具有较高的掺杂浓度、较理想的二极管因子和较高的转换效率.     

瞬态退火过程中高密度缺陷运动对PN结漏电流影响的机理

5×10~(16)cm~(-2)的As高注量注入Si时,瞬态退火过程中出现高密度缺陷.它是由超饱和As浓度的存在造成的,其分布随退火时间增加而展宽.这种缺陷在退火过程中导致奇异扩展的出现.As浓度分布在高密度缺陷区与单晶区交界处出现拐点.拐点深度随退火时间加长而变深.高密度缺陷扩展结果导致PN结漏电流增加.讨论了缺陷运动对PN结漏电流影响的机理.