自旋三重态对半磁半导体Cd_（1－x）Fe_xTe和Cd_（1－x）Fe_xSe的基态精细结构分裂的影响

本文在强场图象下推导了３ｄ４／３ｄ６离子在三角晶场中包括自旋－轨道相互作用的哈密顿矩阵公式．采用双ＳＯ轨道模型计算了Ｆｅ２＋离子在Ⅱ－Ⅵ半磁半导体ＣｄＴｅ和ＣｄＳｅ中的基态精细结构分裂（ＦＳＳ）．理论计算的ＦＳＳ和实验结果符合很好．并且发现自旋三重态对基态的ＦＳＳ起着重要的影响     

RbCdF3：Fe^3＋和CsCdF3：Fe^3＋晶体中Fe^3＋—Li^＋缺陷…

本文计算了掺入三价Ｆｅ＾３＋离子和Ｌｉ＾＋杂质后，晶体ＲｂＣｄＦ３和ＣｓＣｄＦ３中的Ｆｅ＾３＋－Ｌｉｕ＾＋缺陷中心的零场分裂参量，微扰计算进行到第六阶。     

D4h对称下^5D,^3L和^1L态的哈密矩阵研究及它的应用

本文推导了３ｄ＾４／３ｄ＾６离子在Ｄ４ｈ对称下＾５Ｄ、＾３Ｌ（Ｌ＝Ｐ，Ｄ，Ｆ，Ｇ，Ｈ）和＾１Ｌ（Ｌ＝Ｓ，Ｄ，Ｆ，Ｇ，Ｈ）态的哈密顿矩阵元，其中包括晶场、自旋－轨道、自旋－自旋相互作用及Ｔｒｅｅｓ＇修正。     

CaO和YAG中掺杂Fe^3＋,Mn^2＋离子的零场分裂

本文采用Ｆｅ＾３＋和Ｍｎ＾２＋离子的ＳＣＦ－ｄ轨道理论，通过分析杂质离子引起晶体中局域结构的变化，研究了晶体ＣａＯ和ＹＡＧ中掺杂Ｆｅ＾３＋和Ｍｎ＾２＋离子的零场分鲜明立方分量α和三角分量，合理地解决了在同一种晶体中掺杂Ｆｅ＾３＋离子的零场分裂比Ｍｎ＾２＋离子的大，有时甚至大１个数量级的疑惑。     

氟化谱中磁化率和费尔德常数的计算

计算了自旋，轨道相互作用和晶场对顺磁性物质ＰｒＦ３中Ｆｒ＾３＋离子４ｆ和５ｄ能级的影响，考虑了间接交换作用有效场Ｈγ和外磁场Ｈｅ导致的晶场基态能级的进一步分裂，最后应用三能级模型计算了磁化率Ｘ，比法拉第旋转θＦ和费尔德常数Ｖ以及它们与温度Ｔ的依赖关系，计算表明Ｐｒ＾３＋离子之间的间接交换作用对ＰｒＦ３的磁光效应有重要影响，在１１０Ｋ〈Ｔ≤３００Ｋ范围内Ｘ＾－１，Ｖ＾－１与Ｔ成线性关系，在低温与Ｔ无     

自旋—自旋相互作用对红宝石零场分裂的贡献

本文引入自旋－自旋相互作用，计算了红宝石等３种三角晶体中Ｃｒ＾３＋离子的零场分裂，理论计算与实验值一致，研究表明，自旋－自旋相互作用对三角晶场中ｄ＾３离子零场分裂的不应忽略。     

^5D态在D2对称晶体中的哈密顿矩阵及应用

本文推导了３ｄ~４／３ｄ~６离子~５Ｄ组态在Ｄ_２对称的晶体场中包括自旋－轨道、自旋－自旋和外磁场作用的哈密顿矩阵，并研究了ＺｎＳｅ：Ｃｒ~（２＋）中的零场分裂参量和塞曼谱。     

在Cs2CdX4（X=F,C1）：Cr^3＋四角晶位中配体对零场分 …

用双自旋－轨道耦合模型和半经验的分子轨道法研究了Ｃｒ＾３＋在Ｃｓ２ＣｄＸ４（Ｘ＝Ｆ,Ｃ１）四角晶位中的ＥＰＲ零场分裂和ｇ因子,结果表明,不应忽略配体Ｃ１对Ｃｒ＾３＋的零场分裂ｇ因子的贡献。     

GdCo5和Gd^3＋离子的磁晶各向异性

本文采用点电荷模型，考虑过渡族离子和稀土离子对晶场势的贡献。以自旋轨道耦合与晶场势为微扰哈密顿量，计算了ＧｄＣｏ５中Ｇｄ＾３＋的基态分裂和磁晶各向异性常数，所得结论解释了ＧｄＣｏ５的磁晶各向异性。     

三角对称晶体中3d^3,7离子电子顺磁共振参量的严格微观表示 …

根据唯象自旋哈密顿和微观相互作用之间的近似等效性，本文导出了３ｄ＾３，７离子在三角对称四面体场中的基态＾４Ａ２（Ｆ）的电子顺磁共振参量的微观公式。利用这些公式和对角化１２０阶能量矩阵，可以统一地解释ＺｎＯ：Ｃｏ＾２＋的光吸收和电子顺磁共振谱。     

反铁磁性物质FeCO3基态^5D的精细分裂

在弱场图象下，利用Ｒａｃａｈ不可约张量算符法得到了三角对称ｄ＾４．６电子组态的完全能量矩阵，在ＶＡＸ－Ⅱ计算机上采用完全对角化方法，首次成功地解释了ＦｅＣＯ３基态＾５Ｄ的精细分裂谱。     

NENP和NINO的电子自旋共振分析

本文在强场框架导出了ｄ８离子基态３Ａ２（Ｆ）自旋哈密顿参量Ｄ、Ｅ和ｇ－因子在斜方对称下的高阶微扰公式；借助于赵等人的参量化ｄ轨道理论，计算ＮＥＮＰ和ＮＩＮＯ的自旋哈密顿参量Ｄ、Ｅ和ｇ－因子，得到了与实验符合很好的结果     

磷酸三丁酯—Span80—二甲苯乳状液膜迁移,富集稀土元…

用ＴＢＤ－Ｓｐａｎ８０－二甲苯乳状液膜体系研究了Ｌａ＾３＋的迁移行为，确定了完全、快速迁移Ｌａ＾３＋的条件。在该条件下，能够使Ｌａ＾３＋从常见过渡元素Ｆｅ＾３＋、Ｃｏ＾２＋、Ｎｉ＾２＋、Ｃｕ＾２＋、Ｃｄ＾２＋、Ｍｎ＾２＋、Ｚｎ＾２＋等离子的混合液中得到完全分离。     

配体Br的SO耦合对CsCdBr3：Cr^3＋EPR的影响

本文用双自旋－轨道耦合模型研究了晶体ＣｓＣｄＢｒ３中掺杂Ｃｒ＾３＋离子的ＥＰＲｇ因子和零场分裂Ｄ。结果表明，配体Ｂｒ大的ＳＯ耦合作用和较强的共价性对络合物ＥＰＲ参量的影响不应忽略。     

用光谱和电子顺磁共振测量值来确定顺磁离子在晶体中的局部结构(英文)

推导了３ｄ５离子在Ｏｈ对称强场图象下包括Ｔｒｅｅｓ和Ｒａｃａｈ修正的全晶体场和自旋－轨道作用矩阵，并将该矩阵应用于ＫＭｇＦ３：Ｍｎ２＋和ＫＺｎＦ３：Ｍｎ２＋．计算结果支持用吸收光谱和电子顺磁共振测量数据确定局部结构，也支持一个近似等价的ＳＣＦ－ＭＯ模型计算．另外，作为一种予测，由ＣｓＣａＦ３：Ｍｎ２＋的光谱算得电子顺磁共振参量为ａ＝４．４７×１０４ｃｍ－１．     

新型稀磁半导体Zn＿（1－x）Co＿xSe和Zn＿（1－x）Co＿xS的能谱

本文报道用晶体场理论对新型稀磁半导体Ｚｎ＿（１－ｘ）Ｃｏ＿ｘＳｅ和Ｚｎ＿（１－ｘ）Ｃｏ＿ｘＳ中Ｃｏ￣（２＋）离子不同能级间的跃迁进行计算的结果。与实验观测结果进行了比较，获得了相应的晶场参量Ｄ＿ｑ，Ｒａｃａｈ静电参量Ｂ，Ｃ和自旋－轨道耦合参数λ。本文对Ｚｎ＿（１－ｘ）Ｃｏ＿ｘＳｅ和Ｚｎ＿（１－ｘ）Ｃｏ＿ｘＳ分别指认了观测到的Ｃｏ￣（２＋）离子能级间的跃迁。对较低能级部分，实验结果与理论计算符合较好。     

α—Fe2O3（Sn,SO^2—4）气敏材料中SO^2—4离子的作用

研究了不同条件下制备的α－Ｆｅ２Ｏ３（Ｓｎ，ＳＯ＾２－４）气敏材料的电特性，气敏性和晶粒尺寸特性，发现ＳＯ＾２－４作为一种离子基团掺杂对甲烷有明显的增感作用，我们认为引入离子基团是α－Ｆｅ２Ｏ３气敏材料改性的一种途径。     

含He元素簇HeX^n＋（n=1,2;X=B—Ne）的自旋轨道偶合数的CAS…

用全活化空间多组态自洽场方法，计算了ＢＨｅ＾＋（＾３Σ＾＋），ＣＨｅ＾２＋（＾３Σ＾－），ＮＨｅ＾＋（＾３Σ＾－＿ＯＨｅ＾２＋（＾３Σ＾－），ＦＨｅ＾＋（＾３Σ＾－）和ＮｅＨｅ＾２＋（＾３Σ＾－）等含氦的双原子簇合物离子三态的自旋－轨道偶合常数，得到了一些有意义的结果。与原子中的情形一样，随着电子数的增加，电子的轨道运动和自旋运动的相互作用迅速增强。     

用谱学方法研究铜在Fe（CN）^3—6溶液中的腐蚀行为

用ＦＴ－ＩＲ、ＵＶ－Ｖｉｓ和ＸＰＳ等分子光谱和电子能谱方法研究了铜在Ｆｅ（ＣＮ）＾３－６溶液中的腐蚀过程，表面膜的形成及其改性。结果表明，腐蚀膜主要由Ｃｕ＾１＋４Ｆｅ＾Ⅱ（ＣＮ）６（大量）和Ｃｕ＾２＋２Ｆｅ＾Ⅱ（ＣＮ）６（少量）组成，并夹杂有Ｋ４Ｆｅ（ＣＮ）６和Ｋ３Ｆｅ（ＣＮ）６；     

Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中Co2＋的光谱及g因子的研究

采用一种修正的晶体场理论方法研究了３ｄ＾７离子在Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体中的光谱和ＥＰＲ谱ｇ因子。此方法考虑了ｄ＾７离子ｄ电子与配体混合而导致ｄ轨道中ｅ和ｔ２轨道畸变的各向异性以及配体旋轨耦合作用对ｇ因子的贡献,用此方法解释了ＧａＰ,ＩｎＰ和ＧａＡｓ中Ｃｏ＾２＋的光谱和ｇ因子,并对结果进行了讨论