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1.
令{Xn, n≥1}是一列独立同分布的随机变量,其共同分布为F(x). X1, n≤…≤Xn, n}是其次序统计量。Q 是F的分位函数。对任何分布函数F,只要λ和1-λ是Q 的连续点且σ(λ)>0,重截和的重对数律成立。而且在这种情形下获得了强逼近结果。 相似文献
2.
Ca1-xSrxTiO3(0≤x≤1)体系粉晶X射线研究 总被引:5,自引:0,他引:5
利用粉晶X射线在室温下对CaTiO3-SrTiO3体系中钙钛矿型化合物进行了系统测量和结构精化。随着Sr含量的增加,Ca1-xSrxTiO3(0≤x≤1)从斜方晶系的Pbnm结构依次转变为斜方Bmmb, 四方I4/mcm和等轴Pm3m结构。其相转变边界依次为:Pbnm-Bmmb x=0.45(5),Bmmb-I4/mcm x=0.65(5)和I4/mcm-Pm3m x=0.92(2)。 相似文献
3.
蒙在照 《北京大学学报(自然科学版)》2001,37(5):639-642
设dk(n)为k重除数函数(k≥2)。证明了:对充分大正数x, 同时使等式组{dk(n)=dk(n+1), k≥2}成立且不超过x的n的个数为≥x(loglogx)-2.5。 相似文献
4.
5.
采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似(GGA)的PBE平面波超软赝势方法,研究了闪锌矿型CdS和ZnO1-xSx(x=0,0.25,0.5,0.75,1)的电子结构和光学特性.计算并分析了闪锌矿型CdS和ZnO1-xSx的复介电函数、光电导率、吸收系数和损失函数.研究结果表明,闪锌矿型CdS和ZnO1-xSx(x=0,0.25,0.5,0.75,1)均为直接带隙半导体材料.ZnO中一定浓度的硫掺杂,导致带隙宽度变窄,而晶格常数随掺杂基本呈线性变化.就目前制备铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池普遍使用CdS缓冲层而言,ZnO1-xSx具有与CdS类似的电子结构,但光学特性上高频特性有明显改善.这些特性对于改善电池吸收层表面性能和光吸收特性、制备高效CIGS薄膜太阳能电池非常有利. 相似文献
6.
在二阶广义正规变换条件下,分别给出了当γ<1/3, γ=1/3及1/3<γ<1/2时的极值和的分布函数渐近正态展开式。 相似文献
7.
鲁自群 《北京大学学报(自然科学版)》1999,35(1):31-34
用n1(G)=|{χ|χ∈Irr(G),χ(1)为合数}|和n2(G)=|{χ(1)|χ∈Irr(G),χ(1)为合数}|分别对G的幂零长进行了估计。 相似文献
8.
研究不同浓度西帕依固龈液对白细胞介素-1β(Interleukin-1β,IL-1β)刺激人牙龈成纤维细胞(Human Gingival Fibroblast,HGF)产生前列腺素E2(Prostaglandin E2,PGE2)水平的影响。采用健康人牙龈组织原代培养的HGF细胞,以1ng/mL的IL-1β作为刺激因子,将HGF细胞按5×104/mL的细胞密度接种到24孔培养板中,每孔200μL的细胞悬液。孵育24h贴壁后,弃原培养液,清洗2次后加药,分组为空白对照组(用含20mL/L的胎牛血清的DMEM培养液),IL-1β组(浓度为1ng/mL),IL-1β+西帕依固龈液组(西帕依固龈液终末浓度分别为12.5、25、50、100、200μg/mL),IL-1β+消炎痛(消炎痛浓度为100ng/mL)。用酶联免疫法测定PGE2含量,观察不同浓度的西帕依固龈液(分别为12.5、25、50、100、200μg/mL)对HGF培养上清中PGE2水平的影响。结果显示,5种不同浓度的西帕依固龈液均能显著抑制1ng/mL的IL-1β刺激后HGF产生PGE2,随着浓度的增加,抑制效果也增加,但5种浓度的西帕依固龈液抑制效果均低于100ng/mL的消炎痛。由此得出,HGF具有合成和分泌PGE2的功能,IL-1β能有效刺激HGF产生PGE2;西帕依固龈液对IL-1β刺激HGF合成和分泌PGE2具有显著抑制作用,其抑制作用在一定范围内呈浓度依赖性。 相似文献
9.
一类具有正负系数的中立型方程的振动性 总被引:1,自引:0,他引:1
给出中立型方程d/dt[x(t)-R(t)x(t-r)]+P(t)x(t-τ)-Q(t)x(t-δ)=0振动的充分条件。这里R(t)+∫tt-τ+δQ(u)du-1可以是变号的,并且不要求∫∞t0s[P(s)-Q(s-τ+δ)]∫∞s[P(u)-Q(u-τ+δ)]duds=∞. 相似文献
10.
Ce-Y-O固溶体及其PdO/Ce-Y-O催化剂的制备,表征和CH4氧化性能 总被引:1,自引:0,他引:1
采用柠檬酸溶胶-凝胶法制备了Ce-Y-O固溶体,并用XRD和Raman对Ce-Y-O固溶体的物相结构进行了表征,发现当n(Ce)/n(Ce+Y)(摩尔比)≥0.6时,Ce-Y-O固溶体为面心立方结构,而n(Ce)/n(Ce+Y)≤0.5时为体心立方结构。固溶体的生成有利于提高氧化还原性能。Ce-Y-O固溶体担载PdO催化剂的CH4氧化活性表明,n(Ce)/n(Ce+Y)对担载PdO催化剂的CH4氧化活性影响很大,当n(Ce)/n(Ce+Y)=0.8时催化剂活性最高,CH4转化率50%的温度为350℃,完全转化温度为600℃。 相似文献
11.
设{Xj}是独立同分布随机变量序列,{Sn}是其部分和序列,ξ(Sn)表示Sn的小数部分,本文讨论了ξ(Sn)渐近U[0,1)均匀分布的收敛速度,即估计supB∈B[0,1)|P(ξ(Sn)∈B)-P(U∈B)|。 相似文献
12.
双截尾的Cauchy 分布顺序统计量的渐近分布 总被引:1,自引:0,他引:1
设 {Xk, 1 ≤k ≤n}独立同分布, X1:n, X2:n, … , Xn:n为其顺序统计量。当 Xk服从参数为 A 和 B(A1:n和Xn:n的渐近分布; 当 k(k>1)固定时,得到Xn:n和Xn-k+1:n的渐近分布; 并且证明其极端顺序统计量X1:n和Xn:n是渐近独立的。 相似文献
13.
以第一类n阶Chebyshev多项式的零点作为插值节点
, 通过Bernstein算子和Grünwald算子的线性组合构造一个新算子Gn(f;x).
如果f(x)∈Cj[-1,1](0≤j≤9), 则Gn(f;x)在区间
[-1,1]上一致收敛于f(x)∈Cj[-1,1](0≤j≤9), 并且其收敛
阶达到最佳, 饱和阶为1/n10. 相似文献
14.
以第一类n阶Chebyshev多项式的零点作为插值节点
, 通过Bernstein算子和Grünwald算子的线性组合构造一个新算子Gn(f;x).
如果f(x)∈Cj[-1,1](0≤j≤9), 则Gn(f;x)在区间
[-1,1]上一致收敛于f(x)∈Cj[-1,1](0≤j≤9), 并且其收敛
阶达到最佳, 饱和阶为1/n10. 相似文献
15.
施慧华 《华侨大学学报(自然科学版)》2021,(6):844-848
记A={ai}∞i=1={(ai,j)∞j=1}∞i=1?S+l1,其中,S+l1={x=(x(n))∈l1:‖x‖=1,x(n)≥0,∠n∈N},pA(x)=limi→∞ sup∑j=1ai,j|x(j)|,则limi→∞ Si≡limi→∞supj ai,j=0,当且仅当对任意非空集合B?N,任意0≤β≤pA(χB),均存在C?B,满足pA(χC)=β.对B?N,记φA(B)=pA(χB),证明了φA 的强无原子性当且仅当理想IA={A?N:pA(χA)=0}的无原子性. 相似文献
16.
本文研究了广义Bezier曲线Qn(f;x)关于f(x)的收敛性,及Q(l)n(f;x)关于f(1)(x)的收敛性,证明了相应的收敛定理 相似文献
17.
设U=Tri(A,M,B )是含单位元1的三角代数,1A、1B分别是A和B的单位元。对任意的A∈A, B∈B分别存在整数k1、k2,使得k11A-A, k21B-B在三角代数中可逆。利用代数分解的方法,证明了如果{φn}n∈N:U→U是一列线性映射满足对任意的U,V∈U且UV=VU=1,有φn([U,V]ξ)=∑i+j=nφi(U)φj(V)-ξφi(V)φj(U)(ξ≠0,1),则{φn}n∈N是U上的高阶导子,其中φ0=id0是恒等映射,[U,V]ξ=UV-ξVU。 相似文献
18.
第三型伯恩斯坦插值过程的新研究 总被引:3,自引:1,他引:3
孟佳娜 《吉林大学学报(理学版)》2003,41(2):140-143
对第三型伯恩斯坦插值过程做进一步研究, 利用两点
修正方法, 构造一个算子Gn(f;r,x), 它对于有直到r阶连续导数的f(x)∈C jj[-1,1](0≤j≤r)都一致收敛, 并且得到算子Gn (f;r,x)的最佳收敛阶. 相似文献
19.
一类组合型三角插值多项式 总被引:5,自引:2,他引:3
构造了一个以{θk=kπ/(n+1)}nk=1
为插值结点的f(θ)∈C2π且为奇函数的组合型三角插值多项式算子Sn(f;r,
θ)(r为自然数). Sn(f;r,θ)对每个以2π为周期的奇连续函数都能在全实轴上一
致收敛到f(θ); 并且若f(θ)∈Cj2π(0≤j≤r-1)是奇的, 则Sn(f;r,
θ)对其收敛阶均达到最佳收敛阶. 相似文献
20.
设(X,≤)是全序集,T(X)是X上的全变换半群,E为X上的任意的非平凡等价关系,设E*O(X)={α∈T(X):x,y∈X,(x,y)∈E,x≤y(xα,yα)∈E,xα≤yα}则E*O(X)是T(X)的子半群;当X是有限和E是凸时,研究了E*O(X)的Green关系,并证明了它是正则子半群. 相似文献