地球电场、电荷和电势状况及其分析

根据有关资料,本文讨论了地球电场、电荷和电势状况.分析了地面与大气层间电势稳定原因,好即它们之间存在复杂的电荷交换,但始终维持电荷分布的动态平衡.     

匀强电场中线电荷与圆柱导体周围的电势

利用分离变量法求解,得出匀强电场中圆柱导体周围空间的电势,用镜像法求解得出线电荷与圆柱导体周围的电势,用静电场中电势的叠加原理,得到了匀强电场中线电荷与圆柱导体周围的电势.     

磁感应强度召的几点定义

磁感应强度B是描述磁场的基本物理量，已知一个磁场的磁感应强度的分布，就可以确定运动电荷、电流在磁场中受到的作用力．磁感应强度B是和静电场的电场强度E相对应的物理量．静电场对静止电荷有作用力，静电场是用检验电荷在电场中各点受到的力来研究的。电场强度E定义为E=F／q．研究磁场也要引进一个检测的物体，由地磁场对运动电荷、电流有作用力，对通电线圈有力矩的作用，所以可以采用这3种物体作为检测磁场的物体．采用不同的检测物体，也就相应地给出了磁感应强度占的不同定义．     

电荷对称性及n—p弹性散射中电荷对称性破坏

本文从核力电荷无关性出发引入同位旋及强相互作用不同旋空间的转动不变性，重点讨论了同位旋不变性的特殊情况；电荷对称性，及ｎ－ｐ弹性散射中电荷对称性破坏（ＣＳＢ），并分析导致ｎ－ｐ弹性散射中电荷对称破坏的原因。     

聚丙烯驻极体电荷内衰减过程分析

该文对电晕极化的聚丙烯（ＰＰ）薄膜驻极体高温下电荷衰减实验的微观过程进行了分析。结果表明，由驻极体内部的电场推动的固有载流子的跃迁是造成表面电位衰减的主要原因。根据电荷衰减实验得出的数据进行计算，电荷跃迁的平均步距具有１０￣（－８）ｍ左右的大小，Ｘ射线衍射实验对此进行了验证。     

硅基多层无机驻极体薄膜中平均电荷重心和密度的确定

报道通过表面电位测量和C-V分析来确定硅基多层无机驻极体薄膜中平均电荷重心及电荷密度的方法。它包括两个非破坏性的测量；首先，通过补偿法测量驻体薄膜自由面的表面电位，然后在样品表面蒸镀金属电极，形成MIS结构，进行电容--电压（C-V）测试，由此得到驻极体薄膜和硅界面的电位。电荷重心和电荷密度可通过计算得出。同时利用这一方法确定了硅基Si3N4/SiO2双层驻极体薄膜中的平均电荷重点，发现电荷重心强烈地依赖于电晕充电以后的老化温度，经过400℃下老化20min，常温正电晕充电驻极体的电荷重心已从近自由面迁移至Si3N4，和SiO2界面附近。     

化学表面处理对热生长氧化形成的SiO2驻极体电荷寿命的影响

以实验结果为依据研究了化学表面处理对ＳｉＯ＿２薄膜驻极体内电荷储存稳定性的影响。得知用ＨＭＤＳ或ＤＣＤＭＳ等有机试剂进行的化学表面处理将在ＳｉＯ＿２驻极体表面形成一个疏水的保护层。通常情况下，它将起到防止外界环境中的水吸附而形成的表面导电结构，对改善这一驻极体薄膜的电荷储存稳定性起到显著的作用；伴随着驻极体内长久电荷的捕获储存，在驻极体内发生的电化学反应将有水分子生成，而用化学表面处理后形成的疏水保护层有时也会阻止驻极体内部过剩的水分子向外扩散，造成用化学表面处理后驻极体内的电荷较快衰减这一反常现象的发生。     

两种FEP驻极体商品膜脱阱正电荷输运特性的比较

该文利用Ｔｅｆｌｏｎ ＥＥＰ Ａ型（美国杜邦公司）膜和国产ＦＥＰ商品膜，借助于ＴＳＤ电流谱测量和热脉冲技术研究了热活化过程中的正电荷平均电荷重心向体内的迁移规律，建立了脱阱电荷在体内的输运模式。文中还对正电晕充电的Ｔｅｆｌｏｎ ＦＥＰ Ａ型和国产Ｆ４，６薄膜驻极体的电荷贮存寿命和电荷在材料内的迁移等驻极体性能作了比较研究。     

硅基多层无机驻极体薄膜中平均电荷重心和密度的确定

报道通过表面电位测量和C V分析来确定硅基多层无机驻极体薄膜中平均电荷重心及电荷密度的方法.它包括两个非破坏性的测量首先,通过补偿法测量驻极体薄膜自由面的表面电位,然后在样品表面蒸镀金属电极,形成MIS结构,进行电容电压(C V)测试,由此得到驻极体薄膜和硅界面的电位.电荷重心和电荷密度可通过计算得出.同时利用这一方法确定了硅基Si3N4/SiO2双层驻极体薄膜中的平均电荷重心,发现电荷重心强烈地依赖于电晕充电以后的老化温度,经过400℃下老化20min,常温正电晕充电驻极体的电荷重心已从近自由面迁移至Si3N4和SiO2界面附近.     

连续分布电荷电场中电势的计算方法研究

电场中任意点都具有一定的电势.计算了几种连续分布的带电体周围的电势,把结果用Mathematica软件加以演示,总结出了连续分布电荷电场中电势的计算方法,其结果一目了然.