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文章基于高压变频器的发展,论述了高压变频器的电路拓扑结构的分类,比较了高压变频器两电平电路拓扑结构和三电平电路拓扑结构的优缺点,并对两种拓扑结构进行了分析比较. 相似文献
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一、引言半同胚与半拓扑性质的概念是由Crossley等人于1972年引入并随后进行一系列研究的。本文较深入地分析了与某个拓扑空间(X,U)具有相同半开集族的全体拓扑空间组成的拓扑族[U]的结构,得到了[U]中最强拓扑的两种新的结构形式。另一方面,我们研究了[U]中存在最弱拓扑的条件。在此基础上,给出了拓扑空间半同胚的两个充要条件,并 相似文献
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随着交流变频调速技术快速发展,以及新型电力电子器件如绝缘栅双极晶体管(IGBT)、集成门极换向晶闸管(IGCT)等的出现,计算机技术的发展和新型的控制理论的应用,高压变频器也得到了快速发展.在电厂的应用已相当普遍,节能效果及控制水平已被电力系统所认识.文章就西门子高压变频器的原理、特点,以及在火力发电厂中的节能应用进行了分析. 相似文献
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随着交流变频调速技术快速发展,以及新型电力电子器件如绝缘栅双极晶体管(IGBT)、集成门极换向晶闸管(IGCT)等的出现,计算机技术的发展和新型的控制理论的应用,高压变频器也得到了快速发展。在电厂的应用已相当普遍,节能效果及控制水平已被电力系统所认识。文章就西门子高压变频器的原理、特点,以及在火力发电厂中的节能应用进行了分析。 相似文献
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针对工程中常见的多钉连接装配结构,提出了一种同时考虑钉载和疲劳性能的拓扑优化设计方法.一方面,将钉载约束考虑到装配结构的拓扑优化设计中,针对结构中大量的钉载约束,采用约束凝聚技术,简化了多约束问题灵敏度求解过程,提高了优化的计算效率.另一方面,将疲劳准则作为设计约束引入到拓扑优化问题中,为了避免因多钉连接结构建模方法引起的不真实应力状态对优化问题产生影响,采用组合单元对连接结构进行建模,用被连接件壳单元上的应力衡量结构疲劳性能,采用P范数凝聚方法对疲劳约束进行凝聚,在此基础上研究了拓扑优化设计中疲劳性能对结构拓扑形式和承载性能的影响.最后通过两个数值算例验证了所提方法的有效性. 相似文献
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最近,中科院物理所赵忠贤、孙力玲、周兴江等合作,利用自主研制的先进的低温一高压一磁场综合测量系统对拓扑绝缘体Bi加,单晶进行了系统研究。通过高压原位磁阻和交流磁化率的双重测量.研究了压力诱导的拓扑绝缘体至超导体的转变。并通过高压实时霍尔系数的测量,给出了压力下超导临界温度与载流子浓度及类型转变之间的定量关系。 相似文献
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雕画迹的拓扑结构及其形态功能分析 总被引:2,自引:0,他引:2
一个树网电路结构,经过两种不同的部分拓扑等价变化,其电流或电压效应也随之发生变化,对应于拓扑同构部分的电流、电压效应则无变化(图1)。在对我国华南、新疆泥盆纪雕画迹的研究过程中,我们也发现了同样的规律。 雕画迹是一类具有装饰特征和复杂图案由高度组织行为形成的生物遗迹,通常发育于复理石相、深水或缺氧环境中。Seilacher等曾对雕画迹的分类、形态功能、行为习性和环境意义等方面进行过研究。这些研究均是以欧氏几何学为基础的,难以认清不同雕画迹之间的形态谱系、行为习性关系和生态环境意义。 相似文献
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1 引言在指导二值逻辑电路设计的布尔代数中,二值变量仅用于表示电路中二种信号(如高低电平),而变量之间的诸基本运算则在电路中用基本门予以实现,并且在电路的逻辑设计中并不理会基本门的内部结构,因此说,布尔代数仅用于指导二值电路在门级的逻朝设计.类似地,在多值逻辑中的Post代数也只反映电路中多值信号的处理,也限于指导门级的逻辑设计. 相似文献
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一类局部紧半群上不同分布的组合乘积的极限性质 总被引:4,自引:0,他引:4
一般拓扑代数结构上概率测度卷积序列的研究本质上就是相互独立而不同分布随机变量乘积的性质的研究。Maksimov在紧群情况下研究了这个问题,做出了较为完整的结果,但当拓扑结构或代数结构的条件减弱时,相应的完整的结果还比较少。Mukheazea,Csiszr以及刘锦萼和徐侃等分别在局部紧群,紧交换半群和紧L-X半群上做了一些工作。本文中我 相似文献
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范畴极限的研究是范畴论中一个重要而基本的问题。对于一个有极限与上极限的具体范畴,如果搞清楚它的极限与上极限的结构,那么这个范畴的很多性质就变为直接推论了。我们知道,拓扑分子格范畴中的上极限的结构是容易描述的,特别是上积结构很容易给出。但是,要想给出拓扑分子格范畴中的极限结构,则是一个很困难的问题。本文将利用已经得到的分子格范畴中的极限结构,给出拓扑分子格范畴中的极限构造定理。作为推论,得到了拓扑分子格范畴中的乘积、多重等子及逆系统的逆极限等的具体结构,从而回答了上述的困难问题。 相似文献
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使用矩量法把电磁散射问题的体-面结合积分方程(VSIE)、面积分方程(SIE)和体积分方程(VIE)转换成线性方程组, 并利用预修正快速傅里叶变换(P-FFT)方法来进行快速求解. 针对传统模板拓扑存在的不足, 提出两种模板拓扑改进方案即模板拓扑B和模板拓扑C, 并比较三种模板拓扑的构造方法和实际性能. 数值仿真表明, 结合三种模板的P-FFT算法结果与标准解吻合得很好, 所提出模板拓扑B可以显著减小近区预修正操作的次数, 而模板拓扑C由于各模板之间没有重叠网格, 具有适用于并行分层P-FFT算法的潜力. 相似文献
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1959年,Coates用拓扑方法建立了流图理论,并得出解线性方程组的拓扑公式。在文献[2]中,我们应用Coadtes的流图理论简要地讨论了线性方程组的求解问题。该文中,用流图的拓扑结构表示行列式的展开式,即 相似文献
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利用微微秒光脉冲对超快集成电路直接寻址在电子学和信息处理中有广泛的应用。休斯研究实验室新近利用染料激光器的5微微秒光脉冲直接寻址和控制较简单的GaAs场效应晶体管逻辑电路(“或非”门,倒向器和D触发电路)。这些电路中的光电导用作检测机制。利用光感生微微秒逻辑电平脉冲的一个令人信服的例子是用一种微微秒逻辑采样技 相似文献
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不分明拓扑空间中的紧性 总被引:7,自引:0,他引:7
紧性是拓扑学中最重要的概念之一,如何把它推广到不分明拓扑空间,国内外已有不少研究。但是,到目前为止所引入的各种紧性都或多或少地有这样或那样一些缺点,不能令人十分满意,评论见文献[1—3]。文献[2]提出的良紧性比较理想,但它缺乏覆盖或重盖这一类的几何刻划,而且定义中涉及到赋值集[0,1]的拓扑结构,给推广到一般的L不分明拓扑空间带来 相似文献
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提高VLSI集成度的重要途径之一是研究器件的新结构,发展三维集或电路,即在制成的MOS器件上形成一层SiO_2绝缘层,再在其上的再结晶多晶硅层上制作另一层MOS器件。近年来关于这方面的工艺研究已有一些报道。我们用高压电子显微镜对这种三维电 相似文献
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《科学通报》2016,(24)
丁二炔类材料(diacetylenes)由于其独特的聚合方式(即拓扑化学聚合,topochemical polymerization)以及聚合后形成的共轭高分子材料表现出优异的电学、非线性光学等特性,很早就受到了人们的广泛关注.当然,不是所有的丁二炔类化合物都能发生晶体内的拓扑化学聚合反应,这需要丁二炔单体分子在固态下首先要满足一定的分子堆积结构,同时还需要有合适的外界条件,譬如加热、光照、?射线辐射等条件来刺激该反应的发生.本文从分子结构的设计合成和超分子化学结构的构建两个角度出发,系统总结了能够实现丁二炔类材料发生晶体内拓扑化学聚合的各种策略,讨论了相关丁二炔类化合物的反应特性及反应后的分子结构特征,最后简要介绍了聚丁二炔类共轭高分子材料在光、电、传感等领域的潜在应用.通过本文对丁二炔类材料拓扑化学聚合行为研究的系统总结,希望能够再次激起化学工作者对于利用拓扑化学聚合反应来制备共轭高分子材料的研究兴趣,从化学合成的角度进一步发展一些新的可发生拓扑化学聚合反应的单体分子结构单元,丰富该类材料体系,促进相关研究的发展. 相似文献
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分子拓扑指数的理论和应用 总被引:6,自引:0,他引:6
分子拓扑学是图论、拓扑学、化学、计算机科学相互交叉的一门新学科,分子拓扑指数是分子拓扑学最重要的组成部分。本文在文献[1—16]的基础上纲要式地介绍了拓扑指数的理论和应用。包括结构式的图形化,分子图的矩阵化,矩阵的数值化,以及拓扑指数在分辨同分异构体的结构、研究结构与性质的定量关系、设计合成路线等方面的应用。 相似文献
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作者曾报道用柱色谱或高压液相色谱对反应体系中多种自由基加合物进行分离,然后用ESR方法逐一鉴定其结构,这种不联机操作方法,需对所有组分都进行分离、收集和浓缩,步骤比较繁琐。为此,本文发展了高压液相色谱与ESR谱仪直接联机分离和鉴定反应体系 相似文献