陶瓷薄膜的气相制备及热力学应用

综述了通过气相法制备陶瓷薄膜的方法,介绍了热力学在薄膜生成时的应用,讨论了基片温度和沉积速率对薄膜结构的影响,并对薄膜与基片间的结合问题进行了简单论述。     

物理气相沉积法制备薄膜的内应力形成机理及测量方法

本文介绍了用物理气相沉积（PVD）方法制备薄膜的应力与微观结构的变化，及它们之间的相互关系，总结了应力产生的模型和机理。并就岛状模式生长多晶薄膜中的应力可逆现象给予了关注。最后，总结了当前薄膜应办的测试方法。     

化学气相沉积金刚石薄膜的表面过程

采用简单表面反应模式，对化学气相沉积金刚石薄膜的表面动力学过程进行了研究，得到了金刚石薄膜的沉积速率公式，揭示了影响薄膜生长的因素并由此讨论了金刚石薄膜生长的机制和规律。     

中频等离子体化学气相沉积法制备ZnO薄膜

ZnO是一种多功能材料,目前处于世界范围的研究热潮中。为了拓展和改善ZnO的应用,采用中频等离子体化学气相沉积法(MF-PCVD)制备了ZnO薄膜,并研究了衬底温度对晶型和成膜速率的影响．     

CVD法制备SiO2薄膜工艺条件的研究

在Al2 O3 陶瓷基片上以正硅酸乙酯 (TEOS)为原料 ,高纯氮气作载气 ,采用低压冷壁式设备和化学气相沉积(CVD)方法制备SiO2 薄膜 ,研究了基片温度、TEOS温度和沉积时间对SiO2 薄膜沉积速率的影响 .采用XRD ,XPS和SEM技术对SiO2 薄膜的组成和结构进行了分析     

玻璃陶瓷基板上铜薄膜的化学气相沉积

使用低介电常数基板和高电导率、高抗电迁移的金属Cu进行布线,可以提高高密度电子封装的传输速度和可靠性。采用乙酰丙酮铜作为前驱体,在常压下利用化学气相沉积技术对玻璃陶瓷基板进行Cu薄膜金属化。利用热重分析、X射线衍射和扫描电子显微镜等技术对前驱体、Cu薄膜进行分析观察。结果表明:影响Cu导体的电阻的主要因素是沉积温度。在温度为290～310℃,N2气流量为200～350mL/min和H2气流量为450～600mL/min的条件下,获得了致密的Cu薄膜,Cu导体方块电阻为25mΩ。     

CVD法TiO2薄膜的制备条件及光学性质的研究

以四异丙醇钛为钛源物质,采用常压化学气相沉积法制备了ＴｉＯ２膜,并对其光学性质进行了研究。实验结果表明,：沉积条件是影响ＴｉＯ２膜的沉积率和光学性质的重要因素。     

减压法制备TiO2薄膜及影响因素的研究

主要研究了用化学气相沉积法在减压状态下制备ＴｉＯ２薄膜，不温度和压力改变时，会影响薄膜的沉积率，晶型及表面形貌。并且根据阿龙尼乌斯公式算是在玻璃片镀膜基表反应的平均活化能为５７．０８６ｋＪ／ｍｏｌ。     

用MOCVD法制备TiO2薄膜

用低压MOCVD法，以四异丙纯钛为源物质，高纯氮气作为载气，氧气为反应气体，制备出了TiO2薄膜，考察出了沉积温度，基片距离均对沉积速率有影响，发现在不同反应条件下TiO2薄膜生长行为受动力学控制或受扩散控制。     

热丝化学气相沉积法生长金刚石薄膜的动态模型

在用热丝化学气相沉积法生长金刚石薄膜的过程中，具有活性的原子及原子团的运输是一个复杂的动态过程，对此过程提出了一个理论模型，着重研究衬底附近的活化气体原子团的比例随各参数的变化及其对金刚石生长的影响，从而求得在一定的参数空间内理想的金刚石生长区域，以指导金刚石外延的实践。     

利用后通硅烷法优化高速微晶硅薄膜的纵向结构

本文采用四极杆质谱对高速沉积硅薄膜过程中硅烷浓度的变化情况进行了在线监测,针对反应过程中的反向扩散现象进行了研究．结合硅烷耗尽模型的计算,对反应气体的馈入方法进行了优化．结果表明,适当的调整硅烷气体与等离子体起始放电时刻的时间差,可以有效的控制反应过程中硅烷浓度,特别是放电开始瞬间时的条件,从而改善器件的界面特性以及薄膜厚度方向上的纵向结构均匀性．     

溶胶-凝胶法制备WO3电致变色薄膜的研究进展

三氧化钨薄膜作为重要的电致变色材料在军事伪装、智能调光窗、可变反射率镜及高对比度非辐射信息显示器上具有广泛的应用前景.介绍了溶胶-凝胶法制备三氧化钨薄膜的方法及电致变色机理,论述了不同氧化物掺杂对其电致变色特性的影响,并讨论了三氧化钨薄膜存在的问题及拟解决途径.     

电化学法制备CuInSe2薄膜工艺的研究

实验主要从基体材料的选择、络合剂的引用以及热处理试样等制备条件进行了初步的研究。通过分析与比较各种特定条件下制备出的试样的X射线衍射实验结果得知、导电玻璃作基体材料的镀层质量要比铜片和铁片的好;络合剂的加入有利于薄膜晶粒更加均匀和致密,可以改善镀层的质量;退火有利于薄膜晶粒的增大,使其结晶程度更好。     

准分子激光沉积(Ba1-xSrx)TiO3铁电薄膜

通过准分子(308mm)激光将(Ba1-xSrx)TiO3(BST)薄膜剥离沉积在Si(100)基片上.随着沉积温度的增加,BST薄膜的结晶性显著提高.在600 ℃附近沉积的BST薄膜(400 nm)有良好的结晶性,介电常数为300,损耗因子为0.015,漏电流密度达到2×10-10 A/cm2,电荷存储密度QC为35 fC/μm2(外电场12.5 kV/cm).研究了MFS结构的C-V特性和I-V特性,BST/Si之间存在很好的界面,表现出良好的电性能.     

成本企划在汽车制造业中的应用

根据"成本企划"实施情况简述了成本企划的起源,分析了实行成本企划对企业现有制度、流程造成的冲击,对成本企划实施过程中在企业的部署、目标成本的设定及达成的流程方面作了简述。实践证明,成本企划的实施需要组织机构调整、企业文化建立、流程制度建立及信息化支撑,从而保证企业的正常运转。     

铸钢支撑辊在薄板带生产中的应用

随着铸造支撑辊在连铸连轧生产工艺中的广泛应用,轧钢厂对支撑辊的要求越来越高,在选择轧辊的时候要充分考虑轧辊的材质、制造工艺、热处理以及实际应用情况等要素,同时对复合铸钢支撑辊辊身深层剥落的原因进行了分析。     

CIGS薄膜材料研究进展

CIGS薄膜太阳电池具有低成本、高效率、性能稳定等优点,是最有发展前途的太阳能电池之一,受到了广泛关注．阐述了CI（G）S材料特性,分别介绍了多种制备方法,其中着重介绍共蒸发三步法这一制备小面积高效率电池的通用方法和在产业化生产中更理想的溅射后硒化法．     

射频溅射法研制SnO2纳米薄膜

采用射频溅射工艺制得细小均匀的β－Sn纳米锡膜,然后通过氧化处理工艺获得组织非常细小均匀的纳米级二氧化锡薄膜。X－衍射实验结果表明Sn和SnO2晶粒尺寸分别约为6nm和5nm,采用该工艺获得的SnO2纳米薄膜结构比较稳定,为薄膜型SnO2气敏元件新工艺研究提供了基础性资料。     

Nanocrystalline TiO2 thin film electrodes prepared by common pressure hydrothermal method at low temperature

Dye-sensitized solar cells (DSSCs) based on nanocrys- talline TiO2 thin film electrodes have been widely investi- gated since they were invented by Gr?tzel et al. in 1991[1-3]. Nanocrystalline TiO2 thin film electrodes are usually pre- pared by coating TiO2 colloid with organic additives on conductive glass substrates and annealing at 400-450℃ to remove organic additives and achieve good electrical contact between TiO2 particles and between TiO2 particles and conductive substrates, which…