a-Si∶H薄膜的激光诱导结晶

利用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)系统制备了a-Si:H薄膜.使用KrF准分子脉冲激光对a-Si:H薄膜进行辐照,使a-Si:H晶化.拉曼散射谱和电子衍射谱的结果表明经过激光辐照后在a-Si:H层形成纳米硅颗粒.     

~(60)Co-γ射线辐照对PbZr_(0.1)Ti_(0.9)O_3(111)铁电薄膜性能的影响

采用脉冲激光沉积方法在SrTiO_3衬底上制备了SrRuO_3底电极和(111)择优取向的PbZr_(0.1)Ti_(0.9)O_3外延铁电薄膜,通过顶电极Pt的构建形成了Pt/PbZr_(0.1)Ti_(0.9)O_3(111)/SrRuO_3铁电电容器结构,然后对PbZr_(0.1)Ti_(0.9)O_3(111)铁电薄膜开展了~(60)Co-γ射线总剂量辐照效应实验.结果表明:随着γ射线辐照剂量的增加,PbZr_(0.1)Ti_(0.9)O_3(111)铁电薄膜中的带状畴数目逐渐减少,剩余极化强度、矫顽场和电容值轻微减小,当辐照剂量为5 Mrad(Si)时,剩余极化值、矫顽场和电容值的衰减幅度仅12.4%、10.36%和13.78%;漏电流仅在高剂量辐照后产生轻微增大.可见,PbZr_(0.1)Ti_(0.9)O_3(111)铁电薄膜具有较好的抗辐射能力,在航空航天领域有一定的应用前景.     

非晶超晶格多层膜的形成及其光学特性的研究

介绍利用波长为193nm的ArF准分子激光的光化学反应,分解Si₂H₆和C₂H₂原料气体制备a-Si:H/a-Sic:H非晶超晶格多层膜以及讨论这种膜的量子尺寸效应,紫外吸收等光学特性.     

激光CVD制备a-Si∶H/a-SiC∶H多层非晶薄膜的方法及其光学特性研究

介绍利用激光的光化学反应来分解气体制备α-Si:H/α-SiC:H多层非晶薄膜的方法,并对应用XPS等手段测得的这种非晶薄膜的光学特性进行了讨论.     

Si衬底上金刚石薄膜的成核和生长机理

以酒精为碳源,用热丝CVD法,对不同表面状况的Si衬底作金刚石沉积比较.讨论了薄膜的成核、生长机制,认为CH_2是成核的主要气相种类,H原子直接参与了成核和生长,它们在薄膜沉积中起了极为重要的作用.解释了毛糙表面的Si衬底上金刚石易成核的现象.     

具有Keggin结构—取代过氧型杂多配合物及其几何异构体的合成、表征及催化活性的研究

采用立体有择法合合成了具有 Kaggin结构的过氧型杂多配合物 :α-M6- m Hm[Si W11Ti O4 0 ]·x H2 O,α-M6- m Hm[Si W11( Ti O2 ) O3 9]· x H2 O和βi-M6- m Hm[Si W11( Ti O2 ) O3 9)· x H2 O.( m=K、TBA;i=1 ,2 ,3 ) ;用 IR、UV、极谱—循环伏安、183 WNMR等测试方法对其性质、结构进行研究 .结果表明 :它们都是具有 Keggin结构的过氧杂多配合物 ,它们对顺丁烯二酸的 H2 O2 环氧化反应具有显著的催化活性 .     

脉冲激光沉积制备MgO非晶薄膜介电性质的研究

利用脉冲激光沉积技术在高电导P-Si和绝缘体Si O2上沉积了Mg O非晶薄膜,并对Si O2上的Mg O薄膜进行了透过率及XRD表征。构造了金属-氧化物-半导体(MOS)场效应晶体管结构P-Si/Mg O/Ag,测量了其C-F曲线,计算得到K-ω曲线,通过拟合计算得到Mg O的介电常数和等效厚度,与Si O2的等效厚度进行对比发现,非晶Mg O作为高K值绝缘栅介质材料优于Si O2。     

钒磷酸盐（H2NCH2CH2NH2）3[V9O12（HPO4）6（PO4）2（H2O）2]·H2O的水热合成与结构表征

利用中温水热技术合成了新型的钒磷酸盐（H2NCH2CH2NH2）3[V9O12（HPO4）6（PO4）2（H2O）2]·H2O,通过元素分析、IR光谱、热重分析和X射线确定了晶体结构．该晶体属单斜晶系,P21／n空间群,晶胞参数：a=14．324（3）A,6=10．162（2）A,c=18．367（4）A,β=95．15°,V=2673．5A^3,Z=2．     

等离子体淀积薄膜中射频缺陷研究

根据理论和实验结果的分析,提出了平板式等离子体生长Si_3N_4时存在两种主要射频缺陷;一是固定正电荷中心,主要起源于Si—O和Si—Si断键;另一是负电荷中心,它是Si—H离化所致.这两种缺陷只有在一定条件下退火方可完全消除.     

金属Al诱导Si晶化的Al/Si异质薄膜的原子输运模拟

【目的】从原子层次分析金属Al诱导Si晶化的物理过程与机理。【方法】运用第一性原理计算方法,对Al/Si异质非晶薄膜在热处理过程中Si的晶化过程进行理论计算与模拟。【结果】结果表明,Al/Si异质薄膜在热处理过程中Al、Si原子发生了互扩散现象。随热处理时间的延长,膜层系统进入能量更低较为稳定的状态。Al原子逐步上移,Si原子逐步下移,在结构演变的过程中逐步实现Al/Si异质膜层的翻转。【结论】Al原子引起Si原子之间成键状态的变化,Al原子的库仑屏蔽作用使得Si—Si键的强度减弱,Al原子扩散进入Si层具有能量优势,降低了Si的晶化能垒,有利于Si原子的迁移并结晶。     

三种生物碱类化合物NMR性质的理论研究

在优化三种生物碱类化合物的结构基础上，计算了它们的1H和13C的各向同性和各向异性化学位移，通过分析这些化学位移得到了该类型分子的化学位移与结构的关系规律，这些经验性的规律有助于实验上对生物碱的1H—NMR或13H—NMR的分析和解谱．     

基片温度对ZnO薄膜结构和发光性能的影响

采用对靶直流反应磁控溅射方法,在不同温度的Si（100）基片上制备了一系列的ZnO薄膜．利用X射线衍射仪和荧光分光分度计对ZnO薄膜的结构和发光性能进行了研究．结果表明：所有的ZnO薄膜都具有六角纤锌矿结构,且都表现出了（002）织构．随基片温度增加,ZnO薄膜结晶质量提高,其颗粒尺寸单调增加,并且薄膜应力状态发生改变,由压应力转变为拉应力．同时光致发光谱实验结果表明：室温沉积的ZnO薄膜出现了365nm和389nm的紫外双峰,并且出现了弱的蓝光发射带．随着基片温度升高到350℃,365nm附近的紫外峰红移到373nm,并且强度增强,而389nm处的紫外峰强度明显减弱．当基片温度增加到500℃时,373nm的发光峰强度减弱并蓝移到366nm处,蓝光带强度减弱并红移到430nm-475nm处,并且出现了396nm的近紫峰．     

α—Fe2O3纳米薄膜的超声喷雾热解制备及其表征

采用超声喷雾热角制备技术在Si（Ⅲ）基片上制备了α-Fe2O3纳米薄膜，选用0．01mol/L的Fe(acac)3乙醇／水（1：1）混合液作为前驱液，在衬底温度380℃及载气流量6L／min条件下，制备出平均粒径为4．1nm，具有（104）择优取向的纳米薄膜，并通过XRD，AFM等对其微结构进行了表征。     

APMP与MMA溶液光共聚合的共聚物组成及竞聚率的测定

在紫外光辐照下,采用溶液聚合获得了4-丙烯酰氧基-1,2,2,6,6-五甲基哌啶醇酯（APMP）和甲基丙烯酸甲酯（MMA）的共聚物,用^1H—NMR测定了单体摩尔比分别为10／90,30／70,50／50,70／30,90／10时的聚合物结构．实验结果表明,随着APMP投料比的增加,体系达到较高转化率（50％）所需要的时间越短,并且当体系的转化率高于40％时,共聚物的组成变化较小,基本趋向于稳定．根据^1H—NMR的结果利用扩展的Kelen—Tüdos方法得到了APMP和MMA的竞聚率分别为0．353（APMP）和0．168（MMA）．     

氧氛围下PLD法沉积纳米金刚石薄膜

用固体脉冲激光 (Nd∶YAG)烧蚀石墨靶在镜面αAl2 O3(0 0 0 1)上沉积纳米金刚石薄膜 .用Raman谱、XRD衍射谱和SEM分别对薄膜的成键情况和表面形貌进行了分析 .结果表明 :显微Raman谱出现三个峰包 :115 0cm- 1 、13 5 0cm- 1 、15 80cm- 1 ,分别对应着纳米金刚石特征峰、石墨的D峰和G峰 ;XRD衍射谱在 41.42°出现金刚石的 (10 0 )衍射峰 .实验结果表明 ,影响薄膜生长的关键参数主要是氧气压的大小和衬底的温度 .在氧气压为 6Pa和衬底温度为 5 5 0℃时 ,制备的薄膜质量较好 .对用PLD法在氧气氛围下生长的金刚石薄膜的生长机理进行了分析     

衬底温度对激光脉冲沉积氧化锌薄膜结构及发光性能的影响

在单晶硅衬底上用激光脉冲沉积方法制备了氧化锌薄膜,研究了衬底温度对薄膜结构、形貌和发光性能的影响．     

渗硼铁衬底上利用热丝辅助r.f等离子体CVD法生长C-BN薄膜

本文利用热丝辅助射频等离子体CVD法在渗硼铁样品上成功地生长了c—BN薄膜。薄膜的维氏硬度高达4500Kg/mm~2,c—BN膜与Fe衬底的附着力也令人满意。本文还给出了x射线衍射及红外吸收谱测试结果。     

氩离子辅助轰击对激光烧蚀法制备非晶碳膜的影响

离子辅助轰击能有效改善非晶碳 (a -C)膜的质量 .用脉冲激光 ( 5 32nm ,3.5× 10 8W cm2 )烧蚀石墨靶 ,同时用Ar+轰击膜面 ,在Si( 10 0 )衬底上沉积a -C膜 .用扫描电镜和喇曼光谱对膜结构作了分析 .结果表明 :在较低气压和较高的射频功率下制备的a -C膜质量较好 ,同时 ,激光重复频率对膜生长也有显著影响     

B-N共掺p型ZnO薄膜的制备及性质研究

利用射频磁控溅射技术用N2和02作为溅射气体在石英沉底上制备了B-N共掺的P型ZnO薄膜．Hall测量结果表明,室温电阻率、载流子浓度、迁移率分别为2．3D．cm,1．2×10^17cm^-3,11cm^2／Vs．制备了ZnO基同质p-n结,研究了它们的I—V特性．探讨了B—N共掺的P型ZnO薄膜低温光致发光的微观机制．同时阐明了B—N共掺的P型ZnO薄膜的导电机制．     

氧化锌薄膜的紫外光致发光的低能带尾发射

利用直流射频磁控溅射制备了氧化锌薄膜,测量了不同温度下的氧化锌薄膜的光致发光,氧化锌薄膜的室温紫外发射谱是由两个发射峰构成,峰的中心位置分别是在3．31和3．22eV,它们分别为自由激子发射和自由激子的一阶声子伴线(1-LO)．而在82K下,紫外发射谱是由光子能量分别在3．371eV,3．358eV,3．316eV,3．235ev和3．166eV峰组成．它们分别是自由激子,束缚激子和自由激子的一阶(1-LO)、二阶(2-LO)和三阶(3-LO)的声子伴线．根据变温光谱结果,我们提出室温下的紫外发射的低能带尾是来自自由激子的一阶声子(1-LO)伴线。