电子与光学声子相互作用性质的探讨

本文计及电子在反冲效应中发射和吸收的不同波矢的声子之间的相互作用影响时，用改进了的线性组合算符，拉格期日乘子法和微扰法讨论电子与光学声子耦合时激发的表面极化子的性质．     

电子与光学声子相互作用性质的探讨

本文计及电子在反冲效应中发射和吸收的不同波矢的声子之间的相互作用影响时，用改进了线性组合算符，拉格朗日乘子法和微扰法讨论电子与光学声子耦合时激发的表面极化子的性质。     

电子—声子的非线性相互作用哈密顿量

本文用固体量子场论方法,推导出计及非线性相互作用的电子-声子相互作用系统的哈密顿量的普遍表达式,并给出三种类型极化子哈密顿量的具体表达式.结果表明:纵声子和横声子均对非线性效应有影响.     

声子与电子

对作为物理学几个前缘学科之一的固体物理的研究,目前正方兴未艾。对固体物理的研究——特别是较专题性的研究必须具备量子理论方面的知识,笔者认为:A.L Fetter 和 J.D.Walka 合著的:《Quantum Theory of Many-ParticleSystems》是量子理论方面的一本好书,其处理问题的方法与国内现流行的中文教材有些不同之处,颇有些新意,很有些启发性本文所译就是该书12章的部分。下面便是译文:     

极性晶体表面的电子—声子相互作用

本文在长波近似条件下对存在γ（γ１，２，…，ｎ）支声子模式且与真空接触的半无限极性晶体中的电子－声子相互作用进行了探讨，得出了两支模情形下声子和电子－声子相互作用的哈密顿算符的具体形式。     

极性晶体表面的电子－声子相互作用

本文在长波近似条件下，对存在γ（γ＝１，２，…，ｎ）支声子模式且与真空接触的半无限极性晶体中的电子－声于相互作用进行了探讨，得出了两支模（γ＝１，２）情形下声子和电子－声于相互作用的哈密顿算符的具体形式。     

电子声子相互作用对Graphene能带的修正

研究了电子声子相互作用对Graphene电子能带的影响,把电子和LO光频声子相互作用当作微扰,用微扰论方法计算了电子声子相互作用对电子能带的修正.计算结果表明,在费米面附近,Graphene电子能带下移,电子费米速度下降.计算结果和实验测量基本符合.     

矩形量子线中极化子的电子与LO声子相互作用能

研究了矩形量子线中极化子基态和第一激发态的性质．采用在有效质量近似下的变分变换方法导出了在基态和第一激发态时电子—LO声子之间相互作用能．以GaAs晶体为例进行了数值计算，结果表明：矩形量子线中极化子的相互作用能随量子线尺寸减小而增大。     

热平衡态的实时微扰理论——电子声子相互作用系统

本文给出了建立在时间闭路上的wick定理,以及相应的Dyson方程,就电子声子系统得到了这种实时微扰的图形规则,计算了电子的自能,结果与用温度格林函数方法算得的一致,并与热场动力学(Thermo Field Dynamics)方法进行了比较.     

电子-声子相互作用对压电表面态的影响

采用LLP中间耦合方法，研究了电子—声子相互作用对压电表面的影响．结果表明，当电子接近晶体表面处时，表面声学声子之间的相互作用对表面态的影响很大．尤其是电子—压电声子耦合较强的化合物，压电声子对电子在表面的束缚比光学声子的束缚强很多．因此，研究压电材料的电子表面态时，应主要考虑压电声学声子．     

声子之间的相互作用与晶格热平衡

用玻耳兹曼方程和郎道方程，分析声子之间的相互作用与晶热平衡，得到晶格热平衡是声子之间的相互作用的结果，得到驰豫时间与声子之间相互作用强度的平方成反比，对简谐近似了晶格不可能达到热平衡进行了分析。     

MgB2的电子-声子相互作用常数与超导转变温度的计算

计入短波声子的倒逆过程和电子的屏蔽效应,推导出电子-声子相互作用常数N(0)V的表达式,并利用有关的实验数据计算出N(0)V=0.309,Debye温度为798.45 K,纵向Debye温度ΘDL为1 137.3 K.以ΘDL取代BCS Tc公式中的ΘD,求得Tc＝38.8 K,该值与实验结果符合得很好.研究表明,对MgB2的超导有贡献的主要是纵向声子.     

介质覆盖的极性膜内电子-光学声子相互作用

本文对半无限媒质覆盖的极性晶体中晶格振动的光学极化模进行严格的理论分析,发现除通常的体横光学模、纵光学模以外,还存在四支类表面光学本征模。进一步导出了膜内屯子与光学声子相互作用的哈密顿量,重点讨论了电子与表面光学声子相互作用的性质。     

对称量子阱中电子—界面声子相互作用对极化子性质的…

采用Ｈａｇａ方法，对量子阱中极化子的有效质量和自陷能进行了研究。考虑到量子阱中电子波函数的束缚和界面声子的影响，计算了不同支声子与电子相互作用对自陷能的贡献，讨论了极化子的有效质量和自陷能随量子阱宽度的变化关系，进一步说明了量子阱的尺度和界面声子的重要性。     

对称量子阱中电子─界面声子相互作用对极化子性质的影响

采用Ｈａｇａ方法，对量子阱中极化子的有效质量和自陷能进行了研究。考虑到量子阱中电子波函数的束缚和界面声子的影响，计算了不同支声子与电子相互作用对自陷能的贡献，讨论了极化子的有效质量和自陷能随量子阱宽度的变化关系，进一步说明了量子阱的尺度和界面声子的重要性。     

氮化物抛物量子阱中电子-声子相互作用对极化子能量的影响

采用改进的LLP变分方法．研究氮化物抛物量子阱（GaN／Al0.3Ga0.7N）材料中的电子-声子相互作用．给出极化子基态能量、第一激发态到基态的跃迁能、不同支长波光学声子模对极化子基态能量的贡献随阱宽L的变化关系,在数值计算中考虑了氮化物（纤维锌矿）GaN和AlxGa1-xN构成的抛物量子阱材料中长波光学声子模的各向异性．结果表明,基态能量和跃迁能量随阱宽L的增大而减小。阱宽较小时．减小的速度比较快＋阱宽较大时．减小的速度比较慢．最后缓慢地接近GaN体材料中的三维值．在GaN／Al0.3Ga0.7N抛物量子阱中定域准LO声子对极化子能量的贡献比较大．阱宽较大（L=27nm）时约33meV,这一值比GaAs／Al0.2Ga0.7As抛物量子阱中的相应值（约3meV）大的多,并且定域准LO声子的贡献远远大于定域准TO声子的贡献．     

电子—声子相互作用非对称双势垒共振隧穿的影响

理论研究了非对称双势垒结构中光学声子发射率和光学声子辅助隧穿电流。对A│xGa1-xAs/GaAs/AlyGa1-yAs结构作了数值计算,得到对声子辅助隧穿实验电流峰的一种新的理论上的合理辨认。对宽量子阱理论上只有一个声子辅助峰,且接近阱内LO声子的能量。发现界面光学（IO）声子辅助隧穿是主要的。理论结果能正确解释实验。     

电子—声子相互作用对金属介观环中持续电流的影响

在连续模型中研究了电子－声子相互作用对一维金属介观环中由磁通Φ诱发的持续电流的贡献．持续电流随磁通Φ的变化具有周期性．周期为磁通量子Φ０＝ｈ／ｅ．研究表明,电子－声子相互作用不仅降低系统能量而且对持续电流有抑制作用．持续电流与系统中的电子数（Ｎ）有明显的依赖关系．当（Ｎ）增加到足够大时,持续电流趋于零．     

有限单量子阱结构中电子—界面光学声子相互作用

本文给出了有限单量子阱结构中电子与有（界）面光学声子相互作用的类弗留里希哈密顿算符，电子－声子耦合函数被计算和讨论。