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利用密度泛函与非平衡态格林函数相结合的方法,研究了双铁酞菁(Fe_2Pc_2)与金纳米线电极构成分子器件的自旋输运性质.研究发现即使不存在磁性电极的情况下,Fe_2Pc_2分子器件也能表现出良好的自旋过滤效应和较大的磁阻.与传统的磁隧道结相比,仅通过改变位于酞菁分子中心的铁原子的磁矩方向即可实现对该分子结的自旋输运性质的调控. 相似文献
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分子电子学是近十年来发展起来的一门新兴学科,当器件的尺寸进一步缩小到纳米尺度时,分子电子学有望成为传统电子学的补充甚至替代.利用密度泛函理论与非平衡态格林函数相结合的方法,研究了嵌于石墨烯纳米带电极间的双苯环分子器件的自旋输运性质.研究发现两电极磁矩平行和反平行时,器件有不同的输运性质.电极磁矩平行时出现完美的自旋过滤... 相似文献
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在自由电子近似下,利用散射矩阵方法研究了两端光滑连着电子库、宽度呈宽-窄-宽和窄-宽-窄非绝热变化量子线(量子波导)的电子输运性质,用Landauer-Biittiker公式解析地计算出了两种情况下系统电子透射率作为入射电子能量和系统几何参数的函数表达式,从而分析得出丁由于量子干涉产生透射极大与极小值时入射能量与几何参数所满足的条件关系并得到了数值验证,这种简单体系的精确解除有重要的基础性意义外,能为研究考虑各种相互作用、外场特别是含时外场作用下的介观电子输运问题提供一个“零级近似”的参考。 相似文献
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李伯臧 《哈尔滨师范大学自然科学学报》2001,17(4):18-38
首先,概括文献上对宏观量子相干振荡的表述;其次,给出量子相干振荡的标准量子力学理论,它既适用于宏观系统,亦适用于微量和介观系统;最后,求解两种典型的大自旋系统的本征能谱,以及量子相干振荡 的存在条件和振荡频率。 相似文献
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用递归格林函数方法研究了一种周期排列而成的量子点超晶格结构中的电子输运性质.计算结果表明,电导图谱及其共振峰的劈裂依赖于量子点的几何尺寸、量子点的数目及量子点中势的大小. 相似文献
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采用泛函积分与相干势近似相结合的方法,对周期性安德森模型在顺磁相的电子结构和自旋涨落性质进行研究。结果表明,随着温度的降低,自旋涨落减弱,另外,体系的磁化率也随温度的降低而下降,磁化率主要由自旋涨落的性质决定,与单电子图像不符。 相似文献
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在有效质量自由电子近似下,用散射矩阵方法计算了两端非绝热连接正常导体电极的弱Dresselhaus自旋轨道耦合量子线的自旋电导.结果表明,由于Dresselhaus自旋轨道耦合作用,系统量子化电导平台在子带边缘呈振荡特性,并依赖于自旋轨道耦合强度与电极中的传播通道数以及量子线长度. 相似文献
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自石墨烯成功制备以来,二维碳基材料的研究受到了广泛关注,可期待克服硅基场效应管中出现的短沟道效应.采用密度泛函理论和非平衡态格林函数相结合的第一性原理方法,研究了石墨烯/PC6/石墨烯异质结输运特性.研究发现金属的石墨烯与半导体的PC6之间为肖特基接触,形成的势垒为0.15 eV.在非平衡态下,电流随电压增大,呈非线性增加特性.在较小的偏压下,可获得较大的开路电流. 相似文献
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说明担任气体输运任务的分子数是1/6nv和1/4nv的理论依据,并指出这两种分子数担任输运量得到的宏观规律相同的原因。 相似文献
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利用基于密度泛函的非平衡格林函数方法,对Zigzag电极Armchair边缘的石墨烯纳米带的电子输运、态密度和V-I特性进行了理论计算,研究发现这一结构的纳米石墨烯带具有明显的半导体特征,其态密度与电子传输谱间具有较好的对应关系,电子传输谱与电子入射能量密切相关,并显现能级量子化和电子输运过程中的库仑阻塞特性. 相似文献
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《哈尔滨师范大学自然科学学报》2016,(6)
采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,通过Materials Studio 5.5 CASTEP计算软件,对三元层状陶瓷211相中的Cr_2AlC和Ti_2SnC的光学性质进行计算分析.通过Cr_2AlC和Ti_2SnC的复介电常数和反射率的计算,从电子结构角度分析了它们光学性质的共性.二者在可见光区反射率较小,可知它们在可见光区具有良好的热稳定性,结合它们自身具有的高电导率,预测其可以作为良好的导电复合材料第二相添加剂;在紫外光区反射率相对较大,预测其可以作为潜在的防紫外线涂层材料. 相似文献
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卜文斌 《哈尔滨师范大学自然科学学报》2008,24(4)
量子点指的是由一定数量的实际原子组成的聚集体,点阵体系的尺度约在1 nm至100 nm左右.由于量子点具有非常广泛的应用前景,近年来量子点技术引起人们越来越多的兴趣.本文采用标准Monte Carlo模拟方法研究Heisenberg模型下单个磁性量子点的磁化动力学行为,分析单个磁性量子点的磁化曲线、磁滞回线以及磁化强度、磁化率、矫顽力等磁参量与量子点半径、温度等的关系. 相似文献
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选取了双层二硫化钼纳米带交错构型(MoS2)、双层二硫化钼交错结构插层横向苯分子(MoS2@αC6 H6)和双层二硫化钼交错结构插层纵向苯分子(MoS2@βC6 H6)三种结构进行研究.计算过程采用密度泛函理论(DFT)和非平衡格林函数(NEGF)相结合的第一性原理方法,研究了MoS2、MoS2@αC6 H6和MoS2... 相似文献
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