含铜蚀刻废液的综合利用—硫酸铜生产工艺研究

采用酸性蚀刻液与碱性蚀刻液混合沉淀铜的方法，生产工业硫酸铜，不用蒸发浓缩，工艺简单，成本低．对影响产品质量和产率的主要因素ｐＨ，化浆用水量和浓硫酸用量进行了探讨，找到了最佳工艺条件，产品质量符合ＧＢ４３７－８０．     

利用微蚀刻废液制备碱式碳酸铜

介绍了一种双氧水体系微蚀刻废液综合利用的工艺流程,以微蚀刻废液、粗制氧化铜及碳酸钠为原料,经过中和、偏钛酸吸附除铁、混合反应等工序,制备碱式碳酸铜。实验表明:偏钛酸能有效去除微蚀刻废液中的铁杂质,最佳吸附时间为1h,1L废液中偏钛酸的加入量为250g。制备碱式碳酸铜的最佳工艺条件如下:采用反应母液为底液,反应温度为70℃,pH值为8.5,洗涤次数为3次。此工艺能有效综合利用微蚀刻废液,制成的碱式碳酸铜产品符合HG 3-1075—77中规定的化学纯指标要求。     

江西省内线路板行业产生的含铜废液集中处置方法及清洁生产分析

江西省内有较多线路板企业,妥善处置其产生的废铜蚀刻液迫在眉睫,分析比较两种废铜蚀刻液回收处置工艺,即单一处理回收铜工艺和综合处理生产硫酸铜工艺。从清洁生产、循环经济角度看,综合处理生产硫酸铜工艺是一种循环经济与资源、环境、社会效益三者相结合的生产技术,降低环境风险,解决相关企业的后顾之忧。     

铜蚀刻废泥生产硫酸铜工艺中氯的除去

采用铜蚀刻废泥生产五水硫酸铜时,因废泥中含有大量的氯离子而影响了产品的质量和收率,针对原料的特点,提出了氯生产五水硫酸铜的工艺。     

Cu 在 FeCl_3 溶液中的蚀刻研究

研究了ＦｅＣｌ３溶液浓度、温度及样品在溶液中的运动速度对Ｃｕ蚀刻速度的影响。在所研究的溶液浓度范围内，蚀刻过程为扩散控制为主的过程；在溶液相对密度为１．２６～１．３２时Ｃｕ的蚀刻速度具有极值。Ｃｕ在ＦｅＣｌ３溶液中蚀刻其表面有ＣｕＣｌ膜的沉积，钝化膜对Ｃｕ的蚀刻有大的影响；蚀刻反应受Ｆｅ３＋通过钝化膜的扩散过程控制。试验拟定了初步的蚀刻工艺。     

含铜蚀刻废液的综合利用：中和沉淀后母液的处理工艺探讨

酸性蚀刻废液与碱性蚀刻废液混合沉淀铜后，母液中含有大量的氯化铵，少量的铜离子．用水合肼还原除去铜离子后，回收所得氯化铵溶液可直接用于蚀刻液的生产．通过对处理工艺探讨，找到了处理母液的最佳方法．     

微氟循环玻璃蚀刻的工艺研究

应用正交试验和单因子实验分别确定了微氟循环蚀刻液的配比及微氟循环蚀刻的最佳工艺条件.结果表明,蚀刻的最佳工艺条件为:pH=5.5,温度为48℃,时间为2.2h.并经SEM和IR实验测试,玻璃表面蚀刻均匀,蚀刻深度为5.8μm,深度均一,表面平整,无侧蚀现象.蚀刻后废液经化学处理可实现循环使用.     

商标蚀刻工艺关键问题探讨

本文综述了蚀刻阴极阳极材料，蚀刻面积，溶液搅拌对不锈钢刀具产品蚀刻商标效果的影响，分析了提高蚀刻商标清晰度的因素，达到蚀刻商标清晰深刻、完整美观的良好效果。     

蚀刻型高密度引线框架铜合金带材的研制进展

综述了蚀刻加工的工艺特点以及用于蚀刻型铜合金带材的特殊技术要求,分析了国内蚀刻型高密度引线框架铜带的研制进展及存在的问题。蚀刻型引线框架带材的产品质量与国外还存在一定差距,全蚀刻产品已实现国产化,产品质量有待提高;半蚀刻产品还处于研制阶段;板形控制、残余应力消减及均匀分布等核心技术有待突破;残余应力检测方法及检验标准有待建立。     

亚微米孔径PET核孔膜生产工艺研究

为了得到优质的亚微米孔径PET微孔膜的生产方法,为它投入实际应用奠定基础,采用被中国原子能科学研究院HI-13串列加速器产生的32S轰击过的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜,薄膜放置在空气中陈化三个月,在模拟生产条件下利用自主设计加工具有高精度温控的小型生产蚀刻装置,使用NaOH溶液对薄膜进行蚀刻处理,制备出孔径0.2至0.93μm的重离子微孔膜。研究添加表面活性剂和紫外线敏化以及蚀刻时间对孔型的影响。结果表明,紫外线敏化可以减小微孔锥角,紫外线敏化后再添加表面活性剂蚀刻可以消除孔锥角。在蚀刻出平均孔径为0.2至0.93μm核孔膜的前提下,得到了孔锥角与随着时间增加的变化趋势。     

激光蚀刻,书写中的图形输入方法研究

介绍了激光蚀刻、书写设备中的图形输入方法，着重讨论了图像预处理，直线段识别和圆弧识别的数学方法。     

对4J42合金蚀刻问题的初步研究

本文通过对４Ｊ４２合金在喷淋条件下的失重腐蚀实验进行研究，结果表明：腐蚀速度随ＦｅＣｌ３Ｂｅ＾＋的提高而降低，随温度升高而增加，随盐酸浓度的增加而降低，在喷淋条件下的标准板实验和金相观察结果表明：腐蚀速度越快，蚀刻因子越大。     

离子束蚀刻固体表面形貌发展研究

本文导出了离子束蚀刻固体表面形貌发展的一般方程,利用非线性方程的特征曲线解法,建立了离子束蚀刻固体表面形貌发展的三维理论,并由该理论导出了Carter等人的二维理论。     

等离子体蚀刻多晶硅深沟道研究

等离子体蚀刻硅深沟道用作存贮器件的储存电容有非常重要的作用,就等离子体在微电子制造领域中蚀刻二氧化硅,多晶硅的原理和如何控制形状(profile)和深沟道的深度做了研究,解释了HBr,NF3,He_30%O2气体,压力对蚀刻速率,Si/SiO2蚀刻选择比的影响.结果表明:蚀刻率随HBr流量的增大而增大,压力和侧壁保护气体He_30%O2控制着整个蚀刻图形.     

基于碱性蚀刻液回收处理中对萃取液选择的研究

溶剂萃取法处理印刷电路板（PCB）碱性蚀刻废液是国外应用的主要处理方法,可以在回收铜的同时回用蚀刻剂。本论文研究的目的是论述基于碱性蚀刻液回收处理中所确定的最佳萃取液,采用的是定性定量比较试验分析法。     

热蚀刻技术在复相陶瓷显微结构研究中的应用

热蚀刻技术是制备陶瓷材料ＳＥＭ样品的一种新方法，通过对ＴＺＰ系复相陶瓷和Ａｌ２Ｏ３－ＳｉＣｎａｎｏ纳米复相陶瓷折系统实验，总结了最佳热蚀条件。结果表明：适合的热蚀刻条件可以显示晶界和“内晶型”结构中晶内纳米相的分布，是一种方便实用的陶瓷材料ＳＥＭ样品的制备方法。     

电化学法处理蚀刻液中高氨氮废水研究

蚀刻液处理过程中所产生的废水残留有高浓度氨氮,其环境污染风险大且难治理.电化学氧化法因其快速、高效的处理效率受到学术界的广泛重视.文章系统地探讨了电化学氧化法去除蚀刻液处理过程中高含氮废水的机理和影响因素.结果表明：针对初始质量浓度为2 000 mg·L^-1的模拟氨氮废水,电化学氧化法去除其中氨氮的最佳条件为质量浓度ρC l-=6 000 mg·L^-1、初始pH=9、电流密度60 mA·cm^-2,电解3 h后,氨氮去除率达到86.87%;针对实际废水,氨氮去除率可达75.42%.此外,向电化学体系中引入沸石材料后,模拟废水和实际废水中氨氮去除率可分别提高到92.79%和83.17%.     

化学法清洗硅片过程中清除颗粒的机理(英文)

对化学法清洗硅片过程中消除颗粒的机理作了定量的探讨。颗粒的清除是由于化学蚀刻和颗粒与表面排斥力共同作用的结果。首次提出了最浅蚀刻深度和最小蚀刻速度的概念。最浅蚀刻深度可通过颗粒与表面间作用能的关系进行计算。是小蚀刻速度则可通过蚀刻侧形进行计算。研究结果对于优化化学法清洗过程和设计高性能清洗液都具有重要意义。     

由CuCl2蚀刻液制取CuCl

用Na2CO3溶液调节CuCl2蚀刻液的pH值约为3，加入6.5g的Na2SO3作还原剂，制得CuCl。经测定，在合适的条件下，CuCl的纯度和收率分别达到96.2%和96.6%。     

浸泡法快速制备超疏水黄铜表面

采用化学蚀刻和溶液浸泡相结合的方法制备具有超疏水性的黄铜表面.按比例配置HCl、HNO3和HF的混合溶液蚀刻黄铜,蚀刻后用硬脂酸溶液进行修饰以获得接触角大于150°的表面.通过扫描电镜对表面结构的观察以及能谱分析,发现蚀刻后的表面具有片状和微小乳突组成的微/纳二级结构,修饰后的这些结构可以捕获大量空气.根据Cassie模式的计算方程,水滴与空气的接触面积约占总接触面积的94.11%.实验研究了不同蚀刻时间对试件表面润湿性的影响,理论分析微结构的形成机理.发现最佳制备条件为：蚀刻时间5 min,浸泡时间1 h,此条件下制备的试件的接触角达到164.5°.