几类药物分子的HMO计算 Ⅱ内酯类化合物的HMO计算

用 HMO 方法对内酯类化合物进行了计算,得出这类化合物的羰氧电荷密度与它们对心脏的毒性呈正变关系。     

曲面结构的表面电荷反演计算方法

研究高压直流输电线路下绝缘材料表面电荷积聚与消散规律时,只能根据绝缘材料表面静电电位反演计算得到电荷密度,但当材料表面为曲面时,很难准确计算出材料表面电荷密度.提出了一种针对曲面的电荷密度反演计算方法,针对曲面的绝缘材料,合理、密集地选择电位测量点,通过多轴运动控制器得到电位测量点的相对位置坐标,再按测量点将曲面划分为三角形的网格,求出各点处的法向量,进而反演出表面电荷密度.测量得到的3D打印的曲面圆盘和悬式绝缘子表面电位,以此为算例计算其表面电荷密度.计算结果同理论分析趋势一致,绝缘材料表面的静电电位与电荷密度相关性较强,电位高的区域对应的电荷密度也大;电荷分布按照离放电电极距离的远近,呈现"同心圆"分布;但靠近悬式绝缘子钢帽的区域电荷难以积聚,电荷密度小.     

第一周期双原子分子电荷密度心的计算

分子电荷密度分布对了解分子结构及性能的关系具有重要意义。实验及理论计算的各种电荷密度图广泛用于化学键的研究,其中密度差图有重要价值。本文中引进了电荷密度心概念,并计算了一些第一周期双原子分子的电荷密度心,旨在对电荷密度分布作一些简洁、定量的解析和应用。     

硝硫苯醋及硫代氨基甲酸衍生物的抗日本血吸虫作用与分子轨道指数间关系的研究

本文利用HMO法对13个硝硫苯酯及二苯醚类似物的分子轨道指数进行了计算。将生物活性与羰基硫上的电荷密度、自由价及在α—氧、α—N上的电荷密度等指数之间关系进行定量构效关系(QSAR)研究,得到了五个定量关系式。证明这类化合物的生物活性与C=S基上的电荷密度、自由价及在α—O、α—N上的电荷密度等之间有着密切的关系,计算结果与实验值一致,其绝对误差皆在±0.019以内。     

几类药物分子的HMO计算——Ⅱ.异芋酰肼和其它酰肼类化合物

本文对异芋酰肼及其它酰肼类化合物(抗结核药物),共8个,用Huckel分子轨道理论进行了计算。结果表明,药物的活性(以最低有效浓度表示)与羰基氧前沿电荷密度呈正变关系。     

木瓜蛋白酶作用下酰基氨基酸酰苯胺的不对称合成的研究 Ⅱ.外消旋丝氨酸的析解

1.在木瓜蛋白酶作用下,N-酰基-DL-丝氨酸与苯胺作用合成了N-异戊酰-、N-正己酰-、N-苯甲酰-及N-苯甲氧羰酰-L-丝氨酸酰苯胺。 2.脂肪族取代基,正己酰-,取代的丝氨酸酰苯胺不对称合成反应的最适pH为4.9～5.1;芳香族取代基,苯甲氧羰酰-,取代的丝氨酸酰苯胺不对称合成反应的最适pH为5.0～5.2。 3.比较了四种酰基-丝氨酸的酰苯胺合成的速度。N-苯甲氧羰酰-L-丝氨酸酰苯胺最快;N-苯甲酰-,N-正己酰-其次;N-异戊酰-最慢。 4.在最适pH,酶浓度自1.31毫克蛋白N/毫升反应液提高到2.27毫克蛋白N/毫升反应液时,N-苯甲氧羰酰-L-丝氨酸酰苯胺的产率,在24小时自76.43％提高到100％。 5.在pH=5.0～5.2,柠檬酸缓冲液浓度自0.2M提高到1.0M时,N-苯甲氧羰酰-L-丝氨酸酰苯胺的产率,在12小时提高了1％。 6.选定了苯甲氧羰酰基为取代基;反应最适pH=5.0～5.2;酶浓度为2.2毫克蛋白N/毫升反应液;缓冲液浓度为0.2M;作为丝氨酸酰苯胺不对称合成的最适条件,在此条件下进行了实际析解,得到中间产物N-苯甲氧羰酰-L-丝氨酸酰苯胺,与此同时,还得到了N-苯甲酰-、N-正己酰-、N-异戊酰-L-丝氨酸酰苯胺。 7.水解N-苯甲氧羰酰-、N-苯甲酰-、N-正己酰-、N-异戊酰-L-丝氨酸酰苯胺,得到了L-丝氨酸,水解N-苯甲氧羰酰-D-线氨酸,得到了D-丝氨酸,两个旋     

量子化学从头计算法计算石墨微晶中碳原子的净电荷

采用从头计算法在RHF/STO-3G水平上对石墨微晶中不同位置碳原子的净电荷进行量化计算;研究碳原子的净电荷与炭材料的微观结构变化规律;根据石墨的结构与成键特征,将石墨表面的碳原子分为边缘碳原子与基平面碳原子.研究结果表明：在单碳层及含多层碳的石墨微晶中,不同位置碳原子的净电荷数差别较大;基平面碳原子的电子云密度较小,均带部分正电荷;部分边缘碳原子的电子云密度较大,净电荷为负.随着平行于碳层的微晶尺寸La及垂直于碳层的微晶尺寸Lc的增大,边缘碳原子中电子云密度最大的碳原子所带的负电荷增加.     

ReB2电子结构性质的第一性原理计算

利用全势线性缀加平面波方法计算ReB2的体模量、价电荷态密度、电子能带结构和电子态密度.计算发现当取B’0=4时,局域密度近似（LDA）考虑自旋轨道耦合（SOC）得到的体模量为360 GPa,与实验值吻合的很好.电子能带结构表明ReB2具有特殊的金属特性,LDA＋ SOC计算结果发现几乎所有能带沿L-H-A方向发生分裂.价电荷态密度和电子态密度结果表明Re-d和B-p态之间存在强的杂化,形成Re-B共价键,这类共价键是ReB2具有高硬度的主要原因.     

长直椭柱导体表面静电场的数值计算

依据最低能量原理,将椭柱导体表面的电荷离散成有限电荷微元,通过电荷微元的坐标轮动,寻求体系的最低能量位形,得到了体系达到静电平衡时的电荷密度分布,进而依据高斯定理描述了导体表面的电场分布。     

真空紫外光直接光化学气相沉积SiO2界面特性的研究

通过ＭＯＳ结构Ｃ－Ｖ特性曲线和Ｃ－Ｖ特性滞后曲线，对不同淀积条件下的ＳｉＯ２－Ｓｉ界面特性进行了研究，并与热氧化法和ＰＥＣＶＤ法生长的ＳｉＯ２膜界面进行了比较，结果表明，在不同工艺条件下，其界面电荷密度有所不同，与热氧生长膜的界面电荷密度相近，比ＰＥＣＶＤ膜的界面电荷密度稍低，且其界面基本上呈现负电荷中心，根据俄歇电子能谱的结果，对其界面负电荷的形成作了定性的解释。     

对孤立椭球导体面电荷密度与表层曲率之间关系的研究

对于孤立椭球导体,即处于静电平衡作用下,而椭球导体面上电荷密度的分布规律在理论分析上一直都是一个比较复杂的静电学问题,人们普遍认为,孤立的椭球导体面上的电荷密度上的电荷密度随着表面曲率半径的增大而增大,而确定的比例关系一直没有定量得出.本文将通过理论计算得出导体表面曲率与电荷密度之间的定量关系.首先,用平面曲率来表示曲面的曲率,其次,计算正圆柱面、旋转双曲面和旋转抛物面的曲率.最后确定带电孤立椭球面电荷密度与表层曲率关系,认为对于一般的孤立椭球导体,面电荷密度与表层曲率的1/4次方成正比,这表明了电荷大的地方电荷密度也大,同时电荷密度不仅与H存在一定的比例关系,而且还和导体的空间角度存在一定的关系,即不同的空间角度对应着不同的面电荷密度值.     

对苯二甲酸的加氢精制过程Ⅰ.热力学及反应特性分析

对钯碳催化剂(Pd/AC)上对苯二甲酸(TA)加氢精制过程进行了研究,结合反应体系的热力学分析,对该体系中的反应历程、反应特性进行了探讨,并对工业过程进行取样分析验证实验结果.结果表明:加氢精制工艺过程主要发生了两类反应,即加氢反应和脱羰反应,但脱羰反应的并存并未从本质上影响最终精制目的,即降低TA中对羧基苯甲醛(4-CBA)的含量.加氢反应是一个串联反应,即先由4-CBA加氢生成对羟甲基苯甲酸(4-HMBA),反应速率非常快,而后4-HMBA进一步加氢生成对甲基苯甲酸(4-PT),相对速率较慢;脱羰反应的进行程度与反应体系中存在的微量氧密切相关,溶解的微量氧对脱羰反应有促进作用,而氢气则会抑制脱羰反应.     

分子中电荷分布计算方案的研究

用类氢原子轨道的平方作为密度基函数，用最小二乘方法拟合分子的电子密度函数，得到分子中各原子上的电子布居和净电荷。密度基函数的用拟合自洽场计算得到的基态原子的电子密度函数的方法优化，当氢的密度基函数的指数取１时，分子中的氢原子分布了太多的电荷，为此，Ｈ原子的指数指数用拟合比分子的电子密度函数的方法优化。     

液晶分子能级和电荷密度的计算

液晶的理论有两类:唯象理论和微观理论。但是还没有关于液晶分子能级和电荷密度的计算方法。本文用图论的方法,将液晶大分子的复杂结构图,逐步简化成简单的结构图,导出液晶分子的能级方程及电荷密度表达式,从而为液晶分子结构和性能的探讨提供了方便的工具.     

（S）4-叔丁基二甲基硅氧基-L-脯氨酰胺的合成

以光学活性反式-4-羟基-L-脯氨酸为原料,用苯甲氧羰酰基保护氨基,叔丁基二甲基,硅基保护羟基,然后与1,2-二苯基-2-氨基乙醇反应得到(S)-4-叔丁基二甲基硅氧基-N-苯甲氧羰酰-L-脯氨酰胺3,催化氢解得到(S)-4-叔丁基二甲基硅氧基-L-脯氨酰胺4.     

对苯二甲酸的加氢精制过程 I.热力学及反应特性分析

对钯碳催化剂(Pd/AC)上对苯二甲酸(TA)加氢精制过程进行了研究,结合反应体系的热力学分析,对该体系中的反应历程、反应特性进行了探讨,并对工业过程进行取样分析验证实验结果。结果表明:加氢精制工艺过程主要发生了两类反应,即加氢反应和脱羰反应,但脱羰反应的并存并未从本质上影响最终精制目的,即降低TA中对羧基苯甲醛(4-CBA)的含量。加氢反应是一个串联反应,即先由4-CBA加氢生成对羟甲基苯甲酸(4-HM BA),反应速率非常快,而后4-HM BA进一步加氢生成对甲基苯甲酸(4-PT),相对速率较慢;脱羰反应的进行程度与反应体系中存在的微量氧密切相关,溶解的微量氧对脱羰反应有促进作用,而氢气则会抑制脱羰反应。     

一价阳离子同甲醛的弱相互作用

利用密度泛函理论方法,优化得出复合体系的稳定构型.由于氢离子的半径最小,与氧形成了典型的化学键结合.离解能的大小随离子半径的减小而增强,并产生电荷从羰基向离子上转移的现象,转移的电荷部分填充离子核外空轨道,引起电荷趋于均匀分布,从而降低整个体系的能量.分析了复合体系的振动频率,受离子的影响,羰基的振动强度总体变弱,不同离子对其影响程度不同.     

导体旋转椭球电容的一种计算方法

用一种新方法，计算孤立旋转椭球导体的面电荷密度和电容。     

Al掺杂与HfO_2本征缺陷互作用的研究

文章采用MS和VASP软件研究了HfO2作为电荷俘获存储器(charge trapping memory,CTM)俘获层时,在其中掺入Al杂质对本征缺陷的影响,计算了4种缺陷下氧空位的形成能大小、电荷俘获能及态密度。结果表明:掺入Al可以有效降低氧空位形成能,缺陷更易形成;Al+Vo3体系对空穴的数据保持能力相对较强,而Al+Vo4体系对电子的数据保持特性相对较好。     

体极化介质IP面电荷的计算及分布规律

本文以等效电阻率法为理论基础,导出了几种常见情况下,体极化介质表面上一次电流场和二次极化电流场以及总电流场的面电荷密度的表达公式,并分别对点电流源场中多层介质分界面上的面电荷密度及在均匀电流场中球状和水平圆柱状极化体表面上的面电荷密度进行了具体计算,得到了某些表征电荷分布规律的理论曲线。利用本文中给出的研究结果,可以简便地对一次电流场和二次极化电流场的异常电位及异常电流强度的分布特征,进行定性分析和定量研究。