PDP扫描驱动芯片的新型200VP沟功率MOSFET及工艺研究

提出了一种适合PDP扫描驱动芯片的高压P沟道ED-LDMOS器件结构,源漏击穿电压及栅耐压均达到220V以上.通过添加P型扩展阱,能够有效降低P+漏极边缘电场60%,减轻漏极电流汇聚效应,抑制寄生双极型晶体管开启,从而原器件开启态耐压(180V)提高了40V;同时设计了能与0.6μm标准低压CMOS工艺完全兼容的制备工艺,特别提出一种厚栅氧与多晶栅的刻蚀方法——余量刻蚀法,有效防止由于光刻误差引起的栅源短路击穿.     

基于PBL3770A和80C51BH单片机的二相步进电机控制研究

基于对PBL3770A驱动芯片和80C51BH单片机研究,提出二相步进电机的控制方案,设计和搭建硬件的驱动电路,实现了控制二相步进电机运转的驱动程序.具体实现了80C51BH对外部脉冲产生中断,产生二相八拍的驱动信号,利用PBL3770A步进电机驱动芯片从而控制电机的正转、反转的半步距转动.经调试仿真及实物操作,结果表明该系统运行正常,达到设计要求.     

高纯片状立方氮化硼的合成及其振动光谱

在压力为4．5—6．0GPa，温度为1500—1900℃的条件下．采用六角氮化硼为原料，选用特定触媒．控制生长条件，台成出高纯片状立方氮化硼单晶．用扫描电镜研究了单晶的生长特点，通过对其振动光谱的测试分析了其内部的微观结构特征．     

锌基底上超疏水表面的制备

采用硝酸为刻蚀剂、CS2与液体石蜡的混合溶液为疏水剂,经简单处理在锌基底上构建了微纳米结构,通过SEM,XRD等进行了结构表征和疏水性能测试．结果表明锌表面经过硝酸溶液刻蚀处理后具有了树立的不规则排列的片状结构,形成了一个阶层,表面上的阶层结构对超疏水性起到了一个关键的作用．     

轴流式叶型的Bezier曲线设计方法

为了避免型线曲率不连续所导致的气动损失,提出了一种基于Bezier曲线曲率优化的平面叶栅设计方法,包括对气动性能有显著影响的进出口几何构造角、喉部宽度、弯折角,对强度影响较大的前/尾缘半径、最大内切圆半径、位置等14个独立参数.对平面叶栅的压力面、吸力面型线等进行了设计分析.为保证其光顺性,采用优化设计的方法调整内切圆半径的夹角,实现了压力面、吸力面型线的曲率连续,完成了平面叶栅的设计.进行了多种叶型的设计和气动分析,验证了设计方法的有效性.分析结果表明文中提出的方法可以灵活地进行平面叶栅的设计.     

GIS在瞭望塔选址中的应用

分析了传统嘹望塔选址方法、利用ArcGIS选址模型定位法及使用基于GIS自动确定位置模型来为新塔选址的优势和不足，提出了GIS与传统方法相结合的选址方法，期待为林火监测和管理提供有效的方法．     

一种高压驱动集成电路的失效机理分析

针对一种高压驱动芯片的失效问题,本文分析了其失效机理,主要通过电性能分析、光学显微镜分析、透射射线分析和开盖检查等分析手段,定位了该集成电路的失效点和失效机理,并通过复现试验确认了驱动芯片失效的原因。输入端的高能量外部过电应力(EOS)过流与过热,使晶圆内部线路发生熔化,造成驱动芯片的输入端和电源正极短路,引发器件失效。     

基于铁电薄膜HfO2的双阈值 负电容独立栅FinFET器件

将一定厚度的铁电材料HfO2应用到独立栅基准器件FinFET的前栅和后栅表面,构成具有对称栅结构的负电容独立栅FinFET器件通过调整新器件的栅功函数、结构参数和铁电材料参数,构建高阈值和低阈值负电容独立栅FinFET器件提出的双阈值负电容独立栅FinFET器件具有较小的亚阈值摆幅和较大的开关电流比,在降低功耗方面具有显著的优势     

超混沌Chen-Lee系统的有限时间同步

引入一个非线性状态反馈控制,将混沌Chen—Lee系统构造成四维超混沌系统．将这个四维超混沌系统作为驱动系统．采用主动控制方法构造一个响应系统,进一步选择适当的控制器使驱动一响应系统达到有限时间同步．数值模拟验证了本文提出的方案是有效的．     

驱动芯片DRV8860应用浅析

DRV8860是德州仪器公司最新推出的一款驱动芯片,本文结合实际使用及测试情况,分析并介绍了该芯片的应用电路及使用注意事项。     

轻掺杂漏LDD MOSFET的工艺及特性

对LDD MOSFET的两种形成技术——侧向刻蚀和边墙技术进行了分析和比较,证明了边墙技术对控制轻掺杂区域长度具有更高的精确性;同时,利用边墙技术和全离子注入工艺,在硅栅NMOS工艺基础上,成功地制得了1μm沟道长度的LDD MOSFET.测试结果表明,LDD MOSFET击穿电压高于常规MOSFET 3V以上,同时阈值电压的短沟效应明显减小.这些优点意味着LDD MOSFET结构在VLSI中有着广泛的应用前景.     

窄栅效应的二维数值分析

在MOS器件的二维窄栅效应(NGE)的数值分析中;引入了迁移率模型.改进了chung-Sah的常数迁移率近似的结果.发现其电导曲线的斜率随棚压增大由增加变为减少;其阈值电压的窄栅效应变化比常数迁移率时的大,并提出了新的窄栅效应阈值电压模型公式.当从实验上或二维计算中已知一个窄栅器件以及宽栅器件的电导——栅压特性后,就可推知其它栅宽器件的阈值电压.此模型公式用二维计算值及实验值进行了验证.     

MOSFET输出阻抗对混频器线性度影响分析

深入研究了MOSFET输出阻抗对Gilbert混频器线性度的影响,建立了针对MOSFET输出阻抗的混频器非线性模型,得出了Gilbert混频器线性度最优偏置条件.基于0.25μm CMOS工艺的Gilbert混频器验证结果表明,预测得到的线性度最优理论偏置值与验证结果之间的误差小于10%.     

低温超高速BiCMOS数字电路的延迟特性分析

在常规ＢｉＣＭＯＳ技术基础上，该文充分考虑了低温下ＭＯＳ电流驱动能力增强，双极器件增益与频率性能退化，ＰＮ结正向导通电压增加和结电容减小等因素的影响，并由此建立起统一的低温ＢｉＣＭＯＳ数字电路延迟时间的非线性解析分析模型，所得到的有关结论对低温超高速ＢｉＣＭＯＳ电路的优化设计有现实的指导意义。     

一种高线性度的电流调节式CMOS中频可变增益放大器

基于模拟乘法器设计了一种电流调节式中频可变增益放大器,并根据强反型下MOSFET的I-V模型(考虑二阶效应)建立和分析了电路非线性模型,提出了一种线性度优化方法.基于0.25 μm CMOS工艺的模拟结果表明,电源电压3.3 V下可变增益放大器与优化前相比在输入信号最大时IM3减小了33 dB,增益控制范围增大了12 dB;最小增益处ⅡP3达到17.5 dBm,最大增益处噪声系数为7.8 dB.     

三相反应式步进电机驱动器的设计

介绍步进电机驱动器的一种设计方法。设计时将LM331芯片接成电压／频率（V／F）转换方式，将输入控制电压转换成一定宽度的脉冲信号。方向控制信号由电压比较电路生成。PMM8713为集成脉冲分配芯片，可将输入脉冲信号分配成一定相序的控制各相通断的脉冲信号。功率驱动部分采用串联电阻电压驱动。     

线性模拟集成电路故障测试与诊断：短路导纳参数法

提出一种线性模拟集成电路故障测试与诊断方法：短路导纳参数法,方法只要对电路外部端口进行两次电压测试即可判断该电路是正常的还是有故障的;用此方法可以设计出电路自动测试装置,应用于线性模拟集成电路生产线的自动测试或供维修人员判定电子设备 性模拟集成电路是否有故障,其突出优点是对元件参数容差和测试、计算误差有抑制能力。     

用PDF处理含Pb2+、Cu2+重金属离子废水的研究

利用马铃薯提取淀粉后的废弃物—马铃薯渣制成的新型纤维(PDF)模拟处理了含重金属离子Pb^2 、Cu^2 的废水，研究了吸附剂用量，吸附时间，废水的pH值，温度等对Pb^2 、Cu^2 的吸附影响及在含有Pb^2 ，Cu^2 ，Cd^2 ，Cr^3 ，Na^ 金属离子的废水中PDF对多种混合金属离子的吸附．结果表明，PDF对Pb^2 、Cu^2 具有良好的吸附作用，且在多种金属离子混合的废水体系中可选择性地吸附Pb^2 ．     

高速弹性连杆机构振动的预测函数主动控制

应用带实时预测误差修正的预测函数控制方法对高速弹性连杆机构的振动响应进行主动控制研究.根据机构的动态特性,选取系统变形响应的参考轨迹、基函数、优化指标和电压约束条件,通过优化基函数的加权系数,得到结构化的控制电压,对机构进行控制.仿真结果与最优极点配置控制结果比较,表明采用简单的被控机构模型设计预测函数控制器对高速弹性连杆机构振动进行主动控制,能够有效地抑制弹性机构的振动,所需控制电压小,且能够满足控制实时性要求.