用正电子湮没技术研究Ⅰ型裂纹尖端附近的损伤区

用正电子湮没技术研究LY12CZ铝合金材料裂纹尖端附近的损伤区,采用正电子湮没寿命谱的两态捕获模型,将正电子在缺陷中湮没的平均寿命τ作为损伤变量的参量,得到裂纹尖端附近区域损伤值D的分布,并发现从裂尖到离裂尖大约1／2板厚处范围内具有三维效应。     

离子注入生物样品的正电子湮没研究

以云豆作为生物样品，测量了正电子湮没的寿命谱。比较了低能氮离子注入和未经氮离子注入的云豆样品的正电子湮没寿命谱，发现τ３有差异，说明氮离子注入到生物样品的影响深度可达到２００μｍ左右。由τ３和Ｉ３可知在生物样品中的正电子湮没过程中，大约有１／５正电子将形成正电子素Ｐ３。     

我国第一台正电子湮没辐射一维角关联实验装置通过院级技术鉴定

在中国科学院数理学部主持下,我国第一台正电子湮没辐射一维角关联实验装置于5月23日在中国科技大学通过鉴定。该装置是正电子湮没谱学的基本实验手段之一,属于大型精密的实验设备。它主要用于测量金属、合金中的费米面,研究各种固体材料的电子动量分布和固体缺陷,也是正电子和正电子素物理和化学以及辐射化学、高分子物理和生物物理等研究的重要手段之一。本装置自1980年7月开始研制。由中科院固体所(筹)主持下与高能所、沈阳科仪厂协作共同研制。1983年后转由中国科技大学主持,继续与高能所、沈阳科仪厂和金属所共同研     

Bi系2223单相超导材料的正电子湮没谱研究

研究了Bi系2223单相超导材料表面和内部的正电子寿命谱,利用三态捕获模型对材料的本征寿命和缺陷分布作了估算,讨论了湮没过程的物理机制以及和材料结构特征之间的联系。     

高温超导体中的一个正电子陷阱湮没模型

从简单的正电子物理图像出发，引入正电子在陷阱中湮没竞争机制，提出了一个新的陷阱湮没模型，并采用这个模型分析了多陷阱的高温超导材料中的正电子湮没特征，此模型可用于探索非平衡缺陷问题的普遍情况．     

不同煅烧条件下合成β-C_2S的正电子湮没和水化研究

采用正电子湮没技术研究了不同煅烧条件下合成的β-C_S正电子寿命谱,按照正电子捕获理论,对实验所得寿命谱参数与β-C_S微观结构缺陷的关系进行了分析和讨论。此外,还就β-C_S的烧成条件、缺陷浓度和水化活性的关系进行了研究和讨论。     

SiOx薄膜微结构的正电子谱学研究

实验中选择Si（N型,（100面）,3～5Ω·cm）作为薄膜样品的基底,利用射频溅射方法制备低介电常数非晶SiOx（x〈2）薄膜,并通过真空退火来改变其缺陷态．正电子湮没多普勒展宽能谱（DBS）测量在慢正电子束流装置上进行．正电子湮没结果显示随退火温度增加,SiOx薄膜中有纳米晶硅生成,使正电子的捕获缺陷减少,从而使S参数呈下降趋势．     

我国正电子湮没技术研究的现状与展望

本文在论述正电子湮没技术的基本原理、实验方法及其应用领域的基础上,评介了目前国外正电子湮没技术的研究动态、发展趋势和我国正电子湮没技术研究的现状。为了开创我国正电子湮没技术的新局面,作者提出了一些有意义的设想。     

电子辐照前后的n型6H-SiC低温正电子捕获的研究

在20～300K低温范围内,通过对电子辐照前后n型6H SiC正电子湮灭寿命谱的测量,揭示了不同空位型缺陷之间的正电子捕获的竞争.建立了一种用于解释正电子寿命谱测量结果的模型,该模型中费米能级位置的改变可影响缺陷的电离以及正电子在缺陷位置的被捕获.根据模型拟合正电子寿命谱数据后得到:在原生的SiC中,正电子最可能被碳空位和碳的双空位所捕获,经估算其浓度分别为1.1×1017cm-3和3.0×1016cm-3;在辐照后的SiC中,正电子最可能被碳的双空位,硅空位或硅空位的杂合态所捕获,经估算其浓度分别为9.8×1016cm-3和5.4×1016cm-3.     

正电子湮没技术对YAG/Nd晶体缺陷的研究

用正电子湮没技术对YAG/Nd晶体不同位置进行了探测。实验结果表明,YAG/Nd晶体的不均匀性、缺陷的分布以及退火处理后晶体缺陷减少的情况与正电子寿命,多普勒增宽线形参数有对应关系。紫外光谱分析说明,YAG/Nd晶体中缺陷捕获态主要与色心有关。     

高Tc超导体Y—Ba—Cu—O超导临界涨落的正电子湮没研究

利用正电子湮没技术寿命谱测量系统首次细致地测量了高Tc超导体Y-Ba-Cu-O材料在Tc转变点附近的正电子湮没寿命谱参数的变化特性,发现在Tc处正电子湮没寿命呈峰。根据超导涨落的KSS理论和BCS超导理论的形式,推导出了正电子在超导转变温度Tc附近超导态和正常态内的湮没率公式。经计算机数值积分得到与实验一致的结果,从而解释了实验上发现的异常现象。     

塑性形变p型GaAs中的缺陷特性研究

用正电子湮没命谱研究了塑性变形ｐ型砷化镓中的缺陷性质,样品原始载流子浓度为２．６３×１０＾１８ｃｍ＾－３,形变量分别为２．５％,５％,７．５％,１０％和１５％,室温正电子寿命测量结构显示,形变样品中有新的空间型缺陷产生,鉴定为空位团,根据塑性多变样品中空位团的正电捕获率的大小和寿命谱温度关系初步判断,在ｐ型ＧａＡｓ中,塑性形变产生的空位团的荷电性为正,正电子寿命温度实验显示,在低温下形变样品中还存     

W-K合金的正电子湮没寿命谱研究

正电子湮没技术（PAT）是一种无损的材料探测技术,它可以反映正电子所在处电子密度信息,而电子密度信息能反映材料内部微尺寸变化,正电子对于纳米尺寸缺陷的变化非常敏感. 本文用正电子湮没技术中的正电子湮没寿命谱分析技术（PLAS）,对WK混合粉体在不同温度和压强条件下烧结后的微尺寸缺陷变化进行了分析,表明压强对于WK合金的缺陷变化没有明显的影响,而WK合金的微尺寸缺陷随温度有明显变化.     

X射线光储材料BaFCL的正电子湮没研究

本文用正电子湮没技术研究了BaFCL晶体的不同氟氯比的正电子湮没参数,发现第一、第二寿命值及强度与氟氯比呈有规律的变化,说明阴离子空位F(CL)心对正电子湮没的第二成份有贡献。     

W-K合金中空位型缺陷的浓度和尺寸研究

W-K合金具有熔点高,抗热冲击性能强,抗氢氦等离子辐照能力强等众多优点,特别是钾泡的形成能稳定晶界、充当钉扎点和细化晶粒的作用,从而改善了W-K合金材料的性能.由于正电子寿命谱分析技术对纳米尺度的空位型缺陷极为敏感,因此本文采用该方法测量了正电子在不同钾含量下W-K合金的寿命值大小和相应的强度,并依据正电子湮没的两态捕获模型,对拟合的正电子寿命成分进行数据处理,同时对钾泡浓度和尺寸的变化情况进行了分析和讨论.     

正电子谱学技术在功能材料微结构表征中的应用

特殊功能材料是一些具有优良电学、磁学、学、热学、学、力学、化学、物医学功能,在各类高科技领域到泛应用.正电子湮没技术是一种对材料微结构特别有效探测技术,特别是对各种缺陷、空位和微孔尤为灵敏,通过正电子湮没寿命谱、多普勒展宽谱和慢正电子束技术,通过分析正电子湮没参数可以获材料从表面到内部缺陷分布信息和随外部物理和化学条件变化、引起微结构变化.本文选取几种特殊材料正电子湮没实验结果来分析材料内部微结构,表明正电子湮没谱学是一种独特研究微观结构方法.     

S异步恒延伸轧制产品B_2F钢的正电子湮没研究

本文用正电子湮没技术研究了PV-E轧制产品B_2F钢,测得了正电子寿命与轧制压力及机械性能间的对应关系,为PV-E轧制工艺提供了依据。实验表明,轧制过程中B_2F钢中存在大量位错和空位团缺陷,且正电子寿命与速比有一定对应关系,揭示了速比对机械性能的影响。     

阳极腐蚀法制备发光多孔硅的正电子湮没研究

使用正电子湮没寿命谱仪和真空紫外荧光光谱仪,对不同电流密度腐蚀条件下制备的多孔硅进行微结构及发光性能的表征,通过正电子湮没方法研究多孔硅微结构对多孔硅光致发光性能的影响.实验结果表明,随着腐蚀电流密度的增大,电子偶素在样品中的pick-off湮没寿命先增大后减小,同时样品的发光强度显示出相同趋势.可以推断,在腐蚀电流密...     

正电子湮没辐射一维角关联实验装置在我校投入运行

正申子湮没辐射一维角关联实验装置是正电子湮没技术三种基本实验手段之一(另外两种是寿命谱仪和多普勒加宽能谱仪)。它主要用于测量金属与合金中的费米面和各种材料中的电子动量分布以及正电子和正电子素化学等方面的研究。角关联方法的特点是不需要超纯试样、额低温、强磁场或微波等极端条件。它是直接测量浓合金和其它结构无序材料费米面     

掺杂SrTiO_3陶瓷的介电性及正电子湮没

本文应用正电子湮没寿命谱方法研究掺杂SrTiO_3陶瓷的介电性.通过对不同掺La量SrTiO_3的介电常数、损耗因子、正电子在样品中的湮没寿命的测量,发现介电常数、损耗因子随掺La量的变化与正电子寿命参量的变化存在着某种关系;文中用Sr空位及La离子与Sr空位缔合体模型解释了这些变化与关系.