化学浴沉积法制备ZnS薄膜的研究

基于化学浴沉积法,采用硫酸锌、硫脲、水合肼和氨水混合溶液于适当温度下在玻璃衬底上沉积得到表面均匀的ZnS薄膜.对在不同沉积时间以及退火时间下得到的ZnS薄膜运用X射线衍射法观测其晶型结构,发现较长的沉积时间(5 h)和退火时间(3 h)制得的薄膜结晶度好,且检测出为闪锌矿晶型.并对其透光性能做了检测,发现pH值对透光度有显著影响.     

La掺杂对化学沉积ZnS薄膜影响的电化学研究

采用化学沉积法在导电玻璃上制备了ZnS及其La掺杂薄膜.用扫描电子显微镜(SEM)对其形貌进行表征,并用CHI660B电化学综合分析测试仪对ZnS和La掺杂ZnS薄膜的沉积过程进行分析.结果表明,化学沉积法制备了致密的、由球状颗粒组成的ZnS薄膜,掺杂La后,由于电负性较低的La在电极表面的吸附,电位负移,沉积速率下降,薄膜颗粒尺寸增大.电化学方法为研究ZnS的化学沉积提供了有效的分析技术.     

在半导体硅上电沉积及激光诱导电沉积镍薄膜

利用激光诱导电沉积实验控制和数据采集系统考察了Ｎｉ在ｐ－Ｓｉ上沉积和阳极溶出过程。结果表明半导体表面自然氧化膜和阳极钝化膜导致阴极反应过电位大幅度增加,反应电流下降,且钝化膜导致暂态电流上升迟缓,Ｎｉ阳极溶出实验表明薄膜由活性不同的两种相结合组成,在电沉积初期可获得由平均尺寸３００～６００ｎｍ晶粒构成了光亮度层,晶粒尺寸随镀层加厚,迅速变大,薄膜表面失去光泽。     

水热法制备SrTiO3功能陶瓷薄膜

采用水热法技术于250℃条件下直接在金属钛片上制备了钙钛矿结构的SrTiO3晶态薄膜，讨论了温度对薄膜形成的影响．采用X射线衍射(XRD)分析了薄膜的晶相；扫描电镜(SEM)研究了薄膜的表面形貌；X射线光电子能谱(XPS)分析了薄膜的成分与价态．结果表明水热反应温度是影响薄膜结晶的重要条件．     

ZnS多晶薄膜的磁控溅射沉积及其性能研究

采用磁控溅射法,在玻璃衬底上沉积了ZnS多晶薄膜,研究了衬底温度和Ar气流量对ZnS薄膜质量的影响.利用表面轮廓仪测量了薄膜的厚度,计算了薄膜的沉积速率.使用X射线衍射(XRD)分析了薄膜的微结构.通过紫外-可见光分光光度计测量了薄膜的透过谱,计算了禁带宽度.结果表明:所有制备的ZnS薄膜均为闪锌矿结构,所有样品在(111)方向具有明显的择优取向,沉积速率随着村底温度升高而降低,薄膜有较大的内应力,导致禁带宽度变窄.衬底温度为300℃时,薄膜的结晶质量最好.随着Ar气流量的增加,沉积速率增大,但薄膜的结构和光学性能都没有明显的变化.     

氧化钨薄膜着退色机制的XPS和XRD

对ＷＯｘ电致变色薄膜着退色状态下的物相份结构，离子化合价态及其相对含量的研究表明，晶体ＷＯｘ薄膜在着色状态下，是以Ｈ０．３３ＷＯ３物相为主的混合相，并存在三种价态的钨离子，氧离子则存在于非单一的化合环境中，导致Ｏｌｓ峰位的多值移动。分析表明，ＷＯｘ薄膜的电致变色效应与薄膜物相结构和钨、氧离子化合价态及化合环境密切相关。     

电沉积超薄膜生长的模拟研究

利用Monte Carlo模拟的方法对电沉积超薄膜的生长过程进行了研究，综合考虑了电解溶液中总粒子数n、粒子相遇时的反应概率Ps及粒子定向漂移概率Pd等因素，得到了一系列二维薄膜的分形生长图形，计算了相应的分形维数。结果表明，总粒子数n和反应概率Ps共同决定了沉积薄膜的形貌和相应的分形维数及聚集的粒子数N，而定向漂移概率Pd则对薄膜的形态及分形维数影响不大。     

热处理对电沉积CdSe薄膜光电性能的影响

电沉积制备的CdSe薄膜经不同温度退火之后由光电化学测定和x射线衍射实验进行表征,发现随着退火温度的上升,CdSe电极的光电转换效率提高,半导体薄膜中掺杂浓度略有减小,而少子扩散长度明显增大、薄膜中的CdSe微晶呈一定择优取向的六方纤锌矿晶体桔构,且含少量六方晶型的Se,在440℃以下退火时CdSe晶型没有改变,但退火温度升高使其晶粒尺寸增大,同时Se的含量减少,讨论了薄膜光电性能与结晶学性质的关系。     

V2O5薄膜结构和性能研究

在常温下，用脉冲磁控溅射方法石英玻璃和硅片上制备了薄膜，经过450℃退火，得到V2O5薄膜。用XRD、XPS和AFM对薄膜微观结构进行了测试，用分光光度计测量从200～2500nm波段V2O5薄膜的透射和反射光谱。结果表明，V2O5薄膜纯度高、相结构单一、结晶度好。室温到320℃范围内电阻变化2个量级，薄膜的光学能隙为2．46eV，与V2O5体材料性能一致。     

磁控溅射法制备纳米级ZnS薄膜及其性能研究

用磁控溅射技术在玻璃衬底上获得了取向单一的纳米级ZnS薄膜. 研究了衬底温度对薄膜结构的影响. 得出400 ℃时沉积的薄膜结晶最好,为六方纤锌矿结构,在可见光范围内有较高的透过率,其光能隙为3.81 eV.     

厚度对ZnS薄膜结构和应力的影响

用射频磁控溅射法在单晶Si基片上制备了4种不同厚度的ZnS膜,采用XRD和光学干涉相移法对薄膜的微结构和应力进行研究。结构分析表明,不同厚度的ZnS膜均呈多晶状态,并有明显的(220)晶面择优取向,晶体结构为立方晶型(闪锌矿)结构;随着薄膜厚度的增加,平均晶粒尺寸随之增大;薄膜的晶格常数在不同厚度下均比标准值稍大。应力分析表明,随着膜厚的增加,ZnS膜的应力差减小,在厚度为768 nm时的选区范围内应力差最小,应力分布较均匀。     

溶剂热法实现ZnS晶体相变的反应条件研究

以去离子水和乙二胺作为溶剂,采用溶剂热法制备了ZnS晶体,探讨了反应时间、反应温度、溶剂配比等条件对ZnS晶体晶型转变的影响。采用X射线衍射仪、扫描电镜等手段进行了ZnS晶体物相结构及表征的分析。结果表明,通过简单调节反应参数可以实现ZnS晶体由立方闪锌矿到六方钎锌矿的相变;当反应时间大于10h,反应温度高于140℃,去离子水与乙二胺溶剂配比大于1的实验条件下所得样品为纯度较高的六方钎锌矿型ZnS;立方闪锌矿ZnS均为直径约3μm的单分散微球体,而六方钎锌矿ZnS是由许多纳米纤维缠绕而成的大小不一的球形颗粒。     

RF磁控溅射技术制备TiO2-xNx薄膜及组成和结构研究

利用RF磁控溅射技术(Ar,N2和O2混合气体,Ti金属靶)制备TiO 2-xNx薄膜.用XRD和XPS对其结构和组成进行表征,结果表明:在实验系统中的N2含量在13%～17%之间,可以得到高质量的TiO 2-xNx薄膜,β-N为 TiO 2-xNx薄膜的主要成分;不同含N量的TiO 2-xNx薄膜的结构和组成的光学催化活性不同.     

TaN膜的结构,成分及性能

研究了三极溅射法制备的ＴａＮ膜的结构、成分及其性能。实验发现：随着氮分压的增加，ＴａＮ膜的结构将从面心立方相转变为六方相；ＴａＮ膜的显微硬度在单一相结构时最大，而以双相共存时的显微硬度较低。     

Electrodeposition and characterization of thermoelectric Bi_2Se_3 thin films

Bi2Se3 thin films were electrochemically deposited on Ti and indium tin oxide-coated glass substrates,respectively,at room temperature,using Bi(NO3)3·5H2O and SeO2 as starting materials in diluted HNO 3 solution.A conventional three-electrode cell was used with a platinum sheet as a counter electrode,and a saturated calomel electrode was used as a reference electrode.The films were annealed in argon atmosphere.The influence of cold isostatic pressing before annealing on the microstructure and thermoelectric properties of the films was investigated.X-ray diffraction analysis indicates that the film grown on the indium tin oxide-coated glass substrate is pure rhombohedral Bi 2 Se 3,and the film grown on the Ti substrate consists of both rhombohedral and orthorhombic Bi 2 Se 3.     

The preparation and characterization of amorphous SiCN thin films

Radio Frequency plasma enhanced Chemical Vapor Deposition (RF CVD) using N₂, SiH₄ and C₂H₄ as the reaction sources was used to prepare amorphous ternary Si _x C _y N _z thin films. The chemical states of the C, Si and N atoms in the films were characterized by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and Fourier Transform Infrared Spectroscopy (FTIR). The refractive indexn, extinction coefficientk and optical band gapE _opt of the thin films were investigated by UV-visible spectrophotometer and spectroscopic ellipsometer. The results show that a complex chemical bonding network rather than a simple mixture of Si₃N₄, SiC, CN _x and a-C etc., may exist in the ternary thin films. Then's of the films are within the range of 1. 90–2. 45, andE _opt's of all samples are within the range of 2. 71–2. 86 eV. Foundation item: Supported by the National Natural Science Foundation of China (19975035) Biography: Li Jin-chai (1946-), male, Professor, research direction: novel functional materials films & ion beam modification of materials.     

Synthesis and characterization of cerium sulfide thin film

Cerium sulfide(Cex Sy)polycrystalline thin film is coated with chemical bath deposition on substrates(commercial glass).Transmittance,absorption,optical band gap and refractive index are examined by using UV/VIS.Spectrum.The hexagonal form is observed in the structural properties in XRD.The structural and optical properties of cerium sulfide thin films are analyzed at different p H.SEM and EDX analyses are made for surface analysis and elemental ratio in films.It is observed that some properties of films changed with different p H values.In this study,the focus is on the observed changes in the properties of films.The p H values were scanned at 6–10.The optical band gap changed with p H between 3.40 to 3.60 e V.In addition,the film thickness changed with p H at 411 nm to 880 nm.