介观电容和电感耦合电路中的库仑阻塞效应

 考虑到电荷在介观电容和电感耦合电路中不连续这一事实,借助经典拉格朗日正则变换及有限微分薛定谔方程对电路中的库仑阻塞效应进行研究.结果显示,影响电路中库仑阻塞的因素不仅有各个回路中的元件参数,还有相互耦合的元件的参数,从而进一步认识介观尺寸下的量子效应的特征和规律,为微电子器件和集成电路的优化设计提供理论指导.     

有源介观耗散电路的库仑阻塞效应

基于介观电路的电荷是量子化的这一事实熏应用正则量子化方案给出介观RLC电路的量子化方法和库仑阻塞条件.研究结果表明押存在耗散元件的介观电路的库仑阻塞效应不仅与电路的非耗散有关熏而且与耗散电阻有关.随耗散电阻的增大熏库仑阻塞现象更加明显.     

有源介观耗散电路的库仑阻塞效应

基于介观电路的电荷是量子化的这一事实，应用正则量子化方案给出介观RLC电路的量子化方法和库仑阻塞条件，研究结果表明：存在耗散元件的介观电路的库仑阻塞效应不仅与电路的非耗散有关，而且与耗散电阻有关，随耗散电阻的增大，库仑阻塞现象更加明显。     

介观耗散电容耦合电路的库仑阻塞效应

该文基于介观电路中电荷应是量子化的这一事实，应用正则量子化方法给出了介观耗散电容耦合电路的量子化方法和库仑阻塞条件，研究结果表明：介观耗散电容耦合电路的库仑阻塞条件不仅与电路中的电容和电感有关，而且与耗散电阻有关；随着耗散电阻的增大，库仑阻塞现象更加明显．该文还讨论了介观电容耦合电路的量子涨落。     

介观耗散互感耦合电路的库仑阻塞效应

给出了介观耗散互感耦合电路的量子化方法,并在介观电路中电荷量子化的基础上给出了介观耗散互感耦合电路的库仑阻塞条件.     

介观耗散互感耦合电路的库仑阻塞效应

给出了介观耗散互感耦合电路的量子化方法，并在介观电路中电荷量子化的基础上给出了介观耗散互感耦合电路的库仑阻塞条件.     

基于SET/MOS混合结构的表决器电路的设计

基于单电子晶体管(SET)的库仑阻塞和库仑振荡效应,利用SET和MOS管的互补特性,提出了一种基于SET/MOS混合电路的新型表决器电路.利用HSPICE对所设计的表决器电路进行仿真验证,仿真结果表明SET/MOS混合电路能够实现表决器的功能.与传统CMOS电路相比,该SET/MOS混合电路使用的管子数目大大减少,功耗...     

介观互感耦合电路的量子化和库仑阻塞效应

根据介观电路中电荷是量子化的事实，从无耗散互感电路的经典运动方程出发，利用经典拉格朗日正则变换以及正则线性变换，给出了介观无耗散互感耦合电路的量子化理论及库仑阻塞条件，并对结果进行了讨论．     

双孔耗散介观电容-电阻-电感耦合电路的量子涨落

从介观电路中经典运动方程出发,运用正则变换的方法研究双孔耗散介观电容电阻电感耦合电路的量子涨落的问题.结果表明电荷和电流的量子效应不仅与其组成的元件有关,还与其耦合的回路有关.     

热态下介观电感耦合电路中的量子涨落

在对真空中介观电容耦合电路进行量子化的基础上,采用Lewis-Riesenfeld不变量理论及时间独立的哈密顿系统的知识对在热态下的电感耦合的介观电路中的量子涨落进行研究,并将结果与在绝对零度情况下进行比较.结果表明热态下介观耦合电路中的量子涨落与组成元件的参数和温度有关;并且电路系统在一定温度下的不确定关系比在绝对零度下更为明显,温度越高、涨落越明显.     

片上螺旋电感的一种新增强型单π模型

针对片上螺旋电感提出了一种新型增强型单π等效电路模型.在宽频范围内,该模型仿真数据和HFSS中电磁仿真数据呈现出很好的拟合结果.所提模型充分考虑了高频下的衬底耦合效应、趋肤效应和邻近效应,基于电磁仿真得到的Y参数,采用拟线性函数法和二端口网络分析法来解析提取电路元件参数值,且所提参数无需进行优化.将各元件参数值应用于该对称单π等效电路,在0~20 GHz范围内可以精确地模拟片上螺旋电感各参数随频率变化的特性,从而验证了等效电路模型的准确性.     

颗粒间隧穿体系H-A模型的磁电阻翻转效应

基于HELMAN-ABELES模型,超越传统的一级近似,对磁场相关库仑阻塞下体系的磁输运性质进行了系统的理论分析.我们发现,磁场相关的库仑能隙将引起低温下的正磁电阻发散行为,该行为与自旋极化引起的低温负磁电阻相互竞争,使体系的宏观磁电阻随参数的区域变化呈现出复杂的特征.我们分析了该正磁电阻出现的根本原因,从而指出影响磁电阻的因素除了传统的自旋极化率之外,还有与之效果相反的自旋相关库仑能隙的作用,后者为颗粒体系中的磁电阻效应提供了新的可能来源.     

计算电磁学中的场路协同仿真方法综述

随着集成电路的集成度和脉冲信号速度的提高,电路中的波效应越来越明显,单纯使用电路分析方法已不能满足精度要求,这种情况下必须对原问题分而治之.采用3维电磁场全波方法对封装与互连结构进行分析,采用电路分析方法对电路元件或电路模块进行分析,最后将二者耦合起来实现场路协同仿真.论文首先对计算电磁学中的场路协同仿真问题进行分类,然后分别介绍各类场路协同仿真的国内外研究现状,最后探讨场路协同仿真的未来研究方向.     

利用Hellmann-Feynman定理研究无耗散介观电感耦合电路中的能量涨落(英文)

在对无耗散介观电感耦合电路进行量子化的基础上,利用广义Hellmann-Feynman定理对电路中的能量涨落进行研究.结果显示能量涨落的大小不但与温度有关,而且还与组成电路的元件有关.     

含互感平面网络的去耦问题

本文分析“基本去耦电路”的去耦问题。本文把含互感平面网络网孔电压方程或网孔阻抗矩陈中的互感参数,不采用磁耦合形式,而是把它当位一个独立二端元件的参数,用此元件来实现的网络定义为“基本去耦电路”。指出含互感平面网络存在这种去耦电路的条件及其去耦方法,最后指出不存在这种去耦电路的条件及其原因。     

含耦合电感元件电路的分析与探讨

含有耦合电感元件电路的分析和计算是电路基础课程的一个难点,但是如果能够正确地标注自感电压、互感电压和线圈端口电压,并在复杂电路中恰当处理耦合电感,则含有耦合电感元件电路的分析和计算就与一般交流电路的分析计算相同。     

用于LTCC的电感设计与建模

本论文中提出了一种低温共烧陶瓷嵌入式电感的宽频等效电路模型,此模型达到了有效的频宽,模型包含一个核心电路,五个元件组成,模拟了电长度0到的无损耗传输线,有效模拟了线圈间耦合效应和接地谐振现象,通过散射参数的测量可以提取出等效电路模型中各个元件参数,相对于传统的型等效电路只能达到第一个自我谐振点来比,本论文中提出的修正T型等效电路可达到更高的谐振点,因此频宽宽许多,论文用射频软件ADS仿真结果显示此电感模型可准确至5GHz.     

基于CdV/dt现象分析的功率MOS管建模

为了改善功率MOS管及其驱动电路在高频开关状态下,功耗与可靠性等性能上的恶化问题,分析了此类电路中由于CdV/dt现象所导致的寄生效应.首先考虑功率MOS管及驱动电路的主要寄生参数,详细分析了CdV/dt现象产生的机理.在此基础上,采用状态方程的建模方法,提取关键电压与电流参数作为状态变量,建立并有效验证了一种功率MOS管的数学分析模型.通过对此模型的仿真,发现CdV/dt现象会带来栅极耦合电压、穿通电流、漏极振荡等不良寄生效应.同时对各种寄生参数与效应间的关系进行了分析.最后,根据仿真分析结果,给出了电路的优化设计方法.实际电路的测试结果证明,该功率MOS管模型与驱动电路的优化方法在CdV/dt现象分析与改善上具有明显作用.     

量子棒中极化子基态能量的杂质效应

通过坐标变换把量子棒的哈密顿量由椭球边界变为球形边界.采用线性组合算符方法,研究了量子棒中弱耦合杂质极化子的基态能量与椭球纵横比、量子棒的横向和纵向有效受限长度、库仑束缚势和电子-声子耦合强度的关系.结果表明：基态能量随有效受限长度的减少而迅速增大.表现出量子棒珍奇的量子尺寸限制效应.基态能量随库仑束缚势、纵横比和耦合强度的增加而减少.     

纳米物理学效应及其应用

介绍了纳米科技的历史、现状和发展趋势;讨论了纳米金属的电子能级不连续性、尺寸效应、表面效应、宏观量子隧道效应、库仑阻塞与量子隧穿等几种纳米物理学效应;并在此基础上,进一步讨论了纳米电子技术、超晶格量子阱等重要应用.