高灵敏度的具有Ni过渡层的Co／Cu／Co三明治膜的巨磁电阻效应

研究了具有不同厚度Ｎｉ过渡层的Ｃｏ５．０ｎｍ／Ｃｕ３．５ｎｍ／Ｃｏ５．０ｎｍ三明治膜的巨磁电阻效应，发现Ｎｉ过渡层可以大大地提高材料的灵敏度。不同程度Ｎｉ过渡层的Ｃｏ／Ｃｕ／Ｃｏ三明治膜的磁电阻值在３．５％和５．６％之间，相应的矫顽力在０．９５ｋＡ／ｍ附近。因此，材料的灵敏度最大可以达到３９％ｋＡ．ｍ＾－１。原子力显微镜给出的表面形貌表明Ｎｉ过渡层提高了材料的平整度，从而导致大的巨磁电阻值。而电阻     

Co-Ag/Ag多层膜的巨磁电阻效应

用离子束溅射法制备了６个系列的ＣｏｘＡｇ１００－ｘ／Ａｇ颗粒多层膜,对其巨磁电阻随成分及Ａｇ层和Ｃｏ—Ａｇ层厚度的变化规律进行了研究．当Ａｇ层厚度改变时,ＧＭＲ有一峰值,且随着Ｃｏ含量增加,峰值向层厚增加的方向位移,当Ｃｏ—Ａｇ层厚度改变时,Ｃｏ含量较高的样品的磁电阻在ｄｍ＝２．０ｎｍ附近有一个极大值,而Ｃｏ含量较低的样品在ｄｍ６．０ｎｍ范围是单调上升的．用磁层间静磁相互作用的反铁磁耦合模型对上述现象加以解释．还研究了Ｃｏ４５Ａｇ５５／Ａｇ多层膜样品的退火效应．     

STUDYONMOEFFECTSINLAYEREDFILMSANDESTABLISHMENTOFOPTICONST＆MOKERRSPECTROMETER

以获取磁光材料较全面的介电张量对角元和非对角元复量谱为目的，建立了光学常数谱和磁光常数谱的自动测量系统。阐述了测量系统的理论基础，将测量波长范围拓宽到３２００至８４００，能够测量磁光材料的光学常数、磁光克尔旋转角和克尔椭偏率，从而得到材料磁光常数完整的信息。运用所建立的系统，对单层厚Ｃｏ膜、单晶Ｆｅ、Ｃｏ／Ｐｂ系列夹层膜和Ｆｅ／Ｐｂ系列多层膜进行了系统测量和计算，得到了其介电张量对角元和非对角元复量谱。同时对层状膜的磁光效应及增强，进行了尝试性的研究。在Ｃｏ／Ｐｂ夹层膜系列样品中，发现当Ｃｏ的厚度较小时，在短波方向有克尔角的增大；在Ｆｅ／Ｐｂ多层膜系列样品中，发现当Ｐｂ的厚度较小时，在长波范围也有磁光效应的增强。     

FeSi／Cu多层膜的磁性和磁光效应

用射频交流溅射法制备了具有不同层厚的ＦｅＳｉ／Ｃｕ多层膜系列样品。通过铁磁共振谱测量发现：当Ｃｕ层厚度（ｄＣｕ）小于１５Ａ时，ＦｅＳｉ层间发生交换耦合。室温饱和磁化强度测量发现：ｄＣｕ＜１５Ａ，磁化强度随ｄＣｕ减小而明显下降。磁光克尔谱测量则表明：ｄＣｕ＜１５Ａ时，谱线出现异常。将上述三个结果进行综合分析提出如下模型：ｄＣｕ＜１５Ａ，Ｃｕ层中传导电子被反向极化，并通过ＲＫＫＹ相互作用使ＦｅＳｉ层间     

巨磁电阻自旋阀多层膜的结构和磁性

用磁控溅射镀膜方法，制成了巨磁电阻自旋阀多层膜Ｔａ／ＮｉＦｅ／Ｃｕ／ＮｉＦｅ／ＦｅＭｎ／Ｔａ。它具有优良的特性。其室温磁电阻比率ＭＲ〉２％，自由层矫元力Ｈｃｌ〈１６０Ａ／ｍ，自由层零磁场漂Ｈｆ〈８００Ａ／ｍ和钉 扎层交换场Ｈｅｘ≈２０×１０＾３Ａ／Ｍ。     

低饱和场巨磁电阻金属多层膜Ni80Fe20／Cu的结构与磁电阻

采用磁控溅射方法，获得了具有低饱和场巨磁电阻的Ｎｉ８０Ｆｅ２０／Ｃｕ金属多层膜，在室温下，其磁电阻和层间耦合状态随Ｃｕ层厚度的增加呈振荡变化，在Ｃｕ层厚度ｔＣｕ＝１．０ｎｍ，２．２ｎｍ时磁电阻出现２个峰值分别为１９．４％和１１．７％，饱和场约为６．４×１０＾４Ａ／ｍ和８×１０＾３Ａ／ｍ低温下（７７Ｋ）磁电阻为３３．２％和２７．６％，系统地研究了ＮｉＦｅ层厚度和周期数对多层膜磁电阻的影响，用真空退火     

Co／Al多层膜磁性的界面效应和维度效应

蒸发法制备的Ｃｏ／Ａｌ多层膜的饱和磁化强度Ｍｓ因界面效应随Ｃｏ层厚度减小而下降，并存在一个０．６８ｎｍ的磁性死层、磁性层减小时，Ｍｓ与温度关系不再满足ＢｌｏｃｈＴ＾３／２定律，Ｍｓ随温度下降更快，表现出低于三维的低维磁性特征。同时，Ｃｏ／Ａｌ多层膜的居里温度随Ｃｏ层厚度减小而减小，遵从准二维标度定律，得出居里温度维度位移因子为０．６２。     

取代型Keggin结构杂多阴离子插层化合物的合成及氧化活性

采用离子交换技术合成了过渡元素取代型Ｋｅｇｇｉｎ结构杂多阴离子柱撑层柱化合物Ｚｎ＿２Ａｌ－ＳｉＷ＿９Ｚ＿３（Ｚ＝Ｃｏ￣（２＋）、Ｃｕ￣（２＋０）与Ｚｎ＿２Ａｌ－ＢＷ＿１１Ｚ（Ｚ＝Ｃｏ￣（２＋）、Ｃｕ￣（２＋）和Ｎｉ￣（２＋））；ＸＲＤ与ＩＲ测试表明，它们具有０．９８±０．０１ｎｍ的通道高度，层间杂多阴离子保持Ｋｅｇｇｉｎ结构骨架；在液－固相体系中，它们对苯甲醛的Ｈ＿２Ｏ＿２氧化反应具有显著高的催化活性，是性能优秀的固一液相氧化型催化剂．     

Fe—Ni／Cu磁性多层膜中层间耦合和磁性的研究

利用振动样品磁强计和电子顺磁共振谱仪研究了Ｆｅ－Ｎｉ／Ｃｕ多层膜中的层间耦合和二维效应，以及它们对磁性的影响，对于Ｆｅ－Ｎｉ（３．０ｎｍ）／Ｃｕ多层膜，面内饱和场Ｈｓ，矫顽力Ｈｃ，剩磁比均随Ｃｕ层厚度作同步振荡变化，对于Ｆｅ－Ｎｉ（２．０ｎｍ）／Ｃｕ和Ｆｅ－Ｎｉ（３．０ｎｍ）／Ｃｕ多层膜，有效饱和磁化强度与共振线宽ΔＨ，随Ｃｕ层厚度作同步振荡变化。在它们的铁磁共振谱中，除了一致进动共振模外，还存在     

Co/Pb多层膜的磁垂直各向异性与磁光克尔效应

我们用射频磁控溅射方法制备了一系列Ｃｏ／Ｐｂ多层膜样品，转矩仪测量结果表明，当Ｐｂ层厚度小于２纳米时，磁垂直各向异性场Ｈｕ随Ｐｂ层厚度的减小而增加。在磁光极克尔效应的测量中，发现在短波方向有磁光增强现象，并对磁光增强的可能机制进行了研究     

用纵向磁光克尔效应观察Co/Cu/Co三层膜正交方向磁矩随磁场的翻转过程

运用光弹调制器和锁向放大器作为主要的光电子仪器,搭建磁光克尔效应实验系统,将平行和垂直磁场应用于纵向磁光克尔(Kerr)效应,用来分析薄膜正交方向磁矩随磁场翻转的情况.应用此方法,研究了在不同衬底上用磁控溅射方法制备的Co(2.7 nm)/Cu(2 nm)/Co(2.7 nm)三层膜的磁性及磁矩翻转,探索其耦合机理.衬底与间隔层Cu层表面结构的差异,诱导了底层Co与表面层Co结构的差异,导致底层和表面层Co膜的矫顽力不同,从而实现了两铁磁层的磁矩翻转不一致.     

Relationship between giant magnetoresistance of NiFe/Cu multilayers and their microstructures

The (111)-orientated NiFe/Cu multilayers were prepared by magnetron sputtering method. At room temperature, saturation magnetoresistances of NiFe/CU multilayers oscillate as a function of Cu spacer layer thickness. Two peak GMR values of 19.4%, 11.6% and 11.2%, 1% appear, respectively, at Cu sublayer thickness of t_Cu,= 1.0, 2.2 nm while the deposition pressures are 0.25 and 0.45 Pa. X-ray small-angle reflections and diffuse scattering at Cu K-edge (8.979 keV) by synchrotron radiation source were used to characterize the interfacial roughness. Diffraction anomalous fine-structure scattering (DAFS) was performed to investigate the local structure of NiFe and Cu sublayers. Results show that the deposition pressure has effect on interfacial roughness of the samples obviously, and the interfacial roughness also affects the GMR values of the samples strongly.     

磁光克尔效应及其测量

介绍了在磁光盘上进行热磁写入信息的原理、磁光克尔效应以及通过该效应读出信息的原理.对近期开发的磁光盘介质材料的性能进行了评论.重点介绍了磁光克尔转角的测量方法,分析了影响材料磁光克尔转角大小的因素.     

MnBiRE-SiO光学系统中的极向Kerr角及其增强因子

从Ｍａｘｗｅｌ方程出发，利用相干光迭加原理，导出入射光在从透明衬底面入射时，磁性薄膜ＭｎＢｉＲＥ－ＳｉＯ光学系统极向Ｋｅｒ角及其增强因子的解析表达式，讨论了透明介质层对ＭｎＢｉＲＥ薄膜光学系统θｋ的增强作用。     

MnBiRE-SiO光学系统中的极向Kerr角及其增强因子

从Ｍａｘｗｅｌ方程出发，利用相干光迭加原理，导出入射光在从透明衬底面入射时，磁性薄膜ＭｎＢｉＲＥ－ＳｉＯ光学系统极向Ｋｅｒ角及其增强因子的解析表达式，讨论了透明介质层对ＭｎＢｉＲＥ薄膜光学系统θｋ的增强作用。     

保护层Ag对Ag/TbFeCo光学性质的影响

磁光记录介质非晶稀土-过渡金属合金TbFeCo薄膜覆盖Ag保护层可减小稀土元素的氧化且能增强其磁光克尔效应。利用直流磁控溅射法制备出Ag/TbFeCo／Si(100)磁光薄膜,利用可变入射角椭圆偏振光谱仪测量了其可见光区的光学常数,给出薄膜介电函数实部和虚部随入射光子能量的变化规律,同时把Ag／Si、Ag／TbFeCo／Si和TbFeCo／Si的光谱进行了比较。实验结果与经典的Drude模型相一致,而且Ag／TbFeCo／Si的光谱更接近Ag。不同厚度Ag/TbFeCo／Si薄膜其光学参数变化趋势相同,且随Ag厚度的增加变化幅度减小。     

Electric transmission behavior of self-assembled Cu–W nano multilayers

Metallic nano multilayers were usually prepared by dual targets alternating deposition method. In this paper, a series of self-assembled Cu–W nano multilayers with different modulation periods were deposited on single crystal silicon substrate by dual targets confocal magnetron sputtering technique. The self-assembled film presented an alternation of W-rich layer and Cu-rich layer. The degree of coherence of the layered interface can be adjusted by controlling both the solid solubility of W-rich and Cu-rich layers. The film resistance increment of the self-assembled Cu–W multilayers is only 14% when the modulation period decreases from 68.2 nm to 5.3 nm,having less size effect compared to the film prepared by alternating deposition method. It noticed that the film resistance even decreased slightly when the modulation period decreased to below 5.3 nm. These results suggested that the coherence could weak the interface scattering ability to electrons, so the self-assembled Cu–W multilayers have lower resistance than the multilayer prepared by alternating deposition technique. This study presented a new pathway to enhance the conductivity of the multilayers.     

掺入轻稀土元素对薄膜的磁光克尔效应的增强

从磁光克尔效应的宏观唯象理论和量子理论出发分析了轻稀土元素对磁光克尔效应的增强机理；研究了轻稀土元素ＬＲＥ（Ｎｄ，Ｓｍ，Ｐｒ）掺入后（ＬＲＥ，ＨＲＥ）－ＴＭ薄膜的稀上成分比和溅射时基片负偏压对薄膜磁光克尔角的影响，研究结果表明，轻稀土元素的掺入能使ＨＲＥ－ＴＭ磁光薄膜的磁光克尔效应得到明显的增强。     

Voltage-controlled Kerr response in Ni/Pb（Zr0.52Ti0.48）O3 heterostructures

Voltage-modified magneto-optical Kerr effect（MOKE） is widely used to describe the converse magnetoelectric（ME） effect in the ferroelectric/ferromagnetic（FE/FM） heterostructures. However, the applied voltage can possibly give rise to electro-optical effect of the FE layer, which would also affect the Kerr signals in the MOKE system. Here, we used an AC voltage to modulate the magnetization in the Ni/Pb（Zr0.52Ti0.48）O3（PZT） heterostructures with different pre-polarization states of the PZT layers to investigate the complexity of the Kerr signals. The results suggested that the voltage control of Kerr signal contained several origins; however, the straininduced ME effect dominated in the ME effect in the heterostructures.