温度对高甲烷含量下直流热阴极PCVD法制备纳米金刚石膜的影响

采用直流热阴极等离子体化学气相沉积(PCVD)技术,在CH4,H2流量分别为6sccm和200sccm,反应室气压为6×103 Pa时,通过改变基底温度,制备金刚石膜.采用拉曼光谱仪、扫描电镜和X射线衍射分析仪对样品进行表征.结果表明:利用直流热阴极PCVD方法,在较高的甲烷含量、较低的反应室气压及较低的基底温度下,可以制备出质量较好的纳米金刚石膜,随着基底温度的降低,晶粒尺寸减小,非金刚石相增多,膜的质量下降.     

放电电压对直流热阴极制备金刚石厚膜的影响

利用直流热阴极辉光放电方法制备出了高品质金刚石厚膜,生长速率达到20μm/h,生长厚度达到3mm.为了解其工作特性、优化沉积工艺,本文研究了放电电压对金刚石沉积速率和品质的影响.通过对扫描电镜、拉曼谱和XRD图谱分析得出,随着放电电压的增加,沉积速率呈下降趋势,电压在850～950V范围金刚石中石墨和非晶碳明显减少,晶粒均匀,表面晶向以(110)为主,金刚石薄膜的质量显著提高.     

硼掺杂对金刚石薄膜载流子浓度的影响

采用固体三氧化二硼,在硅衬底上用HFCVD 法生长金刚石薄膜.对CVD 金刚石薄膜的进行了表面形貌和结构进行了研究,并测试了不同硼掺杂浓度的金刚石膜载流子浓度及其电阻率.结果表明:金刚石膜结构致密,硼掺杂有利于改善膜质量,膜中载流子浓度随着掺杂浓度的提高不断提高.     

合成二乙基甲氧基硼烷的工艺优化

通过工业新工艺合成,以溴乙烷和镁粉为原料制备格氏试剂,与硼酸三甲酯发生亲核取代反应,经甲醇后处理得到二乙基甲氧基硼烷.考察了溶剂、原料配比、反应时间及温度等因素对二乙基甲氧基硼烷收率的影响,通过多次中试实验,获得了各步反应的最佳工艺参数,产品收率为84.4;,产物GC纯度为98.9;.     

甲烷浓度对大面积金刚石膜生长的影响

采用电子辅助热灯丝化学气相沉积(EA.CVD)方法沉积大面积金刚石膜,在金刚石膜的沉积过程中,碳源浓度的变化会直接影响着金刚石膜的生长和质量.使用Raman,SEM等手段对金刚石膜的生长特性进行了表征.     

甲烷浓度对大面积金刚石膜生长的影响

采用电子辅助热灯丝化学气相沉积(EA.CVD)方法沉积大面积金刚石膜,在金刚石膜的沉积过程中,碳源浓度的变化会直接影响着金刚石膜的生长和质量。使用Raman,SEM等手段对金刚石膜的生长特性进行了表征。     

糖和硼对笋瓜花粉管生长的影响

植物花粉管的生长离不开糖和硼。采用含一定量硼酸的不同浓度的蔗糖溶液和含一定量蔗糖的不同浓度的硼酸溶液处理笋瓜花粉，结果表明，适于笋瓜花粉管生长的蔗糖和硼酸的最侍浓度分另为１５％和０．２‰。     

甲烷浓度对光学级金刚石膜生长的影响

采用微波PCVD系统进行了高品质透明金刚石膜的制备,在金刚石膜的沉积过程中,碳源浓度的变化直接影响着金刚石膜的生长和质量。用Raman,SEM等手段对金刚石膜的生长特性进行了表征。     

碳源浓度对掺硼金刚石/多孔钛复合材料制备的影响

利用热丝化学气相沉积技术,在多孔钛膜上生长重掺硼金刚石薄膜,研究了碳源浓度对复合膜表面形貌及薄膜质量的影响.结果表明钛膜表面沉积的掺硼金刚石薄膜因碳源浓度的不同而不同,掺硼金刚石薄膜的质量随碳源浓度的减小而提高.金刚石/钛复合膜因碳源浓度的不同会产生复杂的变化,在重掺杂高碳源浓度下金刚石生长抑制碳化钛的形成.     

糖和硼对笋瓜花粉管生长的影响

植物花粉管的生长离不开糖和硼,采用含一定量硼酸的不同浓度的蔗糖溶液和含一定量蔗糖的不同浓度的硼酸溶液处理笋瓜花粉,结果表明,适于笋瓜花粉管生长的蔗糖和硼酸的最佳浓度分别为15％和0.2‰。     

掺硼金刚石膜电极电化学特性的研究

采用直流热阴极CVD法制备掺硼金刚石膜.利用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)对样品进行了表征,利用电化学循环伏安法测试了掺硼金刚石膜电极的电化学特性.结果表明,该方法制备的掺硼金刚石膜电极有宽的电势窗口、很高的析氧电位和良好的稳定性.     

放电电流对热阴极等离子体化学气相沉积金刚石膜影响

建立了快速沉积高品质金刚石膜的热阴极辉光放电等离子体化学气相沉积新方法. 相对于常规冷阴极辉光放电而言,热阴极辉光放电是一种新型放电形式,具有许多新的特性,其中重要一点是具有较高的放电电流(6.0～10.0 A). 较高的放电电流既是热阴极辉光放电本身的突出特点,同时对于化学气相沉积金刚石膜工艺也产生重要影响. 实验研究了放电电流于金刚石膜沉积速率、表面形貌和热导率的影响,发现由于放电电流影响辉光放电的等离子体区和阳极区,进而对金刚石膜的沉积速率和品质有很大影响. 特别是通过放电电流的提高,可以有效地提高金刚石膜的品质,这对于制备优质金刚石膜产品有重大意义.     

气压对金刚石膜生长的影响

采用电子铺助热灯丝化学气相沉积（EA-CA）方法沉积大面积金刚石膜，在金刚石膜的沉积过程中，气压对金刚石膜沉积的影响会直接影响着金刚石膜的生长和质量。用Raman，SEM等手段对金刚石膜的生长特性进行了表征。     

强酸性离子交换树脂催化下硼酸三甲酯合成反应的动力学研究

以自制的负载氯化锂强酸性离子交换树脂为催化剂,采用间歇法研究了硼酸和甲醇酯化可逆反应的动力学。对可逆反应动力学方程进行线性化处理,确定了积分法拟合可逆反应动力学参数的方法,并以幂函数形式表达了指前因子与催化剂浓度的关系。测定了不同反应温度和催化剂用量下硼酸三甲酯得率随时间的变化,对动力学数据采用线性拟合,得到硼酸三甲酯非均相催化合成反应动力学方程式为:rA=499.4 C0.38cat exp(-31920/RT)CACB-397.7C0.08 cat exp(-29780/RT)CRCS。     

掺硼金刚石膜电极电化学氧化降解TNT的研究

首先采用循环伏安法研究了TNT在掺硼金刚石(BDD)膜电极上的电化学氧化-还原行为。基于此,开展了以BDD电极为阳极,电化学高级氧化降解TNT废液的研究,考察了电极电流密度对TNT降解率、溶液化学需氧量(COD)的影响。结果表明:随着电流密度从20 mA/cm2增加到150 mA/cm2,TNT降解率及COD去除率均明显增加,但平均电流效率降低,能耗呈线性增加。综合考虑,在较低电流密度下电氧化降解TNT废液降解更经济合理。     

反应气压对生长金刚石膜的影响

实验以CH3CH2OH和H2 为气源,用微波等离子体CVD法沉积金刚石膜,并用金相显微镜(×400)观察其沉积效果,X射线衍射仪表征其成膜质量,最后分析反应气压对金刚石膜的影响.     

氮气流量对金刚石膜生长的影响

采用电子辅助热灯丝化学气相沉积（EA-CVD）方法沉积大面积金刚石膜,在金刚石膜的沉积过程中,氮气流量对金刚石膜沉积的影响会直接影响着金刚石膜的生长和质量。用Raman等手段对金刚石膜的生长特性进行了表征。     

丙酮对金刚石膜生长速率的影响

采用灯丝热解化学气相沉积方法，在不同的碳源气体气氛中合成金刚石薄膜，并研究不同工艺条件下的金刚石膜生长速率．结果表明，在较低的灯丝分解气体温度和较近的灯丝与衬底距离条件下，以丙酮为碳源气体合成的金刚石膜具有较高的生长速率和较好的质量．     

Li取代氨硼烷的掺杂对RDX初始热分解影响的理论研究

提高高能炸药的爆轰性能始终是含能领域的研究目标,而金属硼氨储氢化合物具有良好化学稳定性和超高释氢能力,将其应用于含能领域,其中的金属离子和分解产物中的高纯度氢气可以有效改善高能炸药的热分解性能.因此本文探索了锂取代氨硼烷的掺杂对1,3,5-环三亚甲基三硝胺（RDX）的影响.本文基于第一性原理优化了RDX的周期性几何结构并分析了其电子结构特性;基于Monte-Carlo方法构建了锂氨硼烷（LAB）掺杂RDX化合物的周期性结构,对预测的结构进行了电子结构的分析并用Gaussian 09程序下的BP86/6-311+g （d,p）理论水平设计了RDX及LAB的相互作用方式,并分析相应的反应热效应.模拟的结果表明,引入LAB后,对应的化学势能降低,反应的自发性提高,后续反应的放热量增大.     

用硼酸三甲酯对Al2O3路易斯碱性进行红外光谱定量研究

采用硼酸三甲酯作为探针分子对Al2O3的路易斯碱性进行了红外光谱定量研究，Al2O3对硼酸三甲酯的吸附使硼酸三甲酯在1360cm-1的谱峰分裂成14199cm^-1和1287cm^-1两个峰，1036cm^-1的谱峰紫移到1067cm^-1，低压下吸收峰高与硼酸三甲酯压力成正比，与Al2O3含量成正比，结果表明Al2O3有一定的路易斯碱强度，与硼酸三甲酯之间的吸附是单分子层化学吸附。